Oled面板、oled器件制作方法、用于oled的像素布圖的掩膜結構的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明的實施例涉及OLED面板、OLED器件制作方法、用于OLED的像素布圖的掩膜結構。所述OLED包括像素結構，所述像素結構包括第一到第三子像素區(qū)，第一子像素區(qū)和第二子像素區(qū)在第一方向上對齊且都沿與第一方向相交的第二方向彼此平行地延伸，第三子像素區(qū)位于第一和第二子像素區(qū)的在第二方向上的一端且沿第一方向延伸。
【專利說明】OLED面板、OLED器件制作方法、用于OLED的像素布圖的掩膜結構
技術領域
[0001]本發(fā)明的實施例涉及有機發(fā)光顯示器件領域，尤其涉及一種OLED面板、OLED器件制作方法、用于OLED的像素布圖的掩膜結構。
【背景技術】
[0002]當前的有機電致發(fā)光顯示器為自發(fā)光型，不需要背光，這一點與液晶顯示器(LCD)不同，因此可實現重量減輕和尺寸微小化。此外，有機電致發(fā)光顯示器可以通過簡單的工藝制成，從而提高價格競爭力。并且，有機電致發(fā)光顯示器具有低驅動電壓、高發(fā)光效率和寬視角，因此作為下一代顯示器受到廣泛關注。
[0003]有機電致發(fā)光顯示器包括用于顯示圖像的多個有機發(fā)光顯示(OLED)器件。每個OLED包括陽極、有機發(fā)光層和陰極。陽極和陰極向有機發(fā)光層提供空穴和電子，空穴和電子在有機發(fā)光層中復合而形成激子，并且在激子降到底部穩(wěn)態(tài)時，產生預定波長的光。這里，可以根據有機發(fā)光層的材料特性而產生具有與例如紅色、綠色和藍色對應的波長的光。
[0004]在有機電致發(fā)光顯示器中，應針對每個像素對每個實現紅色(R)、綠色(G)和藍色(B)的有機發(fā)光層進行布圖，以實現全色顯示?，F有技術中存在許多不用的公知方法來制造OLED器件，包括真空沉積、噴射印刷(jet-printing)、噴嘴印刷(nozzle-printing)、激光燒蝕、激光誘導熱成像等等。在這些方法當中，真空沉積工藝產生具有最佳特性的器件。然而，真空沉積需要精細金屬掩模板(FMM)來產生高分辨率顯示所需要的布圖。
[0005]FMM具有多個缺點，包括生產成本高、拉伸和維護困難，最重要的是，FMM在沉積開始之前需要與基板進行精確的對準。對于大尺寸基板(例如，大于等于第六代基板)而言，對準變得非常困難，在需要高分辨率的情況下尤其困難。并且，對準工藝還要求向蒸發(fā)腔增加復雜的附件來處理該對準工藝。

【發(fā)明內容】

[0006]本發(fā)明的實施例提出了一種允許在諸如薄膜晶體管(TFT)面板的基板上形成包圍像素區(qū)域的沉積掩膜，進而利用傾斜沉積無掩模板地形成OLED器件的子像素結構的途徑。因而，即使當母板玻璃的尺寸為第六代以上時，也不存在有機發(fā)光層的沉積期間蒸發(fā)掩模板與基板的對準困難的問題。
[0007]本發(fā)明實施例的第一方面提供一種OLED面板，包括像素結構，所述像素結構包括:
[0008]第一到第三子像素區(qū)，第一子像素區(qū)和第二子像素區(qū)在第一方向上對齊且都沿與第一方向相交的第二方向彼此平行地延伸，第三子像素區(qū)位于第一和第二子像素區(qū)的在第二方向上的一端且沿第一方向延伸。
[0009]根據該第一方面的OLED面板，其像素結構可以在不利用要求精確對準的掩模板的情況下形成。
[0010]根據示例性實施例，所述像素結構還包括:
[0011]第四子像素區(qū)，其位于第一和第二子像素區(qū)的在第二方向上的另一端且沿第一方向延伸，所述第三子像素區(qū)和所述第四子像素區(qū)在第二方向上彼此對齊。
[0012]根據示例性實施例，所述第三子像素區(qū)的在第一方向上的兩個邊分別與第一子像素區(qū)和第二子像素區(qū)的在第一方向上的外側邊對齊。
[0013]根據示例性實施例，所述第四子像素區(qū)的在第一方向上的兩個邊分別與第一到第三子像素區(qū)的在第一方向上的外側邊對齊。
[0014]根據示例性實施例，所述第三子像素區(qū)的在第二方向上的外側邊和所述第四子像素區(qū)的在第二方向上的外側邊分別相對于成對的第一子像素區(qū)和第二子像素區(qū)的在第二方向上的兩個外側邊向外偏移所述第三子像素區(qū)的寬度和所述第四子像素區(qū)的寬度，并且第一子像素區(qū)的在第一方向上的外側邊和所述第二子像素區(qū)的在第一方向上的外側邊分別相對于成對的第三子像素區(qū)和第四子像素區(qū)的在第一方向上的兩個外側邊向外偏移所述第一子像素區(qū)的寬度和所述第二子像素區(qū)的寬度。
[0015]根據示例性實施例，所述OLED面板還包括:
[0016]包圍所述像素結構的圖案化的沉積掩膜，所述沉積掩膜包括在第一方向上相對設置的成對的第一沉積壁和第二沉積壁，在與第一方向相交的第二方向上相對設置的成對的第三沉積壁和第四沉積壁，以及在第一方向上相對設置的成對的第五沉積壁和第六沉積壁，其中
[0017]所述第一子像素區(qū)與所述第二沉積壁相鄰，所述第二子像素區(qū)與所述第一沉積壁相鄰，第三子像素區(qū)與所述第四沉積壁相鄰。
[0018]根據示例性實施例，所述第一沉積壁和所述第二沉積壁在第一方向上相距第一距離LI，所述第三沉積壁和所述第四沉積壁在第二方向上相距第二距離L2，所述第五沉積壁和所述第六沉積壁在第一方向上相距第三距離L3，
[0019]在沿所述第一方向切割而得到的切面中，從所述第一子像素區(qū)的內側邊緣到所述第一沉積壁的頂部的連線與所述基板成角度α?，從所述第二子像素區(qū)的內側邊緣到所述第二沉積壁的頂部的連線與所述基板成角度α2，并且在沿所述第二方向切割而得到的切面中，從所述第三子像素區(qū)的內側邊緣到所述第三沉積壁的頂部的連線與所述基板成角度α3，其中01、(12、€[3都大于0度且小于90度，并且
[0020]其中，第一到第六沉積壁的高度分別為hl、h2、h3、h4、h5、h6，則滿足以下關系:
[0021]h5>L3Xtan(al)；
[0022]h6>L3Xtan(a2)0
[0023]根據示例性實施例，所述沉積掩膜包括兩對第五沉積壁和第六沉積壁，所述第五沉積壁和所述第六沉積壁的第一對以及所述第五沉積壁和所述第六沉積壁的第二對分別位于成對的所述第一沉積壁和所述第二沉積壁的相反兩側，所述沉積掩膜還包括在第二方向上相距第四距離L4、相對設置的兩對第七沉積壁和第八沉積壁，所述第七沉積壁和所述第八沉積壁的第一對以及第七沉積壁和所述第八沉積壁的第二對分別位于成對的所述第三沉積壁和所述第四沉積壁的相反兩側，
[0024]第七沉積壁和第八沉積壁的高度分別為h7和h8，滿足以下關系:
[0025]h7>L4Xtan(a3)；
[0026]h8>L4Xtan(a4)，
[0027]其中，所述第一沉積壁相對于所述第五沉積壁沿所述第一方向向所述像素區(qū)域的外側偏移第二子像素區(qū)的寬度b2，所述第二沉積壁相對于所述第六沉積壁沿所述第一方向向所述像素區(qū)域的外側偏移第一子像素區(qū)的寬度bl，所述第三沉積壁相對于所述第七沉積壁沿所述第二方向向所述像素區(qū)域的外側偏移第四子像素區(qū)的寬度b4，所述第四沉積壁相對于所述第八沉積壁沿所述第二方向向所述像素區(qū)域的外側偏移第三子像素區(qū)的寬度b3。
[0028]根據示例性實施例，所述第一沉積壁到所述第八沉積壁具有相同的高度。
[0029]根據示例性實施例，111、112的范圍為0.02?1000(^111，113、114、115、116的范圍為0.05?34000μηιο
[0030]根據示例性實施例，111、112的范圍為1.8?954111，113、114、115、116的范圍為4.8?1654mD
[0031]根據示例性實施例，所述第一沉積壁到所述第八沉積壁中的每一個的高度的范圍為0.07?45000ym。
[0032]根據示例性實施例，所述第一沉積壁到所述第八沉積壁中的每一個的高度的范圍為5.4?346ym。
[0033]本發(fā)明實施例的第二方面提供一種OLED器件制作方法，包括:
[0034]在基板上形成包圍每個像素區(qū)域的圖案化的沉積掩膜，所述沉積掩膜包括在第一方向上相對設置的成對的第一沉積壁和第二沉積壁，在與第一方向相交的第二方向上相對設置的成對的第三沉積壁和第四沉積壁，以及在第一方向上相對設置的成對的第五沉積壁和第六沉積壁；以及
[0035]沿第一方向面向所述第二沉積壁將第一子像素材料傾斜沉積到與所述第二沉積壁相鄰的第一子像素區(qū)，沿第一方向面向所述第一沉積壁將第二子像素材料傾斜沉積到與所述第一沉積壁相鄰的第二子像素區(qū)，沿第二方向面向所述第四沉積壁將第三子像素材料傾斜沉積到與所述第四沉積壁相鄰的第三子像素區(qū)。
[0036]根據該第二方面的方法，可以在沉積OLED器件的每個子像素區(qū)的材料時，利用傾斜沉積，通過沉積掩膜的相應沉積壁的遮擋作用而僅在目標區(qū)域中形成子像素材料且不會干擾其他子像素區(qū)，實現對各子像素區(qū)的材料的無掩模板沉積。
[0037]根據示例性實施例，所述方法還包括:
[0038]沿第二方向面向所述第三沉積壁將第四子像素材料傾斜沉積到與所述第三沉積壁相鄰的第四子像素區(qū)。
[0039]根據示例性實施例，所述第一沉積壁和所述第二沉積壁在第一方向上相距第一距離LI，所述第三沉積壁和所述第四沉積壁在第二方向上相距第二距離L2，所述第五沉積壁和所述第六沉積壁在第一方向上相距第三距離L3，
[0040]所述第一、第二、第三子像素材料的傾斜沉積角分別為α1、α2、α3，其中α1、α2、α3分別為第一、第二、第三子像素材料的沉積方向與所述基板所成的角度并且都大于O度且小于90度，
[0041 ] 第一到第六沉積壁的高度分別為hl、h2、h3、h4、h5、h6，則滿足以下關系:
[0042]h5>L3Xtan(al)；
[0043]h6>L3Xtan(a2)0
[0044]根據示例性實施例，所述第四子像素材料的傾斜沉積角為a4，其中a4為第四子像素材料的沉積方向與所述基板所成的角度并且大于O度且小于90度。
[0045]根據示例性實施例，α1、α2、α3中至少兩者彼此相等。
[0046]根據示例性實施例，α4與α1、α2、α3中至少一者相等。
[0047]根據示例性實施例，所述第五沉積壁的高度h5和第六沉積壁的高度h6大于所述第一沉積壁的高度hi和第二沉積壁的高度h2，所述第一沉積壁與所述第五沉積壁具有位于同一平面內的內側壁，所述第二沉積壁與所述第六沉積壁具有位于同一平面內的內側壁。
[0048]根據示例性實施例，所述沉積掩膜包括兩對第五沉積壁和第六沉積壁，所述第五沉積壁和所述第六沉積壁的第一對以及所述第五沉積壁和所述第六沉積壁的第二對分別位于成對的所述第一沉積壁和所述第二沉積壁的相反兩側，所述沉積掩膜還包括在第二方向上相距第四距離L4、相對且平行設置的兩對第七沉積壁和第八沉積壁，所述第七沉積壁和所述第八沉積壁的第一對以及第七沉積壁和所述第八沉積壁的第二對分別位于成對的所述第三沉積壁和所述第四沉積壁的相反兩側，
[0049]第七沉積壁和第八沉積壁的高度分別為h7和h8，滿足以下關系:
[0050]h7>L4Xtan(a3)；
[0051]h8>L4Xtan(a4)，
[0052]其中，所述第一沉積壁相對于所述第五沉積壁沿所述第一方向向所述像素區(qū)域的外側偏移第二子像素區(qū)的寬度b2，所述第二沉積壁相對于所述第六沉積壁沿所述第一方向向所述像素區(qū)域的外側偏移第一子像素區(qū)的寬度bl，所述第三沉積壁相對于所述第七沉積壁沿所述第二方向向所述像素區(qū)域的外側偏移第四子像素區(qū)的寬度b4，所述第四沉積壁相對于所述第八沉積壁沿所述第二方向向所述像素區(qū)域的外側偏移第三子像素的寬度b3。
[0053]根據示例性實施例，所述第一沉積壁到所述第八沉積壁具有相同的高度。
[0054]根據示例性實施例，所述沉積掩膜的材料選自光敏性聚酰亞胺、聚丙烯酸酯、酚醛樹脂、環(huán)氧樹脂中的一種或多種。
[0055]根據示例性實施例，111、112的范圍為0.02?1000(^111，113、114、115、116的范圍為0.05?34000μπιο
[0056]根據示例性實施例，111、112的范圍為1.8?954111，113、114、115、116的范圍為4.8?1654mD
[0057]根據示例性實施例，所述第一沉積壁到所述第八沉積壁中的每一個的高度的范圍為0.07?45000ym。
[0058]根據示例性實施例，所述第一沉積壁到所述第八沉積壁中的每一個的高度的范圍為5.4?346ym。
[0059]本發(fā)明實施例的第三方面提供一種用于OLED的像素布圖的掩膜結構，包括:
[0060]位于基板上的包圍每個像素區(qū)域的圖案化的沉積掩膜，所述沉積掩膜包括在第一方向上相對設置的成對的第一沉積壁和第二沉積壁，與第一方向相交的第二方向上相對設置的成對的第三沉積壁和第四沉積壁，以及在第一方向上相對設置的成對的第五沉積壁和第六沉積壁，
[0061]根據該第二方面的掩膜結構，可以在沉積OLED器件的每個子像素區(qū)的材料時，利用傾斜沉積，通過該掩膜結構的相應沉積壁的遮擋作用而僅在目標區(qū)域中形成子像素材料且不會干擾其他子像素區(qū)，實現對各子像素區(qū)的材料的無掩模板沉積。
[0062]根據示例性實施例，所述像素布圖包括與所述第三沉積壁相鄰的第四子像素區(qū)。
[0063]根據示例性實施例，所述第一沉積壁和所述第二沉積壁在第一方向上相距第一距離LI，所述第三沉積壁和所述第四沉積壁在第二方向上相距第二距離L2，所述第五沉積壁和所述第六沉積壁在第一方向上相距第三距離L3，
[0064]其中在沿所述第一方向切割而得到的切面中，從所述第一子像素區(qū)的內側邊緣到所述第一沉積壁的頂部的連線與所述基板成角度α?，從所述第二子像素區(qū)的內側邊緣到所述第二沉積壁的頂部的連線與所述基板成角度α2，并且在沿所述第二方向切割而得到的切面中，從所述第三子像素區(qū)的內側邊緣到所述第三沉積壁的頂部的連線與所述基板成角度03，其中(11、(12、€[3都大于0度且小于90度，并且
[0065]其中，第一到第六沉積壁的高度分別為hl、h2、h3、h4、h5、h6，則滿足以下關系:
[0066]h5>L3Xtan(al)；
[0067]h6>L3Xtan(a2)0
[0068]根據示例性實施例，所述像素布圖包括與所述第三沉積壁(在沿所述第二方向切割而得到的切面中，從所述第四子像素區(qū)的內側邊緣到所述第四沉積壁的頂部的連線與所述基板成角度a4，其中a4大于O度且小于90度。
[0069]根據示例性實施例，al、a2、a3中至少兩者彼此相等。
[0070]根據示例性實施例，a4與al、a2、a3中至少一者相等。
[0071 ]根據示例性實施例，所述第五沉積壁的高度h5和第六沉積壁的高度h6大于所述第一沉積壁的高度hi和第二沉積壁的高度h2，所述第一沉積壁與所述第五沉積壁具有位于同一平面內的內側壁，所述第二沉積壁與所述第六沉積壁具有位于同一平面內的內側壁。
[0072]根據示例性實施例，所述沉積掩膜包括兩對第五沉積壁和第六沉積壁，所述第五沉積壁和所述第六沉積壁的第一對以及所述第五沉積壁和所述第六沉積壁的第二對分別位于成對的所述第一沉積壁和所述第二沉積壁的相反兩側，所述沉積掩膜還包括在第二方向上相距第四距離L4、相對設置的兩對第七沉積壁和第八沉積壁，所述第七沉積壁和所述第八沉積壁的第一對以及第七沉積壁和所述第八沉積壁的第二對分別位于成對的所述第三沉積壁和所述第四沉積壁的相反兩側，
[0073]第七沉積壁和第八沉積壁的高度分別為h7和h8，滿足以下關系:
[0074]h7>L4Xtan(a3);
[0075]h8>L4Xtan(a4)，
[0076]其中，所述第一沉積壁相對于所述第五沉積壁沿所述第一方向向所述像素區(qū)域的外側偏移第二子像素區(qū)的寬度b2，所述第二沉積壁相對于所述第六沉積壁沿所述第一方向向所述像素區(qū)域的外側偏移第一子像素區(qū)的寬度bl，所述第三沉積壁相對于所述第七沉積壁沿所述第二方向向所述像素區(qū)域的外側偏移第四子像素區(qū)的寬度b4，所述第四沉積壁相對于所述第八沉積壁沿所述第二方向向所述像素區(qū)域的外側偏移第三子像素的寬度b3。
[0077]根據示例性實施例，所述第一沉積壁到所述第八沉積壁具有相同的高度。
[0078]根據示例性實施例，所述沉積掩膜的材料選自光敏性聚酰亞胺、聚丙烯酸酯、酚醛樹脂、環(huán)氧樹脂中的一種或多種。
[0079]根據示例性實施例，111、112的范圍為0.02?1000(^111，113、114、115、116的范圍為0.05?34000μπιο
[0080]根據示例性實施例，111、112的范圍為1.8?954111，113、114、115、116的范圍為4.8?1654mD
[0081]根據示例性實施例，所述第一沉積壁到所述第八沉積壁中的每一個的高度的范圍為0.07?45000ym。
[0082]根據示例性實施例，所述第一沉積壁到所述第八沉積壁中的每一個的高度的范圍為5.4?346ym。
[0083]根據本發(fā)明實施例的以上第一到第三方面，由于不需要使用要求與基板的精確對準的精細金屬掩模板，即使當母板玻璃的尺寸為第六代以上時，也可以容易地且精確地沉積OLED器件的各子像素材料(特別地，有機發(fā)光層)而形成像素區(qū)域。
【附圖說明】
[0084]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0085]圖1是根據本發(fā)明的一個實施例在進行沉積以提供對OLED器件的像素布圖期間可以用作嵌入掩膜的沉積掩膜的形狀的立體示意圖；
[0086]圖2是根據本發(fā)明的另一實施例在進行沉積以提供對OLED器件的像素布圖期間可以用作嵌入掩膜的沉積掩膜的形狀的立體示意圖；
[0087]圖3是根據本發(fā)明的實施例在傾斜角α?下從第一子像素材料源沉積第一子像素區(qū)的材料的不意圖；
[0088]圖4是根據本發(fā)明的實施例在傾斜角α2下從第二子像素材料源沉積第二子像素區(qū)的材料的不意圖；
[0089]圖5是示出在從第一子像素材料源沉積第一子像素區(qū)的材料期間第三子像素區(qū)受到保護的示意圖；
[0090]圖6是示出在從第二子像素材料源沉積第二子像素區(qū)的材料期間第三子像素區(qū)受到保護的示意圖；
[0091]圖7是根據本發(fā)明的實施例在傾斜角α3下從第三子像素材料源沉積第三子像素區(qū)的材料的不意圖；
[0092]圖8是根據本發(fā)明的實施例在傾斜角α4下從第四子像素材料源沉積第四子像素區(qū)的材料的不意圖；
[0093]圖9是根據本發(fā)明的一個實施例在沉積完成后的由三個子像素區(qū)形成的像素區(qū)域的平面圖；
[0094]圖10是根據本發(fā)明的另一實施例在沉積完成后的由四個子像素區(qū)形成的像素區(qū)域的平面圖；
[0095]圖11是根據本發(fā)明的再一實施例在沉積完成后的由四個子像素區(qū)形成的像素區(qū)域的平面圖；
[0096]圖12Α是根據本發(fā)明的一個實施例在沉積完成后的顯示面板上的像素陣列的平面圖，其中每個像素區(qū)域由三個子像素區(qū)形成；
[0097]圖12B是根據本發(fā)明的另一實施例在沉積完成后的顯示面板上的像素陣列的平面圖，其中每個像素區(qū)域由四個子像素區(qū)形成；以及
[0098]圖12C是根據本發(fā)明的再一實施例在沉積完成后的顯示面板上的像素陣列的平面圖，其中每個像素區(qū)域由四個子像素區(qū)形成。
【具體實施方式】
[0099]為使本發(fā)明實施例的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0100]另外，術語“第一”、“第二”等僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性、或者固定相應部件的相對位置、或者隱含指明所指示的技術特征的數量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隱含地包括一個或者更多個該特征。
[0101]下面參照圖1一 12對本發(fā)明的示例性實施例進行說明。
[0102]如圖1-8所示，在OLED器件的有機材料沉積之前，通過例如旋涂和隨后的光刻蝕刻在諸如TFT面板的基板頂上形成沉積掩膜。沉積掩膜被形成為使得在像素區(qū)域周圍形成沉積壁，如圖1和2所示。即，在基板上形成包圍每個像素區(qū)域的圖案化的沉積掩膜。具體而言，該沉積掩膜包括在第一方向上相距第一距離L1、相對且平行設置的成對的第一沉積壁101和第二沉積壁201，在與第一方向相交的第二方向上相距第二距離L2、相對且平行設置的成對的第三沉積壁301和第四沉積壁401，以及在第一方向上相距第三距離L3、相對且平行設置的成對的第五沉積壁501和第六沉積壁601。
[0103]在相關附圖中，使用實線雙箭頭表示第一方向，并使用虛線雙箭頭表示與第一方向相交的第二方向。
[0104]第一方向可以與第二方向成任何角度。在一個示例性實施例中，第一方向與第二方向正交。
[0105]本領域技術人員公知，像素是在圖案化的發(fā)光顯示器結構中能夠發(fā)射光的重復單元。每個像素可以由一個或多個子像素構成。例如，在全色器件中，每個像素可以由三個或更多個子像素構成。
[0106]在如圖1所示的一個示例性實施例中，所形成的沉積掩膜包圍每個像素區(qū)域，并且每個像素區(qū)域包括將要在接下來的步驟中形成的三個子像素區(qū)I?3。
[0107]在如圖2所示的一個示例性實施例中，所形成的沉積掩膜包圍每個像素區(qū)域，并且每個像素區(qū)域包括將要在接下來的步驟中形成的四個子像素區(qū)I?4。
[0108]沉積掩膜可以由光敏材料形成。在示例性實施例中，沉積掩膜可以由光致抗蝕劑形成。利用光致抗蝕劑形成沉積掩膜，可以使用成熟的光刻工藝將沉積掩膜層形成為具有所需的圖案。
[0109]在示例性實施例中，沉積掩膜的材料可以選自光敏性聚酰亞胺、聚丙烯酸酯、酚醛樹脂、環(huán)氧樹脂中的一種或多種。舉例而言，光敏性聚酰亞胺可以為聚甲基戊二酰亞胺(PMGI)、由Toray制造的PW-1000、PW-1200、PW-1500等。
[0110]所述基板可以為任何適合制造OLED器件的基板。在示例性實施例中，所述基板可以為TFT面板。
[0111]在基板上形成包圍每個像素區(qū)域的圖案化的沉積掩膜之后，如圖3-7所示，沿第一方向面向第二沉積壁201以角度α?將來自第一材料源102的第一子像素材料傾斜沉積到與第二沉積壁201相鄰的第一子像素區(qū)1(圖3)，沿第一方向面向第一沉積壁101以角度α2將來自第二材料源202的第二子像素材料傾斜沉積到與第一沉積壁101相鄰的第二子像素區(qū)2(圖4)，沿第二方向面向第四沉積壁401以角度α3將來自第三材料源302的第三子像素材料傾斜沉積到與第四沉積壁401相鄰的第三子像素區(qū)3，其中α1、α2、α3分別為第一、第二、第三子像素材料的沉積方向與基板所成的角度并且都大于O度且小于90度，第一、第二、第三子像素材料彼此不同。
[0112]如圖3所示，沿第一方向面向第二沉積壁201以角度α?將來自第一材料源102的第一子像素材料傾斜沉積到第一子像素區(qū)I。在來自第一材料源102的材料的沉積期間，沉積壁101在沉積壁101與沉積壁201之間形成被遮擋的區(qū)域，但沉積壁101的高度被選擇為使得應沉積第一子像素材料的區(qū)域(第一子像素區(qū)I)未被遮蓋，從而僅在與第二沉積壁201相鄰的第一子像素區(qū)I中沉積第一子像素材料。該被遮擋的區(qū)域與第一沉積壁101相鄰。第一沉積壁101的高度為hi，第一沉積壁101和第二沉積壁201相距的距離為LI，第一子像素區(qū)I的沿第一方向的寬度為bl。第一沉積壁101的高度hi可以使用下式(I)計算。
[0113]hi = (Ll_bl)Xtan(al)…(I)
[0114]如圖4所示，沿第一方向面向第一沉積壁101以角度a2將來自第二材料源202的第二子像素材料傾斜沉積到第二子像素區(qū)2。在來自第二材料源202的材料的沉積期間，沉積壁201在沉積壁201與沉積壁101之間形成被遮擋的區(qū)域，但沉積壁201的高度被選擇為使得應沉積第二子像素材料的區(qū)域(第二子像素區(qū)2)未被遮蓋，從而僅在與第一沉積壁101相鄰的第二子像素區(qū)2中沉積第二子像素材料。該被遮擋的區(qū)域與第二沉積壁201相鄰。第二沉積壁201的高度為h2，第一沉積壁101和第二沉積壁201相距的距離為LI，第二子像素區(qū)2的沿第一方向的寬度為b2。第二沉積壁201的高度h2可以使用下式(2)計算。
[0115]h2 = (Ll_b2) Xtan(a2)."(2)
[0116]如圖5所示，在從第一材料源102沉積第一子像素區(qū)I的材料(S卩，第一子像素材料)的期間，第五沉積壁501和第六沉積壁601保護第三子像素區(qū)3 ο第五沉積壁501和第六沉積壁601相距第三距離L3，其高度分別為h5和h6。從圖5可以看出，為了確保第三子像素區(qū)3在第一子像素材料的沉積期間受到保護而不在第三子像素區(qū)3上沉積任何材料，第五沉積壁501的高度h5需要滿足以下關系式(3)。
[0117]h5>L3Xtan(al)."(3)
[0118]如圖6所示，在從第二材料源202沉積第二子像素區(qū)2的材料(S卩，第二子像素材料)的期間，第五沉積壁501和第六沉積壁601保護第三子像素區(qū)3。從圖6可以看出，為了確保第三子像素區(qū)3在第二子像素材料的沉積期間受到保護而不在第三子像素區(qū)3上沉積任何材料，第六沉積壁601的高度h6需要滿足以下關系式(4)。
[0119]h6>L3Xtan(a2)---(4)
[0120]如圖7所示，沿第二方向面向第四沉積壁401以角度a3將來自第三材料源302的第三子像素材料傾斜沉積到第三子像素區(qū)3。在來自第三材料源302的材料的沉積期間，沉積壁301在沉積壁301與沉積壁401之間形成被遮擋的區(qū)域，但沉積壁301的高度被選擇為使得應沉積第三子像素材料的區(qū)域(第三子像素區(qū)3)未被遮蓋，從而僅在與第四沉積壁401相鄰的第三子像素區(qū)3中沉積第三子像素材料。該被遮擋的區(qū)域與第三沉積壁301相鄰。第三沉積壁301的高度為h3，第三沉積壁301和第四沉積壁401相距的距離為L2，第三子像素區(qū)3的沿第二方向的寬度為b3。第三沉積壁301的高度h3可以使用下式(5)計算。
[0121]h3 = (L2_b3) Xtan(a3)."(5)
[0122]圖3-7所示例的實施例中，首先形成第一子像素區(qū)I，然后形成第二子像素區(qū)2，最后形成第三子像素區(qū)3。然而，本發(fā)明并不限制各子像素的形成順序，可以根據實際情況調整各子像素的形成順序。
[0123]用于形成各子像素區(qū)I?3的傾斜角度可以根據實際需要來確定。
[0124]在一個示例性實施例中，上述傾斜角al、a2、a3可以彼此不相等。在另一個示例性實施例中，上述al、a2、a3中至少兩者彼此相等。這樣，可以根據像素設計以及具體的工藝條件和需要來調整al、a2、a3中的每一個，這可以更靈活地實現子像素材料的沉積。
[0125]在特定實施例中，上述al、a2、a3可以彼此相等。在這種情況下，在沉積完一種像素材料、準備沉積下一種子像素材料時，可以僅使材料容器或基板相對旋轉，以固定的同一角度α沉積各子像素材料，從而簡化生產工藝。
[0126]在圖1所示的示例性實施例中，使用常規(guī)三個子像素設計，其中三個子像素被沉積壁101、201、301、401、501和601包圍，這三個子像素形成一個像素。例如，每個子像素可以為藍色、紅色或綠色。此外，一個像素也可以由四個子像素形成。圖2所示的示例性實施例中，四個子像素被沉積壁101、201、301、401、501和601包圍，這四個子像素形成一個像素。可以基于具體的顯示設計來選擇每個子像素的位置和尺寸。
[0127]如圖8所示，當一個像素由四個子像素形成時，可以沿第二方向面向第三沉積壁301以角度a4將來自第四材料源402的第四子像素材料傾斜沉積到第四子像素區(qū)4。在來自第四材料源402的材料的沉積期間，沉積壁401在沉積壁301與沉積壁401之間形成被遮擋的區(qū)域，但沉積壁401的高度被選擇為使得應沉積第四子像素材料的區(qū)域(第四子像素區(qū)4)未被遮蓋，從而僅在與第三沉積壁301相鄰的第四子像素區(qū)4中沉積第四子像素材料。該被遮擋的區(qū)域與第四沉積壁401相鄰。第四沉積壁401的高度為h4，第三沉積壁301和第四沉積壁401相距的距離為L2，第四子像素區(qū)4的沿第二方向的寬度為b4。第四沉積壁401的高度h4可以使用下式(6)計算。
[0128]h4=(L2_b4)Xtan(a4)."(6)
[0129]在一個示例性實施例中，第四子像素材料可以與第一至第三子像素材料都不同。例如，該實施例可以被應用于其中包括R(紅色)、G(綠色)、B(藍色)、W(白色)四個子像素的RGBW像素布局中，或者應用于其他需要四個子像素的像素布局中。
[0130]在一個示例性實施例中，第四子像素材料可以與其他三個子像素材料之一相同，例如，可以與第三子像素材料相同。從而，可以根據需要進行各種參數的補償。
[0131]在一個示例性實施例中，€(4與€[1、€[2、€[3、€[4中任一者都不相等。
[0132]在另一個示例性實施例中，a4與al、a2、a3中至少一者相等。
[0133]在圖1所示例的實施例和圖2所示例的實施例中，第五沉積壁501的高度h5和第六沉積壁601的高度h6大于第一沉積壁的高度hi和第二沉積壁的高度h2，并且，第一沉積壁1I與第五沉積壁501具有位于同一平面內的內側壁，第二沉積壁201與第六沉積壁601具有位于同一平面內的內側壁。
[0134]圖9是根據圖1所示例的實施例在沉積完成后的像素的平面圖；圖10是根據圖2所示例的實施例在沉積完成后的像素的平面圖。
[0135]如圖9所示，在沉積完成后，子像素區(qū)1、2、3形成矩形像素區(qū)。如圖10所示，子像素區(qū)1、2、3、4也形成矩形像素區(qū)。四個子像素區(qū)可以彼此不同，或者可以使其中的兩者相同。例如，在四子像素布圖中，每個像素可以具有子像素區(qū)1、子像素區(qū)2和兩個子像素區(qū)3(此時子像素區(qū)4的材料被子像素區(qū)3的材料替代)。
[0136]下面結合圖11描述本發(fā)明的另一個示例性實施例。在圖11中，沉積壁用粗實線表不O
[0137]如圖11所示，所述沉積掩膜可以包括兩對第五沉積壁501和第六沉積壁601，第五沉積壁501和第六沉積壁601的第一對以及第五沉積壁501和第六沉積壁601的第二對分別位于成對的第一沉積壁101和第二沉積壁201的相反兩側。所述沉積掩膜還包括在第二方向上相距第四距離L4、相對且平行設置的兩對第七沉積壁701和第八沉積壁801，第七沉積壁701和第八沉積壁801的第一對以及第七沉積壁701和第八沉積壁801的第二對分別位于成對的第三沉積壁301和第四沉積壁401的相反兩側。
[0138]在圖11所示的實施例中，與圖1和圖2所示的實施例相似地，第一到第六沉積壁的高度同樣要滿足上述關系式(I)?(6)。此外，當以角度α3傾斜沉積第三子像素區(qū)3的第三子像素材料時，第七沉積壁701的高度h7需要被設計為完全遮擋第三子像素材料；同樣，當以角度α4傾斜沉積第四子像素區(qū)4的第四子像素材料時，第八沉積壁801的高度h8需要被設計為完全遮擋第四子像素材料。通過與前面針對第五沉積壁和第六沉積壁(圖5和圖6)的相似的分析，可以確定，第七沉積壁101的高度h7和第八沉積壁802的高度h8需要滿足以下關系式⑴和(8)。
[0139]h7>L4Xtan(a3)---(7)
[0140]h8>L4Xtan(a4)---(8)
[0141]如圖11所示，第一沉積壁101相對于第五沉積壁501沿第一方向向像素區(qū)域的外側偏移第二子像素區(qū)2的寬度b2，第二沉積壁201相對于第六沉積壁601沿第一方向向像素區(qū)域的外側偏移第一子像素區(qū)I的寬度bl，第三沉積壁301相對于第七沉積壁701沿第二方向向像素區(qū)域的外側偏移第四子像素區(qū)4的寬度b4，第四沉積壁401相對于第八沉積壁801沿第二方向向像素區(qū)域的外側偏移第三子像素3的寬度b3。
[0142]在此，“內側”和“外側”是相對于OLED器件的每個相應像素區(qū)域的內側和外側。
[0143]此外，需要指出的是，在本發(fā)明的附圖1、2、9?11中，為了清楚起見，各子像素區(qū)與沉積掩膜的各相應沉積壁的內側壁之間繪制有間隔，但實際上，各子像素區(qū)與沉積掩膜的各相應沉積壁的內側壁之間可以如圖3、4、7、8所繪制的那樣沒有間隔。
[0144]在圖11所示的實施例中，第一到第八沉積壁可以根據具體的需要而設計其高度。第一到第八沉積壁的高度可以彼此不同，也可以至少兩者相同。
[0145]在特定實施例中，第一沉積壁到第八沉積壁具有相同的高度。在該實施例中，所有沉積壁具有相同高度，這使得沉積掩膜的形成工藝更加簡單，從而降低生產成本。
[0146]在所有的子像素區(qū)的沉積完成后，可以使用粘性的粘合劑材料或其他手段從基板去除沉積掩膜。例如，可以在沉積掩膜的頂部施加粘合劑膜，然后向上將粘合劑膜與沉積掩膜一起移除，從而使沉積掩膜同時從基板分離。但本發(fā)明并不限于此，在最終形成的OLED器件或OLED面板中，沉積掩膜也可以被保留。
[0147]圖12A是示出在去除沉積掩膜之后，在圖9所示的實施例中形成的位于顯示面板上的各子像素圖案的平面圖。在沉積所有的子像素材料之后，該圖案化的顯示區(qū)域包含多個像素，每個像素包括三個子像素。
[0148]這里，需要注意，圖12A中各像素周邊的虛線僅僅是為了區(qū)分各像素區(qū)域，并不一定代表沉積壁。
[0149]圖12B是示出在去除沉積掩膜之后，在圖10所示的實施例中形成的位于顯示面板上的各子像素圖案的平面圖。在沉積所有的子像素材料之后，該圖案化的顯示區(qū)域包含多個像素，每個像素包括四個子像素。
[0150]這里，需要注意，圖12B中各像素周邊的虛線僅僅是為了區(qū)分各像素區(qū)域，并不一定代表沉積壁。
[0151]圖12C是示出在去除沉積掩膜之后，在圖11所示的實施例中形成的位于顯示面板上的各子像素圖案的平面圖。在沉積所有的子像素材料之后，該圖案化的顯示區(qū)域包含多個像素，每個像素包括四個子像素。
[0152]這里，需要注意，圖12C中各子像素周邊的實線僅僅是為了區(qū)分各子像素區(qū)域，并不代表沉積壁。
[0153]在本發(fā)明實施例中，第一到第四子像素材料可以為OLED的有機發(fā)光層材料，或者也可以是在頂發(fā)射型OLED器件中為每個顏色提供所需的微腔長度的層。
[0154]對沉積掩膜的各沉積壁的厚度和長度沒有特別的限制，可以根據具體的像素設計而設定沉積壁的厚度和長度。
[0155]本發(fā)明實施例還提供了一種用于OLED的像素布圖的掩膜結構。該掩膜結構可以在上述對OLED器件進行像素布圖的方法中使用。
[0156]具體地，如圖1-11所示，該掩膜結構包括位于基板上的包圍每個像素區(qū)域的圖案化的沉積掩膜，所述沉積掩膜包括:在第一方向上相距第一距離L1、相對且平行設置的成對的第一沉積壁101和第二沉積壁201，與第一方向相交的第二方向上相距第二距離L2、相對且平行設置的成對的第三沉積壁301和第四沉積壁401，以及在第一方向上相距第三距離L3、相對且平行設置的成對的第五沉積壁501和第六沉積壁601。
[0157]如圖1、2、9?11所示，所述像素布圖包括與第二沉積壁201相鄰的第一子像素區(qū)1、與第一沉積壁101相鄰的第二子像素區(qū)2以及與第四沉積壁401相鄰的第三子像素區(qū)3。如圖3和4所示，在沿第一方向切割而得到的切面中，從第一子像素區(qū)I的內側邊緣到第一沉積壁101的頂部的連線與基板成角度α?，從第二子像素區(qū)2的內側邊緣到第二沉積壁201的頂部的連線與基板成角度α2。如圖所示，在沿第二方向切割而得到的切面中，從第三子像素區(qū)3的內側邊緣到第三沉積壁301的頂部的連線與基板成角度(^3^142^3都大于O度且小于90度。
[0158]如上面詳細描述的以及如圖3?7所示，第一到第六沉積壁的高度分別為h1、h2、113、114、115、116，第一子像素區(qū)1和第二子像素區(qū)2的沿第一方向的寬度分別為131和&2，第三子像素區(qū)3的沿第二方向的寬度為b3，則滿足以下關系:
[0159]hi = (Ll_bl)Xtan(al);
[0160]h2 = (Ll-b2)Xtan(a2)；
[0161]h3 = (L2-b3)Xtan(a3)；
[0162]h5>L3Xtan(al)；
[0163]h6>L3Xtan(a2)0
[0164]根據示例性實施例，如圖2、8、10、11所示，所述像素布圖可以還包括與第三沉積壁301相鄰的第四子像素區(qū)4。如圖8所示，在沿第二方向切割而得到的切面中，從第四子像素區(qū)4的內側邊緣到第四沉積壁401的頂部的連線與基板成角度a4，其中a4大于O度且小于90度。第四子像素區(qū)4的沿第二方向的寬度為b4，則滿足以下關系:
[0165]h4= (L2_b4) X tan(a4)。
[0166]根據示例性實施例，al、a2、a3彼此不相等。
[0167]根據示例性實施例，al、a2、a3中至少兩者彼此相等。
[0168]根據示例性實施例，€(4與€[1、€[2、€[3、€[4中任一者都不相等。
[0169]根據示例性實施例，a4與al、a2、a3中至少一者相等。
[0170]根據示例性實施例，如圖1、2、9、10所示，第五沉積壁501的高度h5和第六沉積壁601的高度h6大于第一沉積壁101的高度hi和第二沉積壁102的高度h2，第一沉積壁101與第五沉積壁501具有位于同一平面內的內側壁，第二沉積壁201與第六沉積壁601具有位于同一平面內的內側壁。
[0171 ] 根據示例性實施例，如圖11所示，沉積掩膜可以包括兩對第五沉積壁501和第六沉積壁601，第五沉積壁501和第六沉積壁601的第一對以及第五沉積壁501和第六沉積壁601的第二對分別位于成對的第一沉積壁101和第二沉積壁201的相反兩側。沉積掩膜可以還包括在第二方向上相距第四距離L4、相對且平行設置的兩對第七沉積壁701和第八沉積壁801。第七沉積壁701和第八沉積壁801的第一對以及第七沉積壁701和第八沉積壁801的第二對分別位于成對的第三沉積壁301和第四沉積壁401的相反兩側。
[0172]為了在第三和第四像素區(qū)的沉積期間不在第一和第二像素區(qū)中沉積任何材料，第七沉積壁701的高度h7和第八沉積壁801的高度h8需要滿足以下關系:
[0173]h7>L4Xtan(a3);
[0174]h8>L4Xtan(a4)0
[0175]如圖11所示，第一沉積壁101可以相對于第五沉積壁501沿第一方向向像素區(qū)域的外側偏移第二子像素區(qū)2的寬度b2，第二沉積壁201可以相對于第六沉積壁601沿第一方向向像素區(qū)域的外側偏移第一子像素區(qū)I的寬度bl，第三沉積壁301可以相對于第七沉積壁701沿第二方向向像素區(qū)域的外側偏移第四子像素區(qū)4的寬度b4，第四沉積壁401可以相對于第八沉積壁801沿第二方向向像素區(qū)域的外側偏移第三子像素3的寬度b3。
[0176]根據示例性實施例，第一沉積壁到第八沉積壁可以具有相同的高度。
[0177]根據示例性實施例，第一方向可以與第二方向正交。
[0178]根據示例性實施例，沉積掩膜可以由光致抗蝕劑材料形成。
[0179]根據示例性實施例，沉積掩膜的材料可以選自光敏性聚酰亞胺、聚丙烯酸酯、酚醛樹脂、環(huán)氧樹脂中的一種或多種。
[0180]根據示例性實施例，基板可以為TFT面板。
[0181]如圖1、2、9?11、12A-12C所示，本發(fā)明實施例的OLED面板所包括的像素結構包括第一到第三子像素區(qū)I?3，第一子像素區(qū)I和第二子像素區(qū)2在第一方向上對齊且都沿與第一方向相交的第二方向彼此平行地延伸，第三子像素區(qū)3位于第一和第二子像素區(qū)的在第二方向上的一端且沿第一方向延伸。
[0182]根據本發(fā)明實施例的像素結構可以在不利用要求精確對準的掩模板的情況下形成。
[0183]根據示例性實施例，如圖2、10、11、12B、12C所示，該像素結構可以還包括第四子像素區(qū)4，其位于第一和第二子像素區(qū)的在第二方向上的另一端且沿第一方向延伸，第三子像素區(qū)3和第四子像素區(qū)4在第二方向上彼此對齊。
[0184]根據示例性實施例，第四子像素區(qū)4的材料可以與第一到第三子像素區(qū)之一的材料相同。例如，第四子像素區(qū)4的材料可以與第三子像素區(qū)3的材料相同。
[0185]根據示例性實施例，如圖1、2、9、10所示，第三子像素區(qū)3的在第一方向上的兩個邊可以分別與第一子像素區(qū)I和第二子像素區(qū)2的在第一方向上的外側邊對齊。
[0186]根據示例性實施例，如圖2、10所示，第四子像素區(qū)4的在第一方向上的兩個邊可以分別與第一到第三子像素區(qū)的在第一方向上的外側邊對齊。
[0187]根據示例性實施例，如圖11、12C所示，第三子像素區(qū)3的在第二方向上的外側邊和第四子像素區(qū)4在第二方向上的外側邊可以分別相對于成對的第一子像素區(qū)I和第二子像素區(qū)2的在第二方向上的兩個外側邊向外偏移第三子像素區(qū)3的寬度和第四子像素區(qū)4的寬度，并且第一子像素區(qū)I的在第一方向上的外側邊和第二子像素區(qū)2的在第一方向上的外側邊分別相對于成對的第三子像素區(qū)3和第四子像素區(qū)4的在第一方向上的兩個外側邊向外偏移第一子像素區(qū)I的寬度和第二子像素區(qū)2的寬度。
[0188]根據示例性實施例，第一方向可以與第二方向正交。
[0189]根據示例性實施例，第一到第四子像素區(qū)的材料可以為OLED的有機發(fā)光層材料。
[0190]在本說明書中，典型的子像素區(qū)可以具有范圍為I?200μπι的寬度b，其中優(yōu)選范圍為5?50μηι，優(yōu)選值為15μηι。
[O191 ]沉積角α可以具有I?89度的范圍，優(yōu)選范圍為15?60度，優(yōu)選值為30度。
[0192]沉積壁101和201之間的距離LI可以等于沉積壁501和601之間的距離L3，可以在2?400μηι的范圍內，優(yōu)選范圍為12?105μηι，優(yōu)選值為35μηι;沉積壁301和401之間的距離L2可以在3?600μηι的范圍內，優(yōu)選范圍為18?160μηι，優(yōu)選值為50μηι。
[0193]基于上述數值或數值范圍以及上述各式(1)-(8)，沉積壁高度hl、h2可以具有0.02?ΙΟΟΟΟμηι的范圍，優(yōu)選范圍為1.8?95μηι，優(yōu)選值為Ι?μπι;沉積壁高度h3、h4、h5、h6可以具有0.05?34000μηι的范圍，優(yōu)選范圍為4.8?165μηι，優(yōu)選值為20μηι。
[0194]以上值對于圖9所代表的布圖是適用的。對于圖10所代表的布圖，L2、L4的優(yōu)選值可以為65μηι，而h3、h4、h5、h6的優(yōu)選值可以為37μηι，其余的值和范圍可以與圖9所代表的布圖適用的值和范圍相同。
[0195]對于圖11所表示的布圖，像素寬度和沉積角與上述分別相同，而L1、L2、L3、L4可以具有4?800μηι的范圍，優(yōu)選范圍為20?200μηι，優(yōu)選值為60μηι;所有的第一到第八沉積壁可以具有相同高度，該高度在0.07?45000μπι的范圍內，優(yōu)選范圍為5.4?346μπι，優(yōu)選值為34μmD
[0196]然而，需要說明的是，這里給出的各參數的范圍僅僅是示例性的，并不旨在限制本發(fā)明。本領域技術人員可以根據實際需要對上述范圍和數值進行適當的修改。
[0197]根據本發(fā)明實施例，由于不需要使用要求與基板精確對準的精細金屬掩模板，SP使當母板玻璃的尺寸為第六代以上時，也可以容易地且精確地沉積各子像素材料(特別地，有機發(fā)光層)而形成像素區(qū)域。
[0198]本發(fā)明的說明書中，說明了大量具體細節(jié)。然而，能夠理解，本發(fā)明的實施例可以在沒有這些具體細節(jié)的情況下實踐。在一些實例中，并未詳細示出公知的方法、結構和技術，以便不模糊對本說明書的理解。
[0199]最后應說明的是:以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術方案，而非對其限制;盡管參照前述實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解:其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分技術特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應技術方案的本質脫離本發(fā)明各實施例技術方案的精神和范圍。
【主權項】
1.一種OLED面板，包括像素結構，其特征在于所述像素結構包括: 第一到第三子像素區(qū)(I，2，3)，第一子像素區(qū)(I)和第二子像素區(qū)(2)在第一方向上對齊且都沿與第一方向相交的第二方向彼此平行地延伸，第三子像素區(qū)(3)位于第一和第二子像素區(qū)(I，2)的在第二方向上的一端且沿第一方向延伸。2.根據權利要求1所述的OLED面板，其特征在于所述像素結構還包括: 第四子像素區(qū)(4)，其位于第一和第二子像素區(qū)(I，2)的在第二方向上的另一端且沿第一方向延伸，所述第三子像素區(qū)(3)和所述第四子像素區(qū)(4)在第二方向上彼此對齊。3.根據權利要求1或2所述的OLED面板，其特征在于 所述第三子像素區(qū)(3)的在第一方向上的兩個邊分別與第一子像素區(qū)(I)和第二子像素區(qū)(2)的在第一方向上的外側邊對齊。4.根據權利要求2所述的OLED面板，其特征在于 所述第四子像素區(qū)(4)的在第一方向上的兩個邊分別與第一到第三子像素區(qū)(I，2，3)的在第一方向上的外側邊對齊。5.根據權利要求2所述的OLED面板，其特征在于 所述第三子像素區(qū)(3)的在第二方向上的外側邊和所述第四子像素區(qū)(4)的在第二方向上的外側邊分別相對于成對的第一子像素區(qū)(I)和第二子像素區(qū)(2)的在第二方向上的兩個外側邊向外偏移所述第三子像素區(qū)(3)的寬度和所述第四子像素區(qū)(4)的寬度，并且第一子像素區(qū)(I)的在第一方向上的外側邊和所述第二子像素區(qū)(2)的在第一方向上的外側邊分別相對于成對的第三子像素區(qū)(3)和第四子像素區(qū)(4)的在第一方向上的兩個外側邊向外偏移所述第一子像素區(qū)(I)的寬度和所述第二子像素區(qū)(2)的寬度。6.根據權利要求1或2所述的OLED面板，其特征在于還包括: 包圍所述像素結構的圖案化的沉積掩膜，所述沉積掩膜包括在第一方向上相對設置的成對的第一沉積壁(101)和第二沉積壁(201 )，在與第一方向相交的第二方向上相對設置的成對的第三沉積壁(301)和第四沉積壁(401)，以及在第一方向上相對設置的成對的第五沉積壁(501)和第六沉積壁(601)，其中 所述第一子像素區(qū)(I)與所述第二沉積壁(201)相鄰，所述第二子像素區(qū)(2)與所述第一沉積壁(101)相鄰，第三子像素區(qū)(3)與所述第四沉積壁(401)相鄰。7.根據權利要求6所述的OLED面板，其特征在于 所述第一沉積壁(101)和所述第二沉積壁(201)在第一方向上相距第一距離LI，所述第三沉積壁(301)和所述第四沉積壁(401)在第二方向上相距第二距離L2，所述第五沉積壁(501)和所述第六沉積壁(601)在第一方向上相距第三距離L3， 在沿所述第一方向切割而得到的切面中，從所述第一子像素區(qū)(I)的內側邊緣到所述第一沉積壁(101)的頂部的連線與所述基板成角度α?，從所述第二子像素區(qū)(2)的內側邊緣到所述第二沉積壁(201)的頂部的連線與所述基板成角度α2，并且在沿所述第二方向切割而得到的切面中，從所述第三子像素區(qū)(3)的內側邊緣到所述第三沉積壁(301)的頂部的連線與所述基板成角度α3，其中α1、α2、α3都大于O度且小于90度，并且 其中，第一到第六沉積壁的高度分別為h1、h2、h3、h4、h5、h6，則滿足以下關系: h5>L3Xtan(al)； h6>L3Xtan(a2)。8.根據權利要求7所述的OLED面板，其特征在于 所述沉積掩膜包括兩對第五沉積壁(501)和第六沉積壁(601)，所述第五沉積壁(501)和所述第六沉積壁(601)的第一對以及所述第五沉積壁(501)和所述第六沉積壁(601)的第二對分別位于成對的所述第一沉積壁和所述第二沉積壁的相反兩側，所述沉積掩膜還包括在第二方向上相距第四距離L4、相對設置的兩對第七沉積壁(701)和第八沉積壁(801)，所述第七沉積壁(701)和所述第八沉積壁(801)的第一對以及第七沉積壁(701)和所述第八沉積壁(801)的第二對分別位于成對的所述第三沉積壁和所述第四沉積壁的相反兩側， 第七沉積壁和第八沉積壁的高度分別為h7和h8，滿足以下關系: h7>L4Xtan(a3)； h8>L4Xtan(a4)， 其中，所述第一沉積壁(101)相對于所述第五沉積壁(501)沿所述第一方向向所述像素區(qū)域的外側偏移第二子像素區(qū)(2)的寬度b2，所述第二沉積壁(201)相對于所述第六沉積壁(501)沿所述第一方向向所述像素區(qū)域的外側偏移第一子像素區(qū)(I)的寬度bl，所述第三沉積壁(301)相對于所述第七沉積壁(701)沿所述第二方向向所述像素區(qū)域的外側偏移第四子像素區(qū)(4)的寬度b4，所述第四沉積壁(401)相對于所述第八沉積壁(801)沿所述第二方向向所述像素區(qū)域的外側偏移第三子像素區(qū)(3)的寬度b3。9.根據權利要求8所述的OLED面板，其特征在于，所述第一沉積壁到所述第八沉積壁具有相同的高度。10.根據權利要求7所述的OLED面板，其特征在于， 111、112的范圍為0.02?1000(^111，113、114、115、116的范圍為0.05?3400(^111。11.根據權利要求10所述的OLED面板，其特征在于， h1、h2的范圍為I.8?954!11，]13、]14、]15、]16的范圍為4.8?165ym。12.根據權利要求9所述的掩膜結構，其特征在于， 所述第一沉積壁到所述第八沉積壁中的每一個的高度的范圍為0.07?45000μπι。13.根據權利要求12所述的掩膜結構，其特征在于， 所述第一沉積壁到所述第八沉積壁中的每一個的高度的范圍為5.4?346μπι。14.一種OLED器件制作方法，其特征在于包括: 在基板上形成包圍每個像素區(qū)域的圖案化的沉積掩膜，所述沉積掩膜包括在第一方向上相對設置的成對的第一沉積壁(101)和第二沉積壁(201)，在與第一方向相交的第二方向上相對設置的成對的第三沉積壁(301)和第四沉積壁(401)，以及在第一方向上相對設置的成對的第五沉積壁(501)和第六沉積壁(601);以及 沿第一方向面向所述第二沉積壁(201)將第一子像素材料傾斜沉積到與所述第二沉積壁(201)相鄰的第一子像素區(qū)(I)，沿第一方向面向所述第一沉積壁(101)將第二子像素材料傾斜沉積到與所述第一沉積壁(101)相鄰的第二子像素區(qū)(2)，沿第二方向面向所述第四沉積壁(401)將第三子像素材料傾斜沉積到與所述第四沉積壁(401)相鄰的第三子像素區(qū)⑶。15.根據權利要求14所述的OLED器件制作方法，其特征在于還包括 沿第二方向面向所述第三沉積壁(301)將第四子像素材料傾斜沉積到與所述第三沉積壁(301)相鄰的第四子像素區(qū)(4)。16.根據權利要求14或15所述的OLED器件制作方法，其特征在于 所述第一沉積壁(101)和所述第二沉積壁(201)在第一方向上相距第一距離LI，所述第三沉積壁(301)和所述第四沉積壁(401)在第二方向上相距第二距離L2，所述第五沉積壁(501)和所述第六沉積壁(601)在第一方向上相距第三距離L3， 所述第一、第二、第三子像素材料的傾斜沉積角分別為α 1、α2、α3，其中α 1、α2、α3分別為第一、第二、第三子像素材料的沉積方向與所述基板所成的角度并且都大于O度且小于90度， 第一到第六沉積壁的高度分別為h 1、h2、h3、h4、h5、h6，則滿足以下關系: h5>L3Xtan(al)； h6>L3Xtan(a2)。17.根據權利要求15所述的OLED器件制作方法，其特征在于 所述第四子像素材料的傾斜沉積角為a4，其中a4為第四子像素材料的沉積方向與所述基板所成的角度并且大于O度且小于90度。18.根據權利要求16所述的OLED器件制作方法，其特征在于，α1、α2、α3中至少兩者彼此相等。19.根據權利要求17所述的OLED器件制作方法，其特征在于，α4與al、a2、a3中至少一者相等。20.根據權利要求14或15所述的OLED器件制作方法，其特征在于， 所述第五沉積壁的高度h5和第六沉積壁的高度h6大于所述第一沉積壁的高度hi和第二沉積壁的高度h2，所述第一沉積壁與所述第五沉積壁具有位于同一平面內的內側壁，所述第二沉積壁與所述第六沉積壁具有位于同一平面內的內側壁。21.根據權利要求16所述的OLED器件制作方法，其特征在于， 所述沉積掩膜包括兩對第五沉積壁(501)和第六沉積壁(601)，所述第五沉積壁(501)和所述第六沉積壁(601)的第一對以及所述第五沉積壁(501)和所述第六沉積壁(601)的第二對分別位于成對的所述第一沉積壁和所述第二沉積壁的相反兩側，所述沉積掩膜還包括在第二方向上相距第四距離L4、相對設置的兩對第七沉積壁(701)和第八沉積壁(801)，所述第七沉積壁(701)和所述第八沉積壁(801)的第一對以及第七沉積壁(701)和所述第八沉積壁(801)的第二對分別位于成對的所述第三沉積壁(301)和所述第四沉積壁(401)的相反兩側， 第七沉積壁(701)和第八沉積壁(801)的高度分別為h7和h8，滿足以下關系: h7>L4Xtan(a3)； h8>L4Xtan(a4)， 其中，所述第一沉積壁(101)相對于所述第五沉積壁(501)沿所述第一方向向所述像素區(qū)域的外側偏移第二子像素區(qū)(2)的寬度b2，所述第二沉積壁(201)相對于所述第六沉積壁(601)沿所述第一方向向所述像素區(qū)域的外側偏移第一子像素區(qū)(I)的寬度bl，所述第三沉積壁(301)相對于所述第七沉積壁(701)沿所述第二方向向所述像素區(qū)域的外側偏移第四子像素區(qū)(4)的寬度b4，所述第四沉積壁(401)相對于所述第八沉積壁(801)沿所述第二方向向所述像素區(qū)域的外側偏移第三子像素區(qū)(3)的寬度b3。22.根據權利要求21所述的OLED器件制作方法，其特征在于，所述第一沉積壁到所述第八沉積壁具有相同的高度。23.根據權利要求14或15所述的OLED器件制作方法，其特征在于，所述沉積掩膜的材料選自光敏性聚酰亞胺、聚丙烯酸酯、酚醛樹脂、環(huán)氧樹脂中的一種或多種。24.根據權利要求16所述的OLED器件制作方法，其特征在于， 111、112的范圍為0.02?1000(^111，113、114、115、116的范圍為0.05?3400(^111。25.根據權利要求24所述的OLED器件制作方法，其特征在于， h1、h2的范圍為I.8?954!11，]13、]14、]15、]16的范圍為4.8?165ym。26.根據權利要求22所述的OLED器件制作方法，其特征在于， 所述第一沉積壁到所述第八沉積壁中的每一個的高度的范圍為0.07?45000μπι。27.根據權利要求26所述的OLED器件制作方法，其特征在于， 所述第一沉積壁到所述第八沉積壁中的每一個的高度的范圍為5.4?346μπι。28.一種用于OLED的像素布圖的掩膜結構，其特征在于包括: 位于基板上的包圍每個像素區(qū)域的圖案化的沉積掩膜，所述沉積掩膜包括在第一方向上相對設置的成對的第一沉積壁(101)和第二沉積壁(201)，與第一方向相交的第二方向上相對設置的成對的第三沉積壁(301)和第四沉積壁(401)，以及在第一方向上相對設置的成對的第五沉積壁(501)和第六沉積壁(601)， 所述像素布圖包括與所述第二沉積壁(201)相鄰的第一子像素區(qū)(I)、與所述第一沉積壁(101)相鄰的第二子像素區(qū)(2)以及與所述第四沉積壁(401)相鄰的第三子像素區(qū)(3)。29.根據權利要求28所述的掩膜結構，其特征在于 所述像素布圖包括與所述第三沉積壁(301)相鄰的第四子像素區(qū)(4)。30.根據權利要求28或29所述的掩膜結構，其特征在于， 所述第一沉積壁(101)和所述第二沉積壁(201)在第一方向上相距第一距離LI，所述第三沉積壁(301)和所述第四沉積壁(401)在第二方向上相距第二距離L2，所述第五沉積壁(501)和所述第六沉積壁(601)在第一方向上相距第三距離L3， 在沿所述第一方向切割而得到的切面中，從所述第一子像素區(qū)(I)的內側邊緣到所述第一沉積壁(101)的頂部的連線與所述基板成角度α?，從所述第二子像素區(qū)(2)的內側邊緣到所述第二沉積壁(201)的頂部的連線與所述基板成角度α2，并且在沿所述第二方向切割而得到的切面中，從所述第三子像素區(qū)(3)的內側邊緣到所述第三沉積壁(301)的頂部的連線與所述基板成角度α3，其中α1、α2、α3都大于O度且小于90度，并且 其中，第一到第六沉積壁的高度分別為h1、h2、h3、h4、h5、h6，則滿足以下關系: h5>L3Xtan(al)； h6>L3Xtan(a2)。31.根據權利要求29所述的掩膜結構，其特征在于， 在沿所述第二方向切割而得到的切面中，從所述第四子像素區(qū)(4)的內側邊緣到所述第四沉積壁(401)的頂部的連線與所述基板成角度a4，其中a4大于O度且小于90度。32.根據權利要求30或31所述的掩膜結構，其特征在于，α1、α2、α3中至少兩者彼此相等。33.根據權利要求31所述的掩膜結構，其特征在于，α4與al、a2、a3中至少一者相等。34.根據權利要求30所述的掩膜結構，其特征在于， 所述第五沉積壁的高度h5和第六沉積壁的高度h6大于所述第一沉積壁的高度hi和第二沉積壁的高度h2，所述第一沉積壁與所述第五沉積壁具有位于同一平面內的內側壁，所述第二沉積壁與所述第六沉積壁具有位于同一平面內的內側壁。35.根據權利要求30所述的掩膜結構，其特征在于， 所述沉積掩膜包括兩對第五沉積壁(501)和第六沉積壁(601)，所述第五沉積壁(501)和所述第六沉積壁(601)的第一對以及所述第五沉積壁(501)和所述第六沉積壁(601)的第二對分別位于成對的所述第一沉積壁和所述第二沉積壁的相反兩側，所述沉積掩膜還包括在第二方向上相距第四距離L4、相對設置的兩對第七沉積壁(701)和第八沉積壁(801)，所述第七沉積壁(701)和所述第八沉積壁(801)的第一對以及第七沉積壁(701)和所述第八沉積壁(801)的第二對分別位于成對的所述第三沉積壁和所述第四沉積壁的相反兩側， 第七沉積壁和第八沉積壁的高度分別為h7和h8，滿足以下關系: h7>L4Xtan(a3)； h8>L4Xtan(a4)， 其中，所述第一沉積壁(101)相對于所述第五沉積壁(501)沿所述第一方向向所述像素區(qū)域的外側偏移第二子像素區(qū)(2)的寬度b2，所述第二沉積壁(201)相對于所述第六沉積壁(501)沿所述第一方向向所述像素區(qū)域的外側偏移第一子像素區(qū)(I)的寬度bl，所述第三沉積壁(301)相對于所述第七沉積壁(701)沿所述第二方向向所述像素區(qū)域的外側偏移第四子像素區(qū)(4)的寬度b4，所述第四沉積壁(401)相對于所述第八沉積壁(801)沿所述第二方向向所述像素區(qū)域的外側偏移第三子像素區(qū)(3)的寬度b3。36.根據權利要求35所述的掩膜結構，其特征在于，所述第一沉積壁到所述第八沉積壁具有相同的高度。37.根據權利要求28或29所述的掩膜結構，其特征在于，所述沉積掩膜的材料選自光敏性聚酰亞胺、聚丙烯酸酯、酚醛樹脂、環(huán)氧樹脂中的一種或多種。38.根據權利要求30所述的掩膜結構，其特征在于， 111、112的范圍為0.02?1000(^111，113、114、115、116的范圍為0.05?3400(^111。39.根據權利要求38所述的掩膜結構，其特征在于， h1、h2的范圍為I.8?954!11，]13、]14、]15、]16的范圍為4.8?165ym。40.根據權利要求36所述的掩膜結構，其特征在于， 所述第一沉積壁到所述第八沉積壁中的每一個的高度的范圍為0.07?45000μπι。41.根據權利要求40所述的掩膜結構，其特征在于， 所述第一沉積壁到所述第八沉積壁中的每一個的高度的范圍為5.4?346μπι。
【文檔編號】C23C14/04GK105870158SQ201610390355
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2016年6月2日
【發(fā)明人】鮑里斯·克里斯塔爾
【申請人】京東方科技集團股份有限公司