基板處理裝置的制造方法
【專利摘要】根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，基板處理裝置包括：腔，提供對(duì)基板實(shí)施工序的內(nèi)部空間；基座，設(shè)置在上述內(nèi)部空間，且在上部放置上述基板；固定板，設(shè)置在沿著上述基座的周邊在上述腔的側(cè)壁形成的排氣口上，并具有多個(gè)貫通孔；及一個(gè)以上的滑動(dòng)板，設(shè)置在上述固定板的上部或下部，能夠以上述基座的中心為基準(zhǔn)旋轉(zhuǎn)，選擇性地開閉上述多個(gè)貫通孔。
【專利說(shuō)明】
基板處理裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明涉及基板處理裝置，更詳細(xì)地涉及可以利用設(shè)置于排氣口上的固定板及滑動(dòng)板來(lái)調(diào)節(jié)供給到腔的內(nèi)部空間的氣體排放的流動(dòng)路徑的基板處理裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體裝置在硅基板上具有很多層(layers)，這樣的層是通過(guò)蒸鍍工序蒸鍍?cè)诨迳?。這樣的蒸鍍工序具有幾個(gè)重要的問(wèn)題，這樣的問(wèn)題對(duì)評(píng)價(jià)所蒸鍍的膜并選擇蒸鍍方法來(lái)說(shuō)很重要。
[0003]第一個(gè)是所蒸鍍的膜的“質(zhì)量”(quality)。這表示組成(composit1n)、污染度(contaminat1n levels)、損失度(defect density)、及機(jī)械的、電的特性(mechanicaland electrical properties)。膜的組成可以根據(jù)蒸鍍條件變化，其為了得到特定的組成(specific composit1n)非常重要。
[0004]第二個(gè)是橫貫晶片的均勾的厚度(uniformthickness)。特別是，在形成有臺(tái)階的非平面形狀的圖案上部蒸鍍的膜的厚度非常重要。所蒸鍍的膜的厚度是否均勻，可以通過(guò)以蒸鍍?cè)谛纬膳_(tái)階的部分的最小厚度除以蒸鍍?cè)趫D案的上部表面的厚度的值定義的階梯覆蓋率(step coverage)來(lái)判斷。
[0005]與蒸鍍有關(guān)的另一問(wèn)題是填充空間(fillingspace)。這包括用包含氧化膜的絕緣膜填充金屬線之間的縫隙填充(gap filling)。縫隙是為了將金屬線在物理上及電性絕緣而提供的。特別是，這些問(wèn)題中均勻度是與蒸鍍工序有關(guān)的重要的一個(gè)問(wèn)題，蒸鍍工序在形成真空氣氛的工序腔內(nèi)部進(jìn)行。
[0006]基板被裝載到工序腔內(nèi)，噴頭設(shè)置在基板的上部，通過(guò)噴頭提供的工序氣體蒸鍍到基板上而形成期望的薄膜。另一方面，蒸鍍工序與排氣過(guò)程一起進(jìn)行，在排氣過(guò)程中通過(guò)蒸鍍產(chǎn)生的工序副產(chǎn)物及未反應(yīng)氣體被排出到工序腔的外部。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]技術(shù)課題
[0008]本發(fā)明的目的在于，提供一種利用側(cè)方排氣方式的基板處理裝置。
[0009]本發(fā)明的另一目的在于，提供一種能夠通過(guò)均勻的排氣來(lái)確保蒸鍍于基板上的薄膜的均勻度的基板處理裝置。
[0010]本發(fā)明的其它目的通過(guò)下面的詳細(xì)說(shuō)明和附圖會(huì)更加清楚。
[0011]課題解決方案
[0012]根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，基板處理裝置包括:腔，提供對(duì)基板實(shí)施工序的內(nèi)部空間；基座，設(shè)置在上述內(nèi)部空間，且在上部放置上述基板；固定板，設(shè)置在沿著上述基座的周邊在上述腔的側(cè)壁形成的排氣口上，并具有多個(gè)貫通孔;及一個(gè)以上的滑動(dòng)板，設(shè)置在上述固定板的上部或下部，能夠以上述基座的中心為基準(zhǔn)旋轉(zhuǎn)，選擇性地開閉上述多個(gè)貫通孔。
[0013]上述基板處理裝置還可以包括排氣板，該排氣板設(shè)置在沿著上述基座的周邊配置而在上述基座和上述排氣口之間形成的排出口上，并具備在內(nèi)表面分別形成的多個(gè)上部排氣孔及下部排氣孔。
[0014]上述固定板及上述滑動(dòng)板的上端可以配置在上述上部排氣孔的下部。
[0015]上述固定板可以具有圓環(huán)形狀，上述滑動(dòng)板以多個(gè)圓弧形狀相互分開距離配置。
[0016]上述滑動(dòng)板還可以具備:上部板，配置在上述固定板的上部，貫通形成有排出孔；及側(cè)面板，沿著上述上部板的外周面連接而可沿著上述腔的側(cè)壁移動(dòng)，并具備磁體。
[0017]上述基板處理裝置還可以包括:外殼:與上述腔的外壁分開距離設(shè)置，提供從外部遮斷的運(yùn)送路徑;遮斷板，設(shè)置在上述外殼內(nèi)，將上述運(yùn)送路徑劃分為多個(gè)運(yùn)送區(qū)間；磁鐵，分別設(shè)置在上述運(yùn)送區(qū)間，向上述側(cè)面板施加磁力而可以一起移動(dòng);彈性部件，分別設(shè)置在上述遮斷板和上述磁鐵之間，向上述磁鐵提供彈力；液壓線路，分別設(shè)置在上述運(yùn)送區(qū)間，提供液壓而使上述磁鐵可以向上述遮斷板移動(dòng)。
[0018]上述滑動(dòng)板通過(guò)上述磁鐵，可向上述貫通孔和上述排出孔在相互對(duì)應(yīng)的位置連通的開放位置及封閉上述貫通孔的遮斷位置轉(zhuǎn)換。
[0019]上述基板處理裝置還可以包括:流量調(diào)節(jié)器，分別設(shè)置在上述液壓線路上，用于調(diào)節(jié)上述液壓線路的流量;及控制器，分別與上述流量調(diào)節(jié)器連接來(lái)控制上述流量調(diào)節(jié)器。
[0020]上述腔可以包括:腔本體，上部開放，且提供對(duì)基板實(shí)施工序的內(nèi)部空間；及腔蓋，設(shè)置在上述腔本體的上部而封閉上述腔本體的上部;上述基板處理裝置具有形成于上述腔蓋上而向上述內(nèi)部空間供給氣體的供給口。
[0021]發(fā)明效果
[0022]根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，可以通過(guò)沿著腔的內(nèi)壁形成的排氣口上設(shè)置的固定板及滑動(dòng)板，控制被供給到腔內(nèi)部空間的工序氣體的排氣流動(dòng)。另外，通過(guò)可以控制供給到基板上的工序氣體的流動(dòng)過(guò)程，從而形成均勻的薄膜來(lái)提高基板的生產(chǎn)性及質(zhì)量。
【附圖說(shuō)明】
[0023]圖1及圖2是簡(jiǎn)要地表示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的基板處理裝置的圖。
[0024]圖3是放大圖1所示的A的圖。
[0025]圖4是放大圖1所示的固定板及滑動(dòng)板的圖。
[0026]圖5及圖6是表示圖2所示的滑動(dòng)板的待機(jī)位置的圖。
[0027]圖7及圖8是表示圖2所示的滑動(dòng)板的工作位置的圖。
[0028]圖9是圖2所示的基板處理裝置的變形例。
【具體實(shí)施方式】
[0029]下面，參照?qǐng)D1至圖9更詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。本發(fā)明的實(shí)施例可以變形成多種方式，本發(fā)明的范圍不可解釋為由下面說(shuō)明的實(shí)施例限定。本實(shí)施例是為了對(duì)本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員更詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明而提供的。因此，為了更清楚的說(shuō)明，附圖中出現(xiàn)的各要素的形狀可能被夸張。
[0030]另外，下面以蒸鍍裝置為例進(jìn)行說(shuō)明，但是本發(fā)明可以應(yīng)用于具備基板支承模塊的多種基板處理裝置。另外，下面以晶片W為例進(jìn)行說(shuō)明，但是本發(fā)明可以應(yīng)用于多種被處理體。
[0031]圖1及圖2是簡(jiǎn)要地表示根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的基板處理裝置的圖。另外，圖3是放大圖1所示的A的圖，圖4是放大圖1所示的固定板和滑動(dòng)板的圖。如圖1至圖4所示，基板處理裝置100包括腔本體10及腔蓋20。腔本體10是上部開放的形狀，腔蓋20可以開閉腔本體10的開放的上部。當(dāng)腔蓋20封閉腔本體10的開放的上部時(shí)，腔本體10及腔蓋20形成從外部封閉的內(nèi)部空間3。另外，如圖2所示，內(nèi)部空間3的截面可以是圓形，腔本體10從兩側(cè)面凹陷而具備與內(nèi)部空間3具有相同的中心的曲面形狀的凹陷部。后述的第I及第2外殼60、70設(shè)置在凹陷部上。
[0032]基板W通過(guò)形成于腔本體10的一側(cè)的通道5裝載到內(nèi)部空間3，基座40設(shè)置在內(nèi)部空間3。裝載的基板W放置在基座40的上部表面，基座40的下部連接支承軸45。支承軸45支承基座40，在實(shí)施工序時(shí)可以旋轉(zhuǎn)基座40。另外，支承軸45與連接在下部的升降機(jī)構(gòu)(未圖示)連接而可升降。
[0033]噴頭30大體為平板形狀，設(shè)置在腔本體10和腔蓋20之間。因此，腔本體10的開放的上部由噴頭30及腔蓋20封閉。相反，噴頭30可以通過(guò)單獨(dú)的連接部件固定在腔蓋20的下部表面，腔本體10的開放的上部可以由腔蓋20封閉。
[0034]供給口 25可以形成在腔蓋20，工序氣體通過(guò)供給口 25供給到內(nèi)部空間3。噴頭30具有凹的上部表面，凹的上部表面與腔蓋20的下部表面分開距離而形成緩沖空間12。工序氣體通過(guò)供給口 25填充到緩沖空間12內(nèi)，并通過(guò)噴頭30供給到內(nèi)部空間3。
[0035]另外，在緩沖空間12可以設(shè)置緩沖板35，緩沖板35將通過(guò)供給口25供給的工序氣體I次性擴(kuò)散之后，通過(guò)噴頭30再擴(kuò)散，從而可以將均勻的工序氣體供給到基板W上。噴頭及緩沖板分別具有多個(gè)噴射孔32、37，工序氣體通過(guò)各個(gè)噴射孔32、37而向基板W噴射。工序氣體向基板W的表面移動(dòng)，從基板W的表面通過(guò)設(shè)置于基板40內(nèi)部的加熱器分解之后形成薄膜，可以根據(jù)薄膜的種類選擇工序氣體。
[0036]排氣口15沿著腔本體10的側(cè)壁形成。排氣板50設(shè)置在配置于基座40的周邊并在基座40和排氣口 15之間形成的排出口 16上。另外，在排氣板50上形成貫通排氣板50的上部及下部排氣孔52、54，對(duì)基板W實(shí)施工序時(shí)產(chǎn)生的反應(yīng)副產(chǎn)物及未反應(yīng)氣體可以通過(guò)排氣板50的上部排氣孔52及下部排氣孔54而從排氣口 15排出。
[0037]排氣口15可以與排氣線路17連接，排氣閥18設(shè)置在排氣線路17上來(lái)開閉排氣線路
17。另外，排氣栗19設(shè)置在排氣線路17上，可以通過(guò)排氣線路17向外部強(qiáng)制排出反應(yīng)副產(chǎn)物及未反應(yīng)氣體。
[0038]固定板80具有圓環(huán)形狀，沿著排氣口15設(shè)置。固定板80具有多個(gè)貫通孔85，貫通孔85以預(yù)定的間隔分開距離形成。滑動(dòng)板90與固定板80的上部(或下部)抵接配置，滑動(dòng)板90上也形成與固定板80的貫通孔85對(duì)應(yīng)大小的排出孔95?；瑒?dòng)板90可以相互分開距離而配置多個(gè)，可以是具有與固定板80相同的曲率半徑的圓弧形狀。
[0039]滑動(dòng)板90可以包括設(shè)有排出孔95的上部板91及沿著上部板91的外周面大致垂直地豎立連接的側(cè)面板92。側(cè)面板92位于腔本體10的凹陷部且可與腔本體10的內(nèi)壁抵接移動(dòng)，在內(nèi)表面具備磁體94。沿著腔本體10的凹陷的外壁，在兩側(cè)分別設(shè)有第I及第2外殼60、70;第I及第2外殼60、70可以沿著設(shè)置于腔本體10內(nèi)部的側(cè)面板91的外側(cè)相互并列配置。
[0040]第I及第2外殼60、70沿著腔本體10的外壁設(shè)置，提供從外部遮斷的第I及第2運(yùn)送路徑61、71。在第1及第2運(yùn)送路徑61、71上具備多個(gè)遮斷板634、638、630-63!1，遮斷板63八、63Β、630..63Η將第I及第2運(yùn)送路徑61、71劃分為多個(gè)運(yùn)送區(qū)間A、B、C...H。運(yùn)送區(qū)間A、B、C...H從外部遮斷，從而可以防止在運(yùn)送區(qū)間A、B、C…H內(nèi)產(chǎn)生的微粒向外部泄漏。
[0041 ]在各運(yùn)送曲間Α、Β、0..Η內(nèi)設(shè)有磁鐵 65Α、65Β、650..65Η，各磁鐵 65Α、65Β、650..65Η可以向設(shè)置于側(cè)面板91的磁體94施加磁力而使與各磁鐵65Α、65Β、650..65Η對(duì)應(yīng)的滑動(dòng)板90移動(dòng)。另外，在磁鐵65Α、65Β、650..65Η和遮斷板63Α、63Β、630..63Η之間分別設(shè)有彈性部件 67Α、67Β、670..67Η，彈性部件 67Α、67Β、670..67Η 朝向磁鐵 65Α、65Β、650..65Η 提供彈力。在各運(yùn)送區(qū)間Α、Β、0..Η可以連接有提供液壓(或空壓)的液壓線路62Α、62Β、620..62Η(或空壓線路)，使得磁鐵65Α、65Β、650..65Η可以朝向上述遮斷板63Α、63Β、630..63Η移動(dòng)。
[0042]另外，在液壓線路62Α、62Β、620..62Η上分別設(shè)有調(diào)節(jié)液壓線路62Α、62Β、620..62Η的流量的流量調(diào)節(jié)器120 (例如，閥門或MFC (mass flow controller，質(zhì)量流量控制器)，控制器110分別與各流量調(diào)節(jié)器12(^、12(?、1200"120!1連接?？刂破?10控制預(yù)定的流量調(diào)節(jié)器120A、120B、1200..120H而使磁鐵65Α、65Β、650..65Η移動(dòng)，從而旋轉(zhuǎn)滑動(dòng)板90而通過(guò)排氣口 15向外部排出反應(yīng)副產(chǎn)物及未反應(yīng)氣體。
[0043]圖5至圖8是表示圖2所示的滑動(dòng)板的工作過(guò)程的圖。圖5及圖6是表示滑動(dòng)板的待機(jī)位置的圖，圖7及圖8是表示滑動(dòng)板轉(zhuǎn)換到工作位置的狀態(tài)的圖。如上所述，在固定板80的上部配置滑動(dòng)板90，能夠以基座40的中心為基準(zhǔn)旋轉(zhuǎn)。固定板80上形成多個(gè)貫通孔85。貫通孔85分別以預(yù)定的間隔配置，例如各貫通孔85可以從固定板80的中心以11.25度的間隔形成。
[0044]如圖5及圖6所示，滑動(dòng)板90為圓弧形狀，各滑動(dòng)板90可以具有與固定板80的中心呈33.75度的中心角。在滑動(dòng)板90的中央部形成排出孔95，在滑動(dòng)板90的待機(jī)位置貫通孔85和排出孔95分別連通，從而反應(yīng)副產(chǎn)物及未反應(yīng)氣體可以向排氣口 15排出。
[0045]在腔本體10的凹陷的兩側(cè)部分別設(shè)有第I及第2外殼60、70，第I及第2外殼60、70沿腔本體10的凹陷部連接，具有分別從外部封閉的第I及第2運(yùn)送路徑61、71。第I及第2外殼60、70具有從腔本體10的中央相互對(duì)稱的形狀，在第I及第2外殼60、70內(nèi)分別設(shè)置將第I及第2運(yùn)送路徑61、71劃分為多個(gè)運(yùn)送區(qū)間六、8、0"!1的遮斷板634、638、630"63!1。
[0046]在第I外殼60內(nèi)可以沿逆時(shí)針?lè)较蚍謩e設(shè)置第I至第4遮斷板63A、63B、63C、63D，第I外殼60的運(yùn)送區(qū)間可以通過(guò)第I至第4遮斷板63A、63B、63C、63D劃分為第I至第4運(yùn)送路徑A、B、C、D。在第I運(yùn)送路徑A具備第I磁鐵65A，第I磁鐵65A通過(guò)與設(shè)置于一個(gè)滑動(dòng)板90的下部的磁體94之間的引力，隨著第I磁鐵65A移動(dòng)，與第I磁鐵對(duì)應(yīng)的滑動(dòng)板90也可以一起移動(dòng)。
[0047]在各運(yùn)送路徑A至H設(shè)有磁鐵65，各磁鐵65Α、65Β、650..65Η配置成與各滑動(dòng)板90上具備的磁體94對(duì)應(yīng)。在遮斷板63Α、63Β、630..63Η和磁鐵65Α、65Β、650..65Η之間分別設(shè)置彈性部件67Α、67Β、670..67Η，彈性部件67向磁鐵65提供彈力。
[0048]在各運(yùn)送路徑A至H連接有液壓線路(或空壓線路)，通過(guò)液壓線路向磁鐵65提供液壓，從而磁鐵65可以移動(dòng)。在各液壓線路(或空壓線路)上可以設(shè)置調(diào)節(jié)流量(或液壓)的流量調(diào)節(jié)器120，控制器110與各流量調(diào)節(jié)器120連接來(lái)調(diào)節(jié)流量調(diào)節(jié)器120，從而可以控制磁鐵65的移動(dòng)。
[0049]如圖7及圖8所示，隨著磁鐵65移動(dòng)，與磁鐵65對(duì)應(yīng)的滑動(dòng)板90—起移動(dòng)，從而可以開閉固定板80的貫通孔85。即，通過(guò)控制器110向預(yù)定的運(yùn)送路徑Α、Β、0..Η中的某一個(gè)以上施加空壓而使磁鐵65移動(dòng)，從而與磁鐵65對(duì)應(yīng)的滑動(dòng)板90可以一起移動(dòng)。因此，滑動(dòng)板90從待機(jī)位置向工序位置轉(zhuǎn)換，從而可以控制未反應(yīng)氣體及反應(yīng)副產(chǎn)物的排氣流程。
[0050]若具體地說(shuō)明，通過(guò)噴頭30噴射的工序氣體被供給到基板W的上部，在基板W由基座40加熱的狀態(tài)下，工序氣體與基板W的表面反應(yīng)而形成薄膜。這時(shí)薄膜的厚度與工序氣體的供給量成正比，基板W的表面中被供給少量工序氣體的部分的薄膜的厚度小，被供給大量工序氣體的部分的薄膜厚度大。因此，工序氣體向基板W的整體表面均勻供給的情況下，薄膜可以具有均勻的厚度。
[0051 ]但是，薄膜的厚度除工序氣體的供給量之外還與基座40的加熱溫度成正比，基板W的表面中加熱溫度低的部分的薄膜厚度小，加熱溫度高的部分的薄膜厚度大。因此，基座40的加熱溫度均勻的情況下薄膜可以具有均勻的厚度，具有整體上均勻的加熱溫度的基座40較理想。
[0052]但是，現(xiàn)實(shí)中加工具有完全均勻的加熱溫度的基座40是不太可能的。特別是，最近隨著基板W的尺寸大型化，基座40的尺寸也是一起增加的趨勢(shì)，由此，在基板W上形成均勻的溫度分布產(chǎn)生困難。即，在將基板W加熱到工序溫度的過(guò)程中，有可能加熱器固障或性能下降，此外，加熱器的輻射熱局部地變得不均勻。
[0053]除此之外，對(duì)薄膜的厚度造成影響的因素(factor)多樣，為了形成具有均勻厚度的薄膜，有必要人為地調(diào)整前面所述的因素中的一部分。因此，在本發(fā)明的實(shí)施例中，欲根據(jù)基板W的部分人為地不均勻地調(diào)整工序氣體的供給量來(lái)在基板W的整個(gè)表面形成具有均勻厚度的薄膜，并且，由于工序氣體的供給量與通過(guò)排氣口 15排出的氣體的流量成正比，因此欲根據(jù)基板W的部分人為地將氣體的排出量調(diào)整為不均勻。
[0054]例如，利用樣本(dummy)基板W形成薄膜之后，測(cè)量薄膜的厚度。這時(shí)，如圖6所示，使所有貫通孔85和排出孔95連通，向基板W表面的各區(qū)域供給相對(duì)于面積相同量的工序氣體。然后，如圖8所示，與所測(cè)定的薄膜厚度成比例地錯(cuò)開配置貫通孔85和排出孔95，從而可以選擇性地封閉貫通孔85。因此，可以調(diào)節(jié)向基板W表面的各區(qū)域供給的工序氣體的供給量。
[0055]S卩，在基板W表面的特定區(qū)域薄膜厚度比基準(zhǔn)值厚時(shí)，可以封閉與該區(qū)域的外側(cè)鄰接的貫通孔85來(lái)減少工序氣體的量。通過(guò)這樣的方法，經(jīng)過(guò)幾次調(diào)整過(guò)程就可以形成具有均勻厚度的薄膜，可以利用形成有均勻厚度薄膜的基板W執(zhí)行接下來(lái)的工序。
[0056]通過(guò)優(yōu)選實(shí)施例詳細(xì)地說(shuō)明了本發(fā)明，但是也可以是與此不同方式的實(shí)施例。因此，下面記載的權(quán)利要求的技術(shù)思想和范圍不限于優(yōu)選實(shí)施例。
[0057]用于實(shí)施發(fā)明的方式
[0058]圖9是圖2所示的基板處理裝置的變形例。如圖9所示，液壓方式可以代替為基于驅(qū)動(dòng)電機(jī)13(^、13(?、1300"130!1的驅(qū)動(dòng)方式。即，各磁鐵654、658、650"65!1可以通過(guò)分別對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電機(jī)13(^、13(?、1300"130!1移動(dòng)，驅(qū)動(dòng)電機(jī)13(^、1308、1300"130!1的動(dòng)力可以通過(guò)齒輪等傳遞到磁鐵65六、658、650"65!1。另外，各驅(qū)動(dòng)電機(jī)13(^、1308、1300"130!1可以通過(guò)控制器110單獨(dú)控制。
[0059]工業(yè)實(shí)用性
[0060]本發(fā)明可以應(yīng)用于多種方式的半導(dǎo)體制造設(shè)備及制造方法。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種基板處理裝置，其特征在于，包括: 腔，提供對(duì)基板實(shí)施工序的內(nèi)部空間； 基座，設(shè)置在上述內(nèi)部空間，且在上部放置上述基板； 固定板，設(shè)置在沿著上述基座的周邊在上述腔的側(cè)壁形成的排氣口上，并具有多個(gè)貫通孔;及 一個(gè)以上的滑動(dòng)板，設(shè)置在上述固定板的上部或下部，能夠以上述基座的中心為基準(zhǔn)旋轉(zhuǎn)，選擇性地開閉上述多個(gè)貫通孔。2.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于， 上述基板處理裝置還包括排氣板，該排氣板設(shè)置在沿著上述基座的周邊配置而在上述基座和上述排氣口之間形成的排出口上，并具備在內(nèi)表面分別形成的多個(gè)上部排氣孔及多個(gè)下部排氣孔。3.如權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于， 上述固定板及上述滑動(dòng)板的上端配置在上述上部排氣孔的下部。4.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于， 上述固定板具有圓環(huán)形狀， 上述滑動(dòng)板以多個(gè)圓弧形狀相互分開距離配置。5.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于， 上述滑動(dòng)板還具備: 上部板，配置在上述固定板的上部，貫通形成有排出孔;及 側(cè)面板，沿著上述上部板的外周面連接而能夠沿著上述腔的側(cè)壁移動(dòng)，并具備磁體。6.如權(quán)利要求5所述的基板處理裝置，其特征在于， 上述基板處理裝置還包括: 外殼:與上述腔的外壁分開距離設(shè)置，提供從外部遮斷的運(yùn)送路徑； 遮斷板，設(shè)置在上述外殼內(nèi)，將上述運(yùn)送路徑劃分為多個(gè)運(yùn)送區(qū)間； 磁鐵，分別設(shè)置在上述運(yùn)送區(qū)間，向上述側(cè)面板施加磁力而可以一起移動(dòng)； 彈性部件，分別設(shè)置在上述遮斷板和上述磁鐵之間，向上述磁鐵提供彈力；以及 液壓線路，分別設(shè)置在上述運(yùn)送區(qū)間，提供液壓而使上述磁鐵可向上述遮斷板移動(dòng)。7.如權(quán)利要求6所述的基板處理裝置，其特征在于， 上述滑動(dòng)板通過(guò)上述磁鐵，可向上述貫通孔和上述排出孔在相互對(duì)應(yīng)的位置連通的開放位置及封閉上述貫通孔的遮斷位置轉(zhuǎn)換。8.如權(quán)利要求6所述的基板處理裝置，其特征在于， 上述基板處理裝置還包括:流量調(diào)節(jié)器，分別設(shè)置在上述液壓線路上，用于調(diào)節(jié)上述液壓線路的流量;及控制器，分別與上述流量調(diào)節(jié)器連接來(lái)控制上述流量調(diào)節(jié)器。9.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于， 上述腔包括:腔本體，上部開放，且提供對(duì)基板實(shí)施工序的內(nèi)部空間；及腔蓋，設(shè)置在上述腔本體的上部而封閉上述腔本體的上部； 上述基板處理裝置具有形成于上述腔蓋上而向上述內(nèi)部空間供給氣體的供給口。
【文檔編號(hào)】H01L21/205GK105849865SQ201480070511
【公開日】2016年8月10日
【申請(qǐng)日】2014年12月10日
【發(fā)明人】諸成泰, 李在鎬, 崔晌鎬, 尹勝鉉
【申請(qǐng)人】株式會(huì)社Eugene科技