有機(jī)電致發(fā)光元件、顯示裝置及照明裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及有機(jī)電致發(fā)光元件、顯示裝置及照明裝置。更詳細(xì)地說，設(shè)及通過使用 電子化合物，驅(qū)動(dòng)電壓及穩(wěn)定性得到了改善的有機(jī)電致發(fā)光元件等。
【背景技術(shù)】
[0002] 有機(jī)電致發(fā)光元件（W下也稱為"有機(jī)元件"。）是將陽極與陰極之間用含有有機(jī) 發(fā)光物質(zhì)的有機(jī)薄膜層(單層部或多層部)構(gòu)成的薄膜型的全固體元件。如果對運(yùn)樣的有機(jī) 化元件施加電壓，則從陰極將電子、從陽極將空穴注入有機(jī)薄膜層（W下也稱為有機(jī)層。）， 它們在發(fā)光層(含有有機(jī)發(fā)光物質(zhì)的層）中復(fù)合而產(chǎn)生激子。有機(jī)元件為利用了從運(yùn)些激 子的光的放出（巧光?憐光)的發(fā)光元件，是作為新一代的平面顯示器、照明所期待的技術(shù)， 但特別是在大型的顯示器中，在發(fā)光效率、耐久性和制造收率等方面仍具有課題。
[0003] 有機(jī)化元件由于通過各層中所含有的材料，元件的性能大幅地變化，因此期待著 新型材料的創(chuàng)出。
[0004] 目前為止，作為有機(jī)化元件的電子注入材料，使用了對水分等不穩(wěn)定的堿金屬面 化物等，從壽命及生產(chǎn)穩(wěn)定性的觀點(diǎn)出發(fā)，要求替代。
[0005] 近年來，開發(fā)出雖為穩(wěn)定的無機(jī)物但功函數(shù)非常淺的稱為電子化合物（電子化物） 的化合物，已關(guān)注于使透明電極的功函數(shù)變淺的滲雜材料等(例如，參照專利文獻(xiàn)1~3。）。 進(jìn)而最近，無定形的12化0 ? 7Ab化電子化合物下也稱為C12A7。）的制造成為了可能。已 清楚它們能夠采用瓣射成膜，因此期待著作為有機(jī)元件的電子注入層的利用(例如，參照 非專利文獻(xiàn)1~3。）。
[0006] 另一方面，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器中，驅(qū)動(dòng)像素的薄膜晶體管(TMn Film Transistor: TFT)部分從W往的作為P型半導(dǎo)體的多晶娃不斷向作為n型半導(dǎo)體的IGZO (Indi皿Galli皿Zinc化ide)等的氧化物半導(dǎo)體轉(zhuǎn)移。
[0007] 另外，已知與使用了 n型半導(dǎo)體材料的TFT連接的二極管的極性為負(fù)極在電路設(shè)計(jì) 上有利。對于經(jīng)時(shí)的有機(jī)化元件的特性變化能夠適應(yīng)的TFT通過對TFT的極性與有機(jī)化元件 的對置電極(公用電極)的關(guān)系給予限定而實(shí)現(xiàn)(例如，參照專利文獻(xiàn)4。）。
[000引目P，要得到經(jīng)時(shí)地不產(chǎn)生像素間的波動(dòng)的穩(wěn)定的顯示器的情況下，已知如果是W 往的使用了 P型半導(dǎo)體的TFT，可W是負(fù)極公用(順層)型的有機(jī)化元件，但使用了 n型半導(dǎo)體 的TFT的情況下，優(yōu)選為正極公用(逆層)型的有機(jī)化元件。
[0009] 制作逆層型的有機(jī)化元件的情況下容易發(fā)生的問題之一是作為下部電極的ITO的 平坦性。一般地，ITOQndium Tin化ide)由于表面粗糖度比較大，因此如果不能很好地使 它們平坦化，則由于泄漏等的發(fā)生，產(chǎn)生暗點(diǎn)，成為短壽命的元件。
[0010] 為了抑制泄漏等的發(fā)生，優(yōu)選在口 0的上層形成比較厚（~10皿)的電子注入層，但 至今為止W運(yùn)樣的厚度發(fā)揮功能并且具有高的電子注入性的材料尚屬未知。
[0011] 但是，近年來報(bào)道了：上述的電子化合物與W往已知的堿金屬面化物相比，即使是 10倍厚的IOnm,也發(fā)揮功能，因此例如在逆層有機(jī)化元件的電子注入層中使用時(shí)，能夠很好 地使ITO的凹凸平坦化(例如，參照非專利文獻(xiàn)3。）。由此，認(rèn)為電子化合物是設(shè)想與n型TFT 連接的逆層型有機(jī)化元件的有希望的電子注入材料。
[0012]另外，伴隨顯示器的高精細(xì)化，也開發(fā)了不使TFT部分的開口率降低的頂部發(fā)射型 的有機(jī)化元件，期待著電子化合物對于運(yùn)些也是有用的材料。
[0013] 運(yùn)是因?yàn)?，通過使用電子化合物，如上述那樣，可W形成層的厚度為10皿左右的電 子注入層，因此能夠?qū)⒂袡C(jī)化元件的發(fā)光層與由金屬構(gòu)成的對置電極的距離取得長。另外 還因?yàn)?能夠減少成為了有機(jī)化元件的光取出效率提高的障礙的、等離子激元損失，由于其 化學(xué)穩(wěn)定性，能夠期待壽命改善。
[0014] 但是，與一般的順層構(gòu)成的有機(jī)化元件相比，將運(yùn)些電子化合物用于電子注入層 的元件的驅(qū)動(dòng)電壓仍高，其改進(jìn)成為了課題。另外，對于使用了運(yùn)些電子化合物的有機(jī)化元 件的壽命特性(穩(wěn)定性），尚不清楚。
[0015] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0016] 專利文獻(xiàn)
[0017] 專利文獻(xiàn)1:日本特開2013-40088號公報(bào) [001引專利文獻(xiàn)2:日本特開2003-238149號公報(bào)
[0019] 專利文獻(xiàn)3:日本特開2009-193962號公報(bào)
[0020] 專利文獻(xiàn)4:日本特開2003-295792號公報(bào)
[0021] 非專利文獻(xiàn)
[0022] 非專利文獻(xiàn) Tehan，B.L. Barrett，J.L. Dye, J. Am.化 em. Soc. ,1974,96， 7203-7208
[0023] 非專利文獻(xiàn)2:S.Watanabe等，19th International Display Workshops(IDW/AD' 12)Japan,2012,第1871-1872頁
[0024] 非專利文獻(xiàn)3:T.Wannabe等，The 13*h International Meeting on Information Display,Korea,2013,第42-43頁

【發(fā)明內(nèi)容】

[0025] 發(fā)明要解決的課題
[0026] 本發(fā)明鑒于上述問題.狀況而完成，其解決課題在于提供發(fā)光效率高、驅(qū)動(dòng)電壓 及穩(wěn)定性優(yōu)異的有機(jī)電致發(fā)光元件、具備該有機(jī)電致發(fā)光元件的顯示裝置及照明裝置。
[0027] 用于解決課題的手段
[0028] 本發(fā)明人為了解決上述課題，對上述問題的原因等進(jìn)行了研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn):通過滿 足有機(jī)化元件中所含的電子注入層含有電子化合物，電子傳輸層含有包含具有不參與芳香 性的非共享電子對的氮原子的有機(jī)化合物等必要條件，改善電子移動(dòng)性等，有機(jī)化元件的 性能提高，完成了本發(fā)明。
[0029] 目P，本發(fā)明設(shè)及的上述課題通過W下的手段得W解決。
[0030] 1.有機(jī)電致發(fā)光元件，其為在陽極與陰極之間至少具有電子注入層、電子傳輸層 及發(fā)光層的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，
[0031 ]上述電子注入層含有電子化合物，
[0032]上述電子傳輸層含有具有氮原子的有機(jī)化合物，
[0033] 上述氮原子的至少一個(gè)具有不參與芳香性的非共享電子對，并且
[0034] 該非共享電子對沒有與金屬配位。
[0035] 2.第1項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，上述電子注入層至少含有 12化0 ? 7A12化作為上述電子化合物。
[0036] 3.第1項(xiàng)或第2項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，將上述非共享電子對的 數(shù)設(shè)為有效非共享電子對的數(shù)n，并且將上述有機(jī)化合物的分子量設(shè)為M時(shí)，有效非共享電 子對含有率[n/M]為4.0 X l(r3~2.0 X 1(T2的范圍內(nèi)。
[0037] 4.第1項(xiàng)-第3項(xiàng)的任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，上述有機(jī)化合物 為具有由下述通式（1)表示的結(jié)構(gòu)的低分子化合物、具有由下述通式(2)表示的結(jié)構(gòu)單元的 高分子化合物或具有由下述通式(3)表示的結(jié)構(gòu)單元的高分子化合物。
[003引[化1]
[0039] 通式（1)
[0040] (Ai)ni-yi
[0041] [通式（1)中，Al表示1價(jià)的含有氮原子的基團(tuán)。nl表示2W上的整數(shù)。多個(gè)Al可W彼 此相同，也可不同。yi表示nl價(jià)的連接基團(tuán)或單鍵。]
[0042] [化2]
[00創(chuàng)通式（2)
[0045] [通式(2)中，A2表示2價(jià)的含有氮原子的基團(tuán)。y2表示2價(jià)的連接基團(tuán)或單鍵。]
[0046] [化3]
[0047] 通式(3)
[0049] [通式(3)中，A3表示1價(jià)的含有氮原子的基團(tuán)。A4及As分別獨(dú)立地表示2價(jià)的含有氮 原子的基團(tuán)。n2表示IW上的整數(shù)，n3及n4分別獨(dú)立地表示0或1的整數(shù)。y3表示(n2+2)價(jià)的 連接基團(tuán)。]
[0050] 5 .第4項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，上述有機(jī)化合物為由上述通式 (1)表示的低分子化合物。
[0051 ] 6.第4項(xiàng)或第5項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，上述有機(jī)化合物在其化 學(xué)結(jié)構(gòu)內(nèi)含有化晚環(huán)。
[0052] 7.第4項(xiàng)-第6項(xiàng)的任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，上述有機(jī)化合物 具有由下述通式(4)表示的結(jié)構(gòu)。
[0053] [化4]
[0054] 通式(4)
[0化6][通式（4)中，Z表示 CR巧 2、NR3、0、S、PR4、P(0)Rs 或 SiRsR?。^ ~Xs表示 CRs或 N，至少一 個(gè)表示N?；瘇Rs分別獨(dú)立地表示單鍵、氨原子、取代或未取代的碳原子數(shù)1~20的烷基、取代 或未取代的碳原子數(shù)3~20的環(huán)烷基、取代或未取代的碳原子數(shù)6~30的芳基、取代或未取 代的碳原子數(shù)1~30的雜芳基或者取代或未取代的碳原子數(shù)1~20的烷氧基。]
[0057] 8.第7項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，上述通式(4)中，&或X4表示氮原 子。
[0058] 9.第4項(xiàng)-第8項(xiàng)的任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，上述有機(jī)化合物 具有由下述通式(5)表示的結(jié)構(gòu)。
[0059] [化5]
[0060] 通式(5)
[0062] [通式(5)中，As表不取代基。Xii~Xi9各自表不C(I?2i)或NdRsi表不氨原子或取代基。 但是，Xis~Xi9中的至少一個(gè)表示N。]
[0063] 10.第1項(xiàng)-第9項(xiàng)的任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，上述陰極為透 明電極，在上述陰極上依次具有電子注入層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層及陽極。
[0064] 11.第1項(xiàng)-第10項(xiàng)的任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光元件，其特征在于，上述有機(jī)化合 物含有給電子性的滲雜劑。
[0065] 12.顯示裝置，其特征在于，具備第1項(xiàng)-第11項(xiàng)的任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光元 件。
[0066] 13.照明裝置，其特征在于，具備第1項(xiàng)-第11項(xiàng)的任一項(xiàng)所述的有機(jī)電致發(fā)光元 件。
[0067] 發(fā)明的效果
[0068] 通過本發(fā)明的上述手段，能夠提供發(fā)光效率高、驅(qū)動(dòng)電壓及穩(wěn)定性優(yōu)異的有機(jī)電 致發(fā)光元件、具備該有機(jī)電致發(fā)光元件的顯示裝置及照明裝置。
[0069] 對于本發(fā)明的效果的顯現(xiàn)機(jī)理乃至作用機(jī)理尚不明確，但如W下所述推測。
[0070] 非專利文獻(xiàn)3中，盡管電子化合物具有2.4~3. IeV的與電子傳輸層中使用的材料 的LUMO(最低空軌道)能級接近的能級，另外具有1.OX ICr2Scnfi的比較良好的導(dǎo)電性，但驅(qū) 動(dòng)電壓高。其理由推定為:在電子化合物與電子傳輸層的界面或其相互作用中具有問題。
[0071] W往的順層構(gòu)成的電子傳輸層與電子注入層（面化堿金屬）的界面，由于電子注入 層的分子非常小，因此被埋入電子注入層內(nèi)，推定成為了直至一定的范圍被混合了的層。進(jìn) 而，面化堿金屬等由于蒸鍛時(shí)的能量而一部分開裂?交換結(jié)合，成為了被還原的堿金屬的 狀態(tài)，在電子傳輸層內(nèi)被混合，推測不僅是電子注入層?電子傳輸層的界面，實(shí)際上W某種 程度的厚度接合。其結(jié)果認(rèn)為層間的電接合良好，沒有產(chǎn)生實(shí)質(zhì)層間的大的施加電壓。
[0072] 另一方面，電子化合物是基本結(jié)構(gòu)已達(dá)到直徑4埃的大的結(jié)構(gòu)，難W被埋入電子傳 輸層內(nèi)，即使一部分被埋入，認(rèn)為與電子傳輸材料的相互作用的頻率也小。特別地，逆層構(gòu) 成的情況下，由于在先形成平坦的電子化合物層，因此預(yù)想在電子化合物與電子傳輸材料 間更難W發(fā)生電子移動(dòng)、被滲雜運(yùn)樣的形式的導(dǎo)電性的提高(驅(qū)動(dòng)電壓的減?。?br>[0073] 因此，作為適合電子化合物的電子傳輸材料，推定與電子化合物類的表面具有相 互作用，進(jìn)而具有該相互作用的部分具有傳輸電荷化UMO的電子密度高）的部位是必要條 件。即，作為電子傳輸層材料，使用含有具有氮原子的有機(jī)化合物、上述氮原子的至少一個(gè) 具有不參與芳香性的非共享電子對、并且該非共享電子對沒有與金屬配位的電子傳輸材 料。
[0074] 如果使用運(yùn)樣的電子傳輸材料，該非共享原子對與構(gòu)成電子化合物的金屬離子相 互作用，可W使電子傳輸材料與電子化合物表面的距離變短，使電荷移動(dòng)所需的能量降低。 另外發(fā)現(xiàn)，運(yùn)些包含具有非共享原子對的氮原子的部分結(jié)構(gòu)多是LUMO的電子云參與，傳輸 電子的功能高，因此顯示良好的電子傳輸性，可W降低驅(qū)動(dòng)電壓，提高效率。另外發(fā)現(xiàn)，通過 運(yùn)樣的相互作用，驅(qū)動(dòng)時(shí)也難W引起電子注入層?電子傳輸層間的結(jié)構(gòu)?形態(tài)變化，經(jīng)時(shí) 穩(wěn)定性也優(yōu)異。
[0075] 本發(fā)明人目前為止獲得了對于在含有具有運(yùn)樣的非共享電子對的氮的化合物上 蒸鍛金屬的情況下發(fā)揮特異的相互作用、例如非常容易凝聚而已知的銀的見識。
[0076] 具體地，發(fā)現(xiàn):將銀W適當(dāng)?shù)拿芏仍诰哂蟹枪蚕黼娮訉Φ幕衔锏膶由险翦懙那?況下，由于其相互作用，可W防止銀的凝聚，形成透明且具有高導(dǎo)電性的透明導(dǎo)電膜（國際 公開第2013/073356號、國際公開第2013/099867號、日本特愿2012-97977號等）。
[0077] 特別地，日本特愿2012-97977號中，發(fā)現(xiàn)了將氮原子上的不參與芳香性并且沒有 與金屬配位的非共享電子對的數(shù)設(shè)為有效非共享電子對n、將分子量設(shè)為M時(shí)的、有效非共 享電子對含有率[n/M]和與金屬原子的相互作用的大小存在關(guān)系。公開了該參數(shù)在一定范 圍內(nèi)的化合物(為2.0X10-3~2.0X10-2的范圍內(nèi)、更優(yōu)選地3.9X10-3~2.0X10-="的范圍內(nèi) 的有效非共享電子對含有率的化合物)可W使銀薄膜的面電阻變得非常良好(參照圖1)。
[0078] 建立起由于電子化合物也含有金屬原子，因此具有運(yùn)樣的非共享電子對的化合物 與電子化合物的相互作用也良好的假說，系統(tǒng)地研究了運(yùn)些化合物與電子化合物的組合。 其結(jié)果，有效非共享電子對含有率的密度在一定的范圍內(nèi)的情況下，通過測定使用了電子 化合物的有機(jī)化元件的初期驅(qū)動(dòng)電壓，可W發(fā)現(xiàn)電子注入性得到了改善的傾向（參照圖2)。 代替圖1中所示的薄層電阻，通過測定流過2.5mA/cm 2的電流時(shí)的驅(qū)動(dòng)電壓，可W判定電子 傳輸性。
[0079] 如從圖2讀取那樣，發(fā)現(xiàn)了用有效非共享電子對的數(shù)n/分子量M規(guī)定的有效非共享 電子對含有率與含有電子化合物的有機(jī)EL元件的電子注入性存在相關(guān)關(guān)系，通過調(diào)整該有 效非共享電子對含有率，可W得到良好的驅(qū)動(dòng)電壓的有機(jī)化元件。另外發(fā)現(xiàn)，可W得到穩(wěn)定 性也提高、產(chǎn)業(yè)上更為有用的有機(jī)化元件。
【附圖說明】
[0080] 圖1為表示與含有銀的透明導(dǎo)電性層鄰接的層的有效非共享電子對含有率與薄層 電阻的關(guān)系的坐標(biāo)圖。
[0081] 圖2為表示電子注入層的有效非共享電子對含有率與初期驅(qū)動(dòng)電壓的關(guān)系的坐標(biāo) 圖。
[0082] 圖3為表示本發(fā)明的有機(jī)EL元件的一例的概略剖面圖。
[0083] 圖4為表示本發(fā)明的有機(jī)EL元件的一例的概略剖面圖。
[0084] 圖5為表示本發(fā)明的有機(jī)EL元件的一例的概略剖面圖。
[0085] 圖6為表示本發(fā)明的有機(jī)EL元件的一例的概略剖面圖。
[0086] 圖7為照明裝置的概略圖。
[0087] 圖8為照明裝置的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0088] 本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光元件的特征在于：電子注入層含有電子化合物，電子傳輸 層含有具有氮原子的有機(jī)化合物，氮原子的至少一個(gè)具有不參與芳香性的非共享電子對， 并且非共享電子對沒有與金屬配位。該特征是權(quán)利要求1-權(quán)利要求13的權(quán)利要求設(shè)及的發(fā) 明共同的技術(shù)特征。
[0089] 在此，所謂"電子化合物"，為基于由J.L.Dye等首先提出的概念的離子性化合物， 是指電子占據(jù)了陰離子應(yīng)占據(jù)的位置的物質(zhì)(參照非專利文獻(xiàn)1。）。
[0090] 已知電子在具有負(fù)的電荷的方面與陰離子是同樣的，但在質(zhì)量小、量子力學(xué)上的 舉動(dòng)的方面與陰離子不同，因此電子化合物顯示特異的性質(zhì)。
[0091] 作為本發(fā)明的實(shí)施方式，優(yōu)選上述電子注入層至少含有12Ca0 ? 7A12化作為上述電 子化合物。
[0092] 運(yùn)是因?yàn)椋m然作為電子化合物尤其已知12化0 . 7Al2〇3、12SrO . 7Al2〇3(W下也 稱為S12A7。）及它們的混合物（12(CaxSri-X)0 ? 7A12〇3(0<X< 1))，但含有Cl2A7的電子化合 物可W形成在有機(jī)化元件中有用的無定形性更高、例如針孔?暗點(diǎn)不易發(fā)生的電子注入 層。
[0093] 另外，將上述非共享電子對的數(shù)設(shè)為有效非共享電子對的數(shù)n，并且將上述有機(jī)化 合物的分子量設(shè)為M時(shí)，優(yōu)選有效非共享電子對含有率[n/M]為4.0 X 1(T3~2.0 X 1(T2的范 圍內(nèi)。
[0094] 運(yùn)是因?yàn)椋绻褂眠M(jìn)入該范圍內(nèi)的電子傳輸材料，可W得到驅(qū)動(dòng)電壓低的有機(jī) EL元件。推測在該范圍內(nèi)的化合物與形成電子化合物的金屬離子的相互作用非常強(qiáng)，為優(yōu) 選的電子傳輸材料。
[0095] 更優(yōu)選地，優(yōu)選為5.0 X 1(T3~1.0 X 1(T2的范圍內(nèi)，進(jìn)一步優(yōu)選地，優(yōu)選為5.0 X 10 -3~7. OX 10-3的范圍內(nèi)。
[0096] 另外，優(yōu)選上述有機(jī)化合物為具有由上述通式（1)表示的結(jié)構(gòu)的低分子化合物、具 有由上述通式(2)表示的結(jié)構(gòu)單元的高分子化合物或具有由上述通式(3)表示的結(jié)構(gòu)單元 的高分子化合物。
[0097] 運(yùn)是因?yàn)?，由于為具有非共享電子對的氮原子存在于分子的外殼的結(jié)構(gòu)，因此推 測與具有非共享電子對的氮原子存在于分子的中央的結(jié)構(gòu)的情形相比，與作為富含電子的 電子注入層的電子化合物的相互作用增強(qiáng)。
[0098] 另外，優(yōu)選上述有機(jī)化合物為由上述通式(1)表示的低分子化合物。
[0099] 運(yùn)是因?yàn)椋c上述的理由同樣地，推測與電子化合物相互作用的、具有非共享電子 對的氮原子W放射狀存在的分子結(jié)構(gòu)與W線狀存在的分子結(jié)構(gòu)相比，相互作用變大。
[0100] 另外，優(yōu)選上述有機(jī)化合物在其化學(xué)結(jié)構(gòu)內(nèi)含有化晚環(huán)。例如，作為具有非共享電 子對的含氮基，優(yōu)選二甲基氨基、贓晚基等的環(huán)狀?；蛘?，芳基胺結(jié)構(gòu)由于非共享電子對用 于與芳香族環(huán)的共振，事實(shí)上不存在對于金屬離子的配位力，因此也優(yōu)選非環(huán)狀的胺化合 物。另外，可W列舉化晚基及嗯挫基等在具有雙鍵性的位置具有氮原子的含氮雜芳香族環(huán) 及氯基等。
[0101] 運(yùn)些各種含有氮原子的基團(tuán)中，化晚基由于配位力強(qiáng)，具有平面上的結(jié)構(gòu)，因此推 測容易得到電子遷移率高的電子傳輸材料，對于從電子化合物接受了電子后的電子傳輸性 有利，因此可W進(jìn)一步降低驅(qū)動(dòng)電壓，優(yōu)選為具有取代?稠合或未取代的化晚基作為Al~As 的化合物。
[0102] 另外，優(yōu)選上述有機(jī)化合物具有由上述通式(4)表示的結(jié)構(gòu)。
[0103] 運(yùn)是因?yàn)?，運(yùn)樣的3環(huán)稠環(huán)結(jié)構(gòu)特別容易得到電子遷移率高且驅(qū)動(dòng)電壓低的有機(jī) 化元件。
[0104] 另外，上述通式(4)中，優(yōu)選&或X4表示氮原子。
[0105] 運(yùn)是因?yàn)?，認(rèn)為氮原子的位置為X3、X4的化合物的對于電子化合物的配位力高。與Z 分離的X3、X4與電子化合物的相互作用沒有被空間位阻阻礙，可W使驅(qū)動(dòng)電壓低。
[0106] 另外，優(yōu)選上述有機(jī)化合物具有由上述通式(5)表示的結(jié)構(gòu)。
[0107] 運(yùn)是因?yàn)椋缮鲜鐾ㄊ?5)表示的結(jié)構(gòu)由于具有比較高的旋轉(zhuǎn)自由度，因此可獲得 在電子化合物表面柔軟地相互作用的立體結(jié)構(gòu)。此外，運(yùn)是因?yàn)?，由通?5)表示的結(jié)構(gòu)容 易得到無定形性高的薄膜，遷移率不易降低，對于有機(jī)化元件的效率和壽命的兼顧有用。
[0108] 另外，優(yōu)選上述陰極為透明電極，在上述陰極上依次具有電子注入層、電子傳輸 層、發(fā)光層、空穴傳輸層及陽極，即，為逆層構(gòu)成。
[0109] 運(yùn)是因?yàn)椋槍訕?gòu)成的情況下，必須在有機(jī)層（電子傳輸層)上通過瓣射形成電子 化合物層，電子傳輸層有可能受到瓣射損傷。
[0110] 另外，優(yōu)選上述有機(jī)化合物含有給電子性的滲雜劑。
[0111] 運(yùn)是因?yàn)椋绻薪o電子性的滲雜劑，可W提高電子傳輸層的導(dǎo)電性，可W得到 更厚的層厚的電子傳輸層。
[0112] 運(yùn)是因?yàn)?，如果可W形成厚的電子傳輸層，與電子注入層同樣地，由于使得等離子 激元損失的減輕，因此改善光取出效率，進(jìn)而在顯示元件中通過使電子傳輸層的層厚變化， 可W調(diào)整光學(xué)干設(shè)，利用提高色純度的空腔效應(yīng)，可W得到色純度更高的發(fā)光色。
[0113] 運(yùn)樣，本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光元件由于可W寬泛地取得用于提高發(fā)光色的色純度 的工藝窗口（電子傳輸層的層厚的可用范圍），因此也可在顯示裝置中優(yōu)選地具備。由此，可 W改善發(fā)光效率、驅(qū)動(dòng)電壓及穩(wěn)定性。
[0114] 另外，本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光元件由于也可W減輕等離子激元損失，因此可在照 明裝置中優(yōu)選地具備。由此，可W改善發(fā)光效率、驅(qū)動(dòng)電壓及穩(wěn)定性。
[0115] W下對本發(fā)明及其構(gòu)成要素、W及用于實(shí)施本發(fā)明的方式?方案進(jìn)行詳細(xì)的說 明。應(yīng)予說明，本申請中，"~"W包含其前后記載的數(shù)值作為下限值及上限值的含義使用。
[0116] 《有機(jī)EL元件的構(gòu)成層》
[0117] 本發(fā)明的有機(jī)化元件是在陽極與陰極之間至少具有電子注入層、電子傳輸層及發(fā) 光層的有機(jī)化元件，其特征在于，電子注入層含有電子化合物，電子傳輸層含有具有氮原子 的有機(jī)化合物，氮原子的至少一個(gè)具有不參與芳香性的非共享電子對，并且非共享電子對 沒有與金屬配位。
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