并且SCl是D1:NH4OH = H2O^混合比例為5:1:1的DI水、氫氧化氨(NH4OH)和過氧化氫(H2O2)的混合物。在其他實施例中，在SCl之后可以使用異丙醇(IPA)。濕處理可省略任何化學(xué)物質(zhì)，諸如氫氟(HF)酸，濕處理可以去除將形成第一鈍化層72的鈍化物。
[0021]在其他實施例中，等離子體處理包括使用氧氣(O2)、臭氧(O3)、氫氧化氨(NH4OH)、蒸汽(H2O)、四氟甲烷(CF4)、六氟化硫(SF6)、氯氣(Cl2)、鹽酸(HCl)等或它們的組合的氣體的等離子體。等離子體工藝可以處于在約5毫托和約600毫托之間的壓力、處于在約20W和約200W之間的功率，具有約2MHz和約13.56MHz的頻率，以及具有在約1sccm和約10sccm之間的氣體的流速。密封層66可直接暴露于等離子體并且持續(xù)約10秒和約120秒之間的時間。
[0022]在進一步的實施例中，熱工藝包括含有氧(O2)、臭氧(O3)、蒸汽(H2O)等或它們的組合的環(huán)境。環(huán)境可以在約25°C和約350°C之間的溫度。密封層66可暴露于該環(huán)境并且持續(xù)約10秒和約120秒之間的時間。
[0023]處理可以終止密封層66的懸空鍵以形成第一鈍化層72。第一鈍化層72可以是單層，例如，具有基本上一個原子和/或分子的厚度的層。在一些實施例中，第一鈍化層72可以具有在約3埃和約20埃之間的厚度，諸如約10埃。處理的終止物質(zhì)可以是-0，- 0H、-F、- Cl等或它們的組合。第一鈍化層72可以是密封層66的氧化物、氟化物等。例如，當(dāng)密封層66是碳氮氧化硅(S1CN)時，第一鈍化層72可以是富氧的碳氮氧化硅(S1CN)。在一些實施例中，沒有形成第一鈍化層72。
[0024]在圖3中，在第一鈍化層72上形成偏置結(jié)構(gòu)層。偏置結(jié)構(gòu)層包括位于鈍化層上的第一子層74和位于第一子層74上的第二子層76ο第一子層74可以是碳氮氧化硅(S1CN)、氮化硅(SiN)、碳氮化硅(SiCN)等并且可以通過ALD、CVD、PEALD等沉積。第二子層76可以是碳氮氧化硅(S1CN)、氮化硅(SiN)、碳氮化硅(SiCN)等，并且可以通過ALD、CVD、PEALD等沉積。第一子層74和第二子層76的每個分別共形地形成在第一鈍化層72和第一子層74上。第一子層74在正交于相應(yīng)的下面的表面的方向上具有基本上均勻的厚度，該厚度可以在約Inm和約1nm之間，諸如約5nm。第二子層76在正交于相應(yīng)的下面的表面的方向上具有基本上均勾的厚度，該厚度可以在約Inm和約1nm之間，諸如約5nm。偏置結(jié)構(gòu)層在正交于相應(yīng)的下面的表面的方向上具有基本上均勻的厚度。
[0025]在例如第二子層76的偏置結(jié)構(gòu)層上形成第二鈍化層78。第二鈍化層78形成在第二子層76的外表面上。可以通過對第二子層76實施合適的處理以鈍化第二子層76的懸空鍵來形成第二鈍化層78。在一些實施例中，處理可以是濕處理、等離子體處理、熱處理或它們的組合，諸如上文在形成第一鈍化層72中論述的處理。處理可以終止第二子層76的懸空鍵以形成第二鈍化層78。第二鈍化層78可以是單層，例如，具有基本上一個原子和/或分子的厚度的層。在一些實施例中，第二鈍化層78可以具有在約3埃和約20埃之間的厚度，諸如約10埃。處理的終止物質(zhì)可以是-0、-0H、- F、- Cl等或它們的組合。第二鈍化層78可以是第二子層76的氧化物、氟化物等。例如，當(dāng)?shù)诙訉?6是碳氮化硅(SiCN)時，第二鈍化層78可以是富氧的碳氮化硅或碳氮氧化硅(S1CN)。在一些實施例中，沒有形成第二鈍化層78。
[0026]在圖4中，在第二鈍化層78上形成第一偽層80。第一偽層80可以是氮化硅(SiN)、碳氮化硅(SiCN)等，并且可以通過ALD、CVD、PEALD等沉積。第一偽層80共形地形成在第二鈍化層78上。第一偽層80在正交于相應(yīng)的下面的表面的方向上具有基本上均勻的厚度，該厚度可以在約Inm和約1nm之間，諸如約5nm。
[0027]在圖5中，在第一偽層80上形成底部抗反射涂層(BARC) 82。BARC82可以是氧化硅、氮氧化硅等，并且可以通過ALD、CVD等沉積。圖5進一步示出了在第二區(qū)域50B(例如，襯底50的PMOS區(qū))中的BARC 82上形成的掩模84。掩?？梢允抢缤ㄟ^光刻技術(shù)旋涂和圖案化形成的光刻膠。
[0028]在圖6中，去除第一區(qū)域50A中的BARC 82，以及蝕刻第一區(qū)域50A中的密封層66、第一鈍化層72、第一子層74、第二子層76、第二鈍化層78和第一偽層80。在第二區(qū)域50B中的掩模84用于防止在這些步驟中去除或蝕刻第二區(qū)域50B中的層。例如，使用對BARC82具有選擇性的蝕刻從第一區(qū)域50A去除BARC 82，蝕刻可以是各向同性的和/或濕蝕刻。一旦從第一區(qū)域50A去除BARC 82，實施各向異性蝕刻以蝕刻第一區(qū)域50A中的密封層66、第一鈍化層72、第一子層74、第二子層76、第二鈍化層78和第一偽層80。由于各向異性蝕亥IJ，在第一區(qū)域50A中沿著第一柵極堆疊件的側(cè)壁形成第一柵極間隔件90。各向異性蝕刻可以是任何可接受的蝕刻工藝，諸如反應(yīng)離子蝕刻(RIE)、中性束蝕刻(NBE)等。每個第一柵極間隔件90包括密封間隔件部分92 (密封層66的)、第一鈍化間隔件部分94 (第一鈍化層72的)、偏置間隔件第一子部分96 (第一子層74的)、偏置間隔件第二子部分98 (第二子層76的)、第二鈍化間隔件部分100 (第二鈍化層78的)和第一偽間隔件部分102 (第一偽層80的)。如圖6所示，各向異性蝕刻可以進一步去除柵極介電層52的部分，并且蝕刻至襯底50內(nèi)。
[0029]在圖7中，在第一區(qū)域50A中的第一柵極堆疊件的相對兩側(cè)上的襯底50中形成凹槽104。凹槽104用于隨后形成的外延的源極/漏極區(qū)域?？梢允褂美鐚σr底50的材料具有選擇性的濕蝕刻來形成凹槽104，濕蝕刻其可以進一步對襯底50的期望晶面是各向同性的或選擇性的。此外，可以將諸如磷、砷等的η型雜質(zhì)注入到凹槽104的表面內(nèi)。
[0030]在圖8中，從襯底50的第二區(qū)域50Β去除掩模84。去除可以是通過任何可接受的工藝，諸如濕化學(xué)去除、等離子體灰化等。在去除掩模84后，處理第一柵極間隔件90以在第一柵極間隔件90的外表面上形成第三鈍化層106。第三鈍化層106可以通過對第一柵極間隔件90實施合適的處理以鈍化第一柵極間隔件90的懸空鍵來形成。在一些實施例中，處理可以是濕處理、等離子體處理、熱處理或它們的組合，諸如上文在形成第一鈍化層72中論述的處理。處理可以終止第一柵極間隔件90的懸空鍵以形成第三鈍化層106。第三鈍化層106可以是單層，例如，具有基本上一個原子和/或分子的厚度的層。在一些實施例中，第三鈍化層106可以具有在約3埃和約20埃之間的厚度，諸如約10埃。處理的終止物質(zhì)可以是- O、-0Η、-F、-Cl等或它們的組合。第三鈍化層106可以是第一柵極間隔件90的一個或多個相應(yīng)部分的氧化物、氟化物等。
[0031]在圖9中，在凹槽104中形成外延的源極/漏極區(qū)域108。在一些實施例中，通過在凹槽104中外延生長材料來形成外延的源極/漏極區(qū)域108，諸如通過金屬有機CVD(MOCVD)、分子束外延(MBE)、液相外延(LPE)、汽相外延(VPE)、選擇性外延生長(SEG)等或它們的組合。外延的源極/漏極區(qū)域108可以包括硅、SiC, SiCP, SiP等。
[0032]在圖10中，去除第二區(qū)域50Β中的BARC 82。例如，使用對BARC 82具有選擇性的蝕刻去除BARC 82，蝕刻可以是各向同性的和/或濕蝕刻。一旦去除BARC 82，可以實施可接受的諸如SC2、SCl和稀釋的氫氟(HF)酸浸漬的清洗工藝。清洗可以從第一柵極間隔件90去除第三鈍化層106。圖10示出了從第一柵極間隔件90去除第三鈍化層106。在其他實施例中，可以保留第三鈍化層106。在任何清洗之后，在第一區(qū)域50Α中的襯底50、第一柵極間隔件90和第一柵極堆疊件上以及在第二區(qū)域50Β中的第一偽層80上形成第二偽層120。第二偽層120可以是氮化硅(SiN)、碳氮化硅(SiCN)等，并且可以通過ALD、CVD,PEALD等沉積。第二偽層120共形地形成在第一區(qū)域50A中的襯底50、第一柵極間隔件90和第一柵極堆疊件上并且共形地形成在第二區(qū)域50B中的第一偽層80上。第二偽層120可以在正交于相應(yīng)的下面的表面的方向上具有基本上均勻的厚度，該厚度可以在約Inm和約1nm之間，諸如約5nm。應(yīng)該指出的是，在去除BARC 82和/或清洗的處理中，第一偽層80和第一柵極間隔件90的第一偽間隔件部分102可能經(jīng)受一些損失。在圖10中，第一偽層80和第一偽間隔件部分102的厚度可以在約Inm和約1nm之間，諸如約5nm。
[0033]在圖11中，在第二偽層120上形成BARC 122。BARC 122可以是氧化硅、氮氧化硅等，并且可以通過ALD、CVD等沉積。圖11進一步示出了在第一區(qū)域50A(例如，襯底50的NMOS區(qū)域)中的BARC 122上形成的掩模124。掩?？梢允抢缤ㄟ^光刻技術(shù)旋涂和圖案化形成的光刻膠。
[0034]在圖12中，去除第二區(qū)域50B中的BARC 122，并且蝕刻第二區(qū)域50B中的密封層66、第一鈍化層72、第一子層74、第二子層76、第二鈍化層78、第一偽層80和第二偽層120。第一區(qū)域50A中的掩模124用于防止在這些步驟期間去