有機(jī)發(fā)光器件和包括有機(jī)發(fā)光器件的顯示單元的制作方法
【專(zhuān)利說(shuō)明】
[00011 本申請(qǐng)是申請(qǐng)?zhí)枮?01210080412.1、申請(qǐng)日為2012年03月23日、申請(qǐng)人為索尼公 司、發(fā)明名稱(chēng)為"有機(jī)發(fā)光器件和包括有機(jī)發(fā)光器件的顯示單元"的發(fā)明專(zhuān)利申請(qǐng)的分案申 請(qǐng)。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002] 本發(fā)明涉及具有絕緣膜作為有機(jī)層下器件隔離膜的有機(jī)發(fā)光器件以及包括該有 機(jī)發(fā)光器件的顯示單元。
【背景技術(shù)】
[0003] 近年來(lái)，作為一種平板顯示器，采用有機(jī)發(fā)光器件的有機(jī)發(fā)光顯示器已經(jīng)引起人 們的重視。因?yàn)橛袡C(jī)發(fā)光顯示器不需要背光，所以其厚度和重量可得到減小。此外，因?yàn)橛?機(jī)發(fā)光顯示器是自照明型顯示器，所以視角很寬，并且功耗很低。此外，有機(jī)發(fā)光顯示器被 看作對(duì)高清晰度和高速視頻信號(hào)具有足夠響應(yīng)的顯示器。因此，有機(jī)發(fā)光顯示器的開(kāi)發(fā)已 經(jīng)朝著將其實(shí)際應(yīng)用的方向推進(jìn)。
[0004] 作為有機(jī)發(fā)光器件的構(gòu)造，例如，已知這樣的構(gòu)造，其中第一電極、包括發(fā)光層的 有機(jī)層以及第二電極按順序形成在基板之上，其間具有TFT(薄膜晶體管)和平坦化層等(例 如，日本未審查專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)No.2001-110575)。在第一電極的邊緣上，設(shè)置絕緣膜(器件隔 離膜）以保證第一電極和第二電極之間的絕緣(例如，日本未審查專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)No . 2009-4347和No. 2001-175200)。為了防止由于具有極小膜厚度的有機(jī)層和第二電極的斷開(kāi)引起 的器件特性退化，絕緣膜設(shè)置成適當(dāng)?shù)臐u縮形狀。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 然而，在采用前述的適當(dāng)漸縮形狀的絕緣膜的情況下，絕緣膜廣泛地覆蓋第一電 極，導(dǎo)致降低開(kāi)口比的缺點(diǎn)。特別是，在這樣的絕緣膜應(yīng)用于小型高清晰度顯示單元的情況 下，這樣的缺點(diǎn)具有較大的影響。
[0006] 希望的是提供能夠防止有機(jī)層和第二電極斷開(kāi)且具有高開(kāi)口比的有機(jī)發(fā)光器件 以及包括該有機(jī)發(fā)光器件的顯示單元。
[0007] 根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供的第一有機(jī)發(fā)光器件包括:第一電極和第二電極； 有機(jī)層，包括位于第一電極和第二電極之間的發(fā)光層；以及絕緣膜，覆蓋第一電極的從其表 面到其側(cè)面的邊緣，并且具有與有機(jī)層接觸的內(nèi)壁面以及在內(nèi)壁面中的一個(gè)或更多拐角部 分，拐角部分的脊線平行于第一電極的表面。
[0008] 根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供的第二有機(jī)發(fā)光器件包括:第一電極和第二電極； 有機(jī)層，包括位于第一電極和第二電極之間的發(fā)光層；以及絕緣膜，覆蓋第一電極的側(cè)面， 并且具有從側(cè)面的上端到下端的傾斜表面。
[0009] 根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供的第一顯示單元包括多個(gè)有機(jī)發(fā)光器件，其中有 機(jī)發(fā)光器件包括:第一電極和第二電極;有機(jī)層，包括位于第一電極和第二電極之間的發(fā)光 層；以及絕緣膜，覆蓋第一電極的從其表面到其側(cè)面的邊緣，并且具有與有機(jī)層接觸的內(nèi)壁 面以及在內(nèi)壁面中的一個(gè)或更多拐角部分，拐角部分的脊線平行于所述第一電極的表面。
[0010] 根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，提供的第二顯示單元包括多個(gè)有機(jī)發(fā)光器件，其中有 機(jī)發(fā)光器件包括:第一電極和第二電極;有機(jī)層，包括位于第一電極和第二電極之間的發(fā)光 層；以及絕緣膜，覆蓋第一電極的側(cè)面，并且具有從側(cè)面的上端到下端的傾斜表面。
[0011] 在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的第一有機(jī)發(fā)光器件或第一顯示單元中，絕緣膜(器件隔離 膜)與有機(jī)層接觸的內(nèi)壁面具有以拐角部分為邊界的多個(gè)面，其每一個(gè)相對(duì)于第一電極的 表面(水平面)具有不同的夾角，即第一電極側(cè)的相對(duì)陡峭的面(第一面)和第二電極側(cè)的具 有相對(duì)適當(dāng)傾斜角的一個(gè)或更多面(第二面）。在第二面抑制第二電極斷開(kāi)的同時(shí)，第一面 保證了開(kāi)口尺寸。
[0012] 在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的第二有機(jī)發(fā)光器件或第二顯示單元中，第一電極的側(cè)面從 上端到下端的部分覆蓋有絕緣膜。因此，絕緣膜不形成在第一電極的表面上，第一電極的整 個(gè)表面暴露，并且通過(guò)絕緣膜的傾斜表面抑制第二電極的斷開(kāi)。
[0013] 在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的第一有機(jī)發(fā)光器件和第一顯示單元中，在作為器件隔離膜 的絕緣膜的內(nèi)壁面中設(shè)置一個(gè)或更多的拐角部分。在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的第二有機(jī)發(fā)光器 件和第二顯示單元中，在作為器件隔離膜的絕緣膜中設(shè)置傾斜表面。因此，能夠防止由于有 機(jī)層和第二電極斷開(kāi)引起的器件特性退化，并且能夠改善開(kāi)口比。
[0014] 應(yīng)當(dāng)理解的是，前面的概括描述和下面的詳細(xì)描述二者都是示例性的，并且旨在 對(duì)限定的技術(shù)方案提供進(jìn)一步的說(shuō)明。
【附圖說(shuō)明】
[0015] 包括的附圖用于提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，其結(jié)合在本說(shuō)明書(shū)中且構(gòu)成本說(shuō)明 書(shū)的一部分。附圖示出了實(shí)施例，并且與說(shuō)明書(shū)一起用于說(shuō)明本發(fā)明的原理。
[0016] 圖1是示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示單元構(gòu)造的示意圖。
[0017 ]圖2是示出圖1所示的像素驅(qū)動(dòng)電路示例的示意圖。
[0018]圖3是示出圖1所示的有機(jī)EL器件構(gòu)造的截面圖。
[0019]圖4是圖3所示的絕緣膜的放大截面圖。
[0020]圖5A至圖5C是圖3所示的有機(jī)EL器件的放大截面圖。
[0021 ]圖6是示出根據(jù)比較示例的絕緣膜構(gòu)造的截面圖。
[0022] 圖7是示出絕緣膜的內(nèi)壁面中的第一面和第一電極的表面形成的夾角（Θ1)與電流 量之間的關(guān)系的示意圖。
[0023] 圖8是說(shuō)明取決于拐角部分的存在的亮度降低率的示意圖。
[0024] 圖9是說(shuō)明邊緣發(fā)光的示意圖。
[0025] 圖10是說(shuō)明絕緣膜的內(nèi)壁面中的第二面和第一電極的表面形成的夾角（Θ2)與亮 度降低之間關(guān)系的示意圖。
[0026] 圖11是示出第一電極的表面到拐角部分的高度(H)與亮度降低率之間關(guān)系的示意 圖。
[0027] 圖12是根據(jù)圖4所示的絕緣膜的修改的截面圖。
[0028] 圖13是說(shuō)明圖12所示的夾角Θ2和Θ3的優(yōu)選范圍的示意圖。
[0029] 圖14是示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的顯示單元構(gòu)造的示意圖。
[0030] 圖15是示出包括圖3和圖14所示的顯示單元的模塊示意性構(gòu)造的平面圖。
[0031 ]圖16是示出第一應(yīng)用示例的外觀的透視圖。
[0032] 圖17A是示出從第二應(yīng)用示例的前側(cè)觀看到的外觀的透視圖，而圖17B是示出從第 二應(yīng)用示例的后側(cè)觀看到的外觀的透視圖。
[0033] 圖18是示出第三應(yīng)用示例的外觀的透視圖。
[0034] 圖19是示出第四應(yīng)用示例的外觀的透視圖。
[0035]圖20A是未關(guān)閉的第五應(yīng)用示例的正視圖，圖20B是其側(cè)視圖，圖20C關(guān)閉的第五應(yīng) 用示例的正視圖，圖20D是其左側(cè)視圖，圖20E是其右側(cè)視圖、圖20F是其俯視圖，而圖20G是 其仰視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0036]下文將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例。描述將以下面的順序給出：
[0037] 1.第一實(shí)施例(絕緣膜具有拐角部分的示例）
[0038] 2.修改(絕緣膜具有多個(gè)拐角部分的示例）
[0039] 3.第二實(shí)施例(絕緣膜具有傾斜表面的示例）
[0040] 4.應(yīng)用示例
[00411 [第一實(shí)施例]
[0042I圖1示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示單元（顯示單元1)的構(gòu)造。顯示單元1是有機(jī) EL(電致發(fā)光)顯示單元。在顯示單元1中，作為顯示區(qū)域110,多個(gè)有機(jī)EL器件(有機(jī)發(fā)光器 件）10R、IOG和IOB以矩陣狀態(tài)布置在基板11之上。有機(jī)EL器件10R、IOG和IOB分別產(chǎn)生紅光 (波長(zhǎng):620nm 至 750nm，包括620nm 和 750nm)、綠光(波長(zhǎng):495nm 至 570nm，包括495nm 和 570nm) 和藍(lán)光（波長(zhǎng)：450nm至495nm，包括450nm和495nm)。顯示圖像的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路120和掃描 線驅(qū)動(dòng)電路130設(shè)置在顯示區(qū)域110的周邊上。
[0043] 在顯示區(qū)域110中，設(shè)置有源型驅(qū)動(dòng)電路(像素驅(qū)動(dòng)電路140)。如圖2所示，像素驅(qū) 動(dòng)電路140具有驅(qū)動(dòng)晶體管Trl和寫(xiě)入晶體管Tr2,并且在晶體管Trl和Tr2之間的區(qū)域中設(shè) 置電容器Cs。有機(jī)EL器件IOR (或者有機(jī)EL器件IOG或IOB)串聯(lián)地連接到第一電源線(Vcc)和 第二電源線(GND)之間的晶體管Trl。信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路120通過(guò)列方向上布置的多個(gè)信號(hào)線 120A提供圖像信號(hào)到晶體管Tr2的源極電極。掃描線驅(qū)動(dòng)電路130通過(guò)行方向上布置的多個(gè) 掃描線130A順序地提供掃描信號(hào)到晶體管Tr2的柵極電極。
[0044]圖3示出了圖1所示的有機(jī)EL器件IOR和IOG的截面構(gòu)造。盡管圖3沒(méi)有示出有機(jī)EL 器件10B，但是有機(jī)EL器件IOB具有與有機(jī)EL器件IOR和IOG大致相同的構(gòu)造。有機(jī)EL器件IOR 和IOG分別具有這樣的構(gòu)造，其中從基板11側(cè)依次層疊包括前述的像素驅(qū)動(dòng)電路140的驅(qū)動(dòng) 電路層12、平坦化層13、作為陽(yáng)極的第一電極14、絕緣膜15、包括稍后描述的發(fā)光層16C的有 機(jī)層16以及作為陰極的第二電極17。從第二電極17側(cè)提取發(fā)光層16C中產(chǎn)生的光。
[0045]如上的有機(jī)EL器件10R、IOG和IOB覆蓋有保護(hù)膜18。此外，密封面板20與保護(hù)膜18 的整個(gè)表面通過(guò)其間的粘合劑層30相接合，從而密封有機(jī)EL器件10R、10G和10B。
[0046]基板11由玻璃、硅(Si)晶片、樹(shù)脂或?qū)щ娀宓戎圃?。在采用?dǎo)電基板的情況下， 其表面通過(guò)采用二氧化硅(SiO2)或樹(shù)脂而絕緣。驅(qū)動(dòng)電路層12的構(gòu)造沒(méi)有特別限定。例如， 驅(qū)動(dòng)電路層12的TFT例如可為底柵型或頂柵型。此外，驅(qū)動(dòng)電路層12的TFT可為MOSFET(金屬 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管）。
[0047] 平坦化層13用于平坦化基板11的形成像素驅(qū)動(dòng)電路140的表面。平坦