顯示裝置及用于制造該顯示裝置的設(shè)備和方法
【專利說明】
[0001] 本申請要求于2014年11月11日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2014-0156236 號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，該申請的公開內(nèi)容通過引用全部包含于此。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002] 一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例涉及一種顯示裝置、一種用于制造顯示裝置的設(shè)備和 一種制造顯示裝置的方法。
【背景技術(shù)】
[0003] 近年來，移動電子裝置已經(jīng)變得越來越受歡迎。例如，諸如移動電話和平板個(gè)人電 腦（PC)的手持電子裝置被廣泛使用。
[0004] 這些移動電子裝置通常包括用于將諸如圖像或視頻的可視信息提供給用戶的顯 示裝置。最近，在將用于驅(qū)動顯示裝置的部件小型化的需求發(fā)展的同時(shí)，顯示部件在電子裝 置中的重量已經(jīng)逐漸增大。另外，能夠以預(yù)定角度彎曲大體上平坦的顯示裝置的結(jié)構(gòu)已經(jīng) 得到發(fā)展。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] -個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例包括一種顯示裝置以及制造該顯示裝置的設(shè)備和方 法。
[0006] 本發(fā)明的另外的方面在接下來的描述中部分地闡述，并且部分地通過描述是明顯 的，或可以通過給出的實(shí)施例的實(shí)施來得知。
[0007] 根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例，一種顯示裝置包括：基板；顯示單元，形成在基 板上；以及無機(jī)層，形成在顯示單元上，其中，無機(jī)層的水蒸氣透過率（WVTR)是5X10 5g/m2 每天或更小。
[0008] 無機(jī)層的折射率可以在大約1. 8和大約1. 88之間。
[0009] 無機(jī)層的在450nm的透射率可以是大約90 %或更大。
[0010] 無機(jī)層的應(yīng)力可以在大約_200MPa和大約200MPa之間。
[0011] 無機(jī)層中的硅（Si)-氮（N)的鍵比可以是大約60%或更大，并且Si-氫（H)的鍵 比可以是大約30 %或更小。
[0012] 根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例，一種用于制造顯示裝置的設(shè)備包括：室；噴頭， 用于將混合氣體噴射到室中；等離子體產(chǎn)生單元，用于從混合氣體形成等離子體；基座，面 對噴頭并且基板安放在基座上；以及電源單元，電連接到等離子體產(chǎn)生單元，其中，從電源 單元供應(yīng)至等離子體產(chǎn)生單元的電流的頻率在大約27MHz和大約42MHz之間。
[0013] 基板的溫度可以保持在大約KKTC或更低。
[0014] 混合氣體中的硅烷的分壓比可以在大約30%和大約80%之間。
[0015] 根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)示例性實(shí)施例，一種制造顯示裝置的方法包括：在基板上形成 顯示單元；在室內(nèi)在基座上安放并對準(zhǔn)基板；以及通過噴頭將等離子體混合氣體噴射到顯 示單元上來在顯示單元上形成無機(jī)層，其中，噴頭包括用于從混合氣體形成等離子體的等 離子體產(chǎn)生單元，并且供應(yīng)至等離子體產(chǎn)生單元的電力的電流的頻率在大約27MHz和大約 42MHz之間。
[0016] 無機(jī)層的水蒸氣透過率（WVTR)可以是5X 10 5g/m2每天或更小。
【附圖說明】
[0017] 通過下面結(jié)合附圖的示例性實(shí)施例的描述，這些和/或其他方面將變得明顯并更 容易理解，在附圖中：
[0018] 圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例的用于制造顯示裝置的設(shè)備的示意圖；
[0019] 圖2是將圖1的設(shè)備的等離子體電勢差與現(xiàn)有設(shè)備的等離子體電勢差進(jìn)行比較的 曲線圖；
[0020] 圖3是由圖1的設(shè)備制造的顯示裝置的一部分的剖視側(cè)視圖；以及
[0021] 圖4是示出圖3的顯示裝置中的無機(jī)層的水蒸氣透過特性的曲線圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022] 在下文中，描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，示例性實(shí)施例的示例示出在附圖中，其 中，同樣的附圖標(biāo)記始終指示同樣的元件。在這方面，給出的示例性實(shí)施例可以具有不同的 形式并且不應(yīng)該被解釋為限于這里闡述的描述。因此，下面僅通過參照附圖描述示例性實(shí) 施例，以解釋本發(fā)明的多個(gè)方面。
[0023] 將理解的是，盡管在這里可以使用術(shù)語"第一"、"第二"等來描述各種組件，但是這 些組件不應(yīng)該被這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅用來將一個(gè)組件與另一組件區(qū)分開。
[0024] 如這里使用的，除非上下文另有明確指示，否則單數(shù)形式"一個(gè)"、"一種"、"該"和 "所述"也意圖包括復(fù)數(shù)形式。
[0025] 還將理解的是，這里使用的術(shù)語"包括"和/或"包含"說明存在陳述的特征或組 件，但是不排除存在或添加一個(gè)或更多個(gè)其他特征或組件。
[0026] 將理解的是，當(dāng)層、區(qū)域或組件被稱為"形成在"另一層、區(qū)域或組件"上"時(shí)，所述 層、區(qū)域或組件可以直接或間接形成在所述另一層、區(qū)域或組件上。即，例如，可以存在中間 的層、區(qū)域或組件。
[0027] 為了便于解釋，可以夸大附圖中的元件的尺寸。換言之，由于為了便于解釋而任意 示出附圖中的組件的尺寸和厚度，因此下面的實(shí)施例不限于此。
[0028] 當(dāng)特定的實(shí)施例可以被不同地實(shí)施時(shí)，可按照與所描述的順序不同的順序來執(zhí)行 特定工藝順序。例如，兩個(gè)連續(xù)地描述的工藝可以基本上同時(shí)執(zhí)行或按照與所描述的順序 相反的順序執(zhí)行。
[0029] 如在這里所使用的，術(shù)語"和/或"包括一個(gè)或更多個(gè)相關(guān)所列項(xiàng)目的任意和所有 組合。當(dāng)諸如"…中的至少一個(gè)（種）"的表述在一系列元件（要素）之后時(shí)，修飾整個(gè)系 列的元件（要素），而不是修飾系列中的個(gè)別元件（要素）。
[0030] 如在這里所使用的，術(shù)語"現(xiàn)有設(shè)備"是指在現(xiàn)有技術(shù)中典型的用于形成顯示裝置 的標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備。類似地，術(shù)語"現(xiàn)有工藝"是指在現(xiàn)有技術(shù)中典型的用于制造顯示裝置的標(biāo)準(zhǔn) 工藝，即，根據(jù)現(xiàn)有設(shè)備的工藝。術(shù)語"現(xiàn)有顯示裝置"類似地是指在現(xiàn)有技術(shù)中典型的顯 示裝置，例如，根據(jù)現(xiàn)有工藝或現(xiàn)有設(shè)備制造的顯示裝置。
[0031] 圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例的用于制造顯示裝置的設(shè)備100的示意 圖。圖2是將圖1的設(shè)備100的等離子體電勢差與現(xiàn)有設(shè)備的等離子體電勢差進(jìn)行比較的 曲線圖。
[0032] 參照圖1和圖2,設(shè)備100可以包括室111、噴頭120、等離子體產(chǎn)生單元131、電源 單元132、基座140、驅(qū)動單元150、氣體供應(yīng)單元161、清潔單元162、掩模171、掩模固定單 元172、視覺單元191、排氣單元180和控制單元。
[0033] 室111可以在其中具有空間并可以包括開口 111a，基板210可以通過開口 Illa被 插入或取出。閘門閥112可以被安裝在開口 Illa處，使得閘門閥112打開或關(guān)閉開口 111a。
[0034] 噴頭120可以位于室111內(nèi)。噴頭120可以包括在其中具有空間的噴頭主體121 和位于噴頭主體121內(nèi)的擋板122。
[0035] 噴頭主體121可以具有至少一個(gè)噴孔121a。噴頭主體121可以連接到為噴頭主體 121供應(yīng)混合氣體的氣體供應(yīng)單元161。然后，混合氣體通過至少一個(gè)噴孔121a被噴射到 室111內(nèi)。
[0036] 擋板122可以劃分噴頭主體121內(nèi)的空間。擋板122可以以均勻壓力將從氣體供 應(yīng)單元161供應(yīng)的混合氣體供應(yīng)到至少一個(gè)噴孔121a。
[0037] 混合氣體可以以各種方式形成。例如，混合氣體可以包括反應(yīng)氣體和惰性氣體。 在一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例中，反應(yīng)氣體可以包括諸如硅烷（SiH 4)等的硅前驅(qū)體，反應(yīng)氣體可 以包括氮（N2)或氨（NH3)，惰性氣體可以包括氦（He)氣等。惰性氣體可以用作吹掃氣或載 氣。
[0038] 反應(yīng)氣體和惰性氣體可以被分別地供應(yīng)到噴頭主體121。如此，反應(yīng)氣體和惰性氣 體可以在噴頭