樣可以使得所述終端區(qū)域的擊穿電壓始終高于所述元胞區(qū)域的擊穿電壓，這就確保了半導體器件的擊穿發(fā)生在元胞區(qū)域內(nèi)，進而提高半導體器件的耐用度。
[0114]具體的，請參閱圖10至圖11，其中圖11為圖10沿EE’方向的截面示意圖。由圖10至圖11可知，在一個實施例中，所述元胞區(qū)域內(nèi)還包括一離子注入連接區(qū)29，用于連接所述第一子導柱231和所述第二子導柱232。所述離子注入連接區(qū)29的一端與所述第一子導柱231相連接，另一端與所述第二子導柱232相連接。所述離子注入連接區(qū)29在所述第二子導柱232上表面延伸的方向上間隔分布，相鄰兩個所述離子注入連接區(qū)29之間間隔一定的距離，如圖10所示。將所述第一子導柱231與所述第二子導柱232通過所述離子注入連接區(qū)29相連接，可以通過所述離子注入連接區(qū)29的個數(shù)和面積來控制所述第一子導柱231與所述第二子導柱232的連接面積的大小，進而解決因為所述第一子導柱231與所述第二子導柱232完全分離而帶來的電荷不平衡的問題，同時也還具有控制少子注入和改善反向恢復的效果，以及使得所述終端區(qū)域的擊穿電壓始終高于所述元胞區(qū)域的擊穿電壓，確保了半導體器件的擊穿發(fā)生在元胞區(qū)域內(nèi)，進而提高半導體器件的耐用度。
[0115]具體的，所述離子注入連接區(qū)29內(nèi)的離子注入劑量小于lX1013atom/cm2。
[0116]具體的，所述離子注入連接區(qū)29可以為第二導電類型的離子注入連接區(qū)，也可以為第一導電類型的離子連接注入?yún)^(qū)。
[0117]具體的，請繼續(xù)參閱圖8，本實施例中，所述具有超結結構的半導體器件還包括一終端區(qū)域，所述終端區(qū)域在垂直于電流通路方向上環(huán)繞所述元胞區(qū)域；所述終端區(qū)域內(nèi)包括襯底20、位于所述襯底20上的第一導電類型的外延層21、位于所述第一導電類型的外延層21內(nèi)的第一導電類型的導柱22和第二導電類型的導柱23 ;所述終端區(qū)域內(nèi)的所述第一導電類型的導柱22與所述第二導電類型的導柱23沿著電流通路的方向在所述終端區(qū)域內(nèi)的所述第一導電類型的外延層21內(nèi)延伸，在垂直于電流通路的方向交替連接設置，形成超結結構。
[0118]具體的，請繼續(xù)參閱圖8，本實施例中，所述具有超結結構的半導體器件還包括一過渡區(qū)域，所述過渡區(qū)域位于所述元胞區(qū)域和所述終端區(qū)域之間，且在垂直于電流通路方向上被所述終端區(qū)域所環(huán)繞；所述過渡區(qū)域包括襯底20、位于所述襯底20上的第一導電類型的外延層21、位于所述第一導電類型的外延層21內(nèi)的至少一個第一導電類型的導柱22和至少一個第二導電類型的導柱23、以及位于所述第一導電類型的外延層21內(nèi)的第二導電類型的第二本體區(qū)28 ;所述第二本體區(qū)28將所述過渡區(qū)域內(nèi)的至少一個第二導電類型的導柱23連接至所述元胞區(qū)域內(nèi)的所述第一導電類型的源區(qū)。
[0119]具體的，所述元胞區(qū)域內(nèi)的所述第一導電類型的外延層21的上表面形成有柵極結構26，所述柵極結構26由下至上依次包括柵間介質(zhì)層261、多晶硅柵極262和氧化硅層263。所述柵極結構26的上方設有源極電極27，所述源極電極27與所述第一本體區(qū)24和所述第一導電類型的源區(qū)25相連接。
[0120]具體的，所述第一導電類型可以是N型，而所述第二導電類型相應的是P型。
[0121 ] 具體的，所述第一導電類型也可以是P型，而所述第二導電類型相應的是N型。
[0122]需要說明的是，所述第一導電類型的導柱22可以為如圖8至圖11所示的位于兩相鄰所述第二導電類型的導柱23之間的所述第一導電類型的外延層21，也可以為通過相關的制備工藝，在所述第二導電類型的導柱23之間新形成的第一導電類型的結構。
[0123]需要進一步說明的是，所述第二導電類型的導柱23可以為如圖8至圖11所示的條形柱，也可以為通過在襯底上多次外延第一導電類型的外延層，并在每次外延層生長之后，在預定的區(qū)域內(nèi)注入離子形成第二導電類型的材料，最后經(jīng)過退火與推結而形成的串行柱，如圖7所示。
[0124]實施例三
[0125]請參閱圖12至圖13，本實施例中還提供一種具有超結結構的半導體器件，所述半導體器件至少包括:元胞區(qū)域；所述元胞區(qū)域內(nèi)包括襯底20、位于所述襯底20上的第一導電類型的外延層21、位于所述第一導電類型的外延層21內(nèi)的第一導電類型的導柱22和第二導電類型的導柱23 ;所述第一導電類型的導柱22與第二導電類型的導柱23沿著電流通路的方向在所述第一導電類型的外延層21內(nèi)延伸，在垂直于電流通路的方向交替連接設置，形成超結結構；所述第一導電類型的外延層21內(nèi)還包括第二導電類型的第一本體區(qū)24和位于所述第一本體區(qū)24內(nèi)的第一導電類型的源區(qū)28 ;所述第一本體區(qū)24位于所述第二導電類型的導柱23的上方，隨所述第二導電類型的導柱23 —起間隔分布；且與位于其下方的所述第二導電類型的導柱23相連接；所述第一導電類型的導柱22，所述第二導電類型的導柱23中離子注入的劑量至少包括第一劑量和第二劑量，所述第二導電類型的導柱23與所述第一本體區(qū)24相連接的區(qū)域內(nèi)離子注入的劑量為第二劑量，所述第一劑量與所述第二劑量的比值大于5。即所述第二導電類型的導柱23包括第一劑量區(qū)233和第二劑量區(qū)234，所述第二劑量區(qū)234與所述第一本體區(qū)24相連接，所述第一劑量區(qū)233位于所述第二劑量區(qū)234的下方。
[0126]所述第二導電類型的導柱23與所述第一本體區(qū)24相連接的區(qū)域內(nèi)離子注入的第二劑量遠小于其他區(qū)域的第一劑量，可以使得所述半導體器件在工作時，使得所述第二導電類型的導柱23與所述第一本體區(qū)24相連接的區(qū)域內(nèi)的離子較其他區(qū)域內(nèi)的離子優(yōu)先耗盡，而使得所述第二導電類型的導柱23與所述第一本體區(qū)24斷開，可以有效地避免在反向恢復時，可以使得載流子的抽取效率降低，從而改善反向恢復時的損耗和電壓震蕩。同時，又由于所述第二劑量遠小于所述第一劑量，也可以達到減小所述第二導電類型的導柱23同源極電極相連接的結面積，從而能夠減弱少子的注入量的效果。
[0127]具體的，所述電流通路的方向在圖12中應為與所述第二導電類型的導柱23相平行的自上至下的方向。
[0128]具體的，所述第一劑量等于最佳離子注入劑量，所述最佳離子注入劑量為在所述第一導電類型的導柱22的離子注入劑量和/或所述第二導電類型的導柱23的離子注入劑量被設為均勻的情況下，使得所述半導體器件具有最大擊穿電壓的離子注入劑量。
[0129]具體的，請繼續(xù)參閱圖12，本實施例中，所述具有超結結構的半導體器件還包括一終端區(qū)域，所述終端區(qū)域在垂直于電流通路方向上環(huán)繞所述元胞區(qū)域；所述終端區(qū)域內(nèi)包括襯底20、位于所述襯底20上的第一導電類型的外延層21、位于所述第一導電類型的外延層21內(nèi)的第一導電類型的導柱22和第二導電類型的導柱23 ;所述終端區(qū)域內(nèi)的所述第一導電類型的導柱22與所述第二導電類型的導柱23沿著電流通路的方向在所述終端區(qū)域內(nèi)的所述第一導電類型的外延層21內(nèi)延伸，在垂直于電流通路的方向交替連接設置，形成超結結構。所述終端區(qū)域內(nèi)的所述第一導電類型的導柱22和所述終端區(qū)域內(nèi)的所述第二導電類型的導柱23中離子注入的劑量至少包括第一劑量。
[0130]具體的，請繼續(xù)參閱圖12，本實施例中，所述具有超結結構的半導體器件還包括一過渡區(qū)域，所述過渡區(qū)域位于所述元胞區(qū)域和所述終端區(qū)域之間，且在垂直于電流通路方向上被所述終端區(qū)域所環(huán)繞；所述過渡區(qū)域包括襯底20、位于所述襯底20上的第一導電類型的外延層21、位于所述第一導電類型的外延層21內(nèi)的至少一個第一導電類型的導柱22和至少一個第二導電類型的導柱23、以及位于所述第一導電類型的外延層21內(nèi)的第二導電類型的第二本體區(qū)24 ;所述第二本體區(qū)24將所述過渡區(qū)域內(nèi)的至少一個第二導電類型的導柱23連接至所述元胞區(qū)域內(nèi)的所述第一導電類型的源區(qū)25 ;所述過渡區(qū)域內(nèi)的所述第一導電類型的導柱22和所述過渡區(qū)域內(nèi)的所述第二導電類型的導柱23中離子注入的劑量至少包括第一劑量。
[0131]具體的，所述元胞區(qū)域內(nèi)的所述第一導電類型的外延層21的上表面形成有柵極結構26，所述柵極結構26由下至上依次包括柵間介質(zhì)層261、多晶硅柵極262和氧化硅層263。所述柵極結構26的上方設有源極電極27，所述源極電極27與所述第一本體區(qū)24和所述第一導電類型的源區(qū)25相連接。
[0132]具體的，所述第一導電類型可以是N型，而所述第二導電類型相應的是P型。
[0133]具體的，所述第一導電類型也可以是P型，而所述第二導電類型相應的是N型。
[0134]需要說明的是，所述第一導電類型的導柱22可以為如圖12至圖13所示的位于兩相鄰所述第二導電類型的導柱23之間的所述第一導電類型的外延層21，也可以為通過相關的制備工藝，在所述第二導電類型的導柱23之間新形成的第一導電類型的結構。
[0135]需要進一步說明的是，所述第二導電類型的導柱23可以為如圖12至圖13所示的條形柱，也可以為通過在襯底上多次外延第一導電類型的外延層，并在每次外延層生長之后，在預定的區(qū)域內(nèi)注入離子形成第二導電類型的材料，最后經(jīng)過退火與推結而形成的串行柱，如圖7所示。
[0136]綜上所述