一種發(fā)光二極管芯片及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種發(fā)光二極管芯片及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來(lái)，以發(fā)光二極管(Light Emitting D1de，簡(jiǎn)稱“LED”)為代表的半導(dǎo)體照明技術(shù)得到飛速發(fā)展。LED已經(jīng)廣泛應(yīng)用在指示燈、顯示屏、背光源和照明光源等多種領(lǐng)域。
[0003]現(xiàn)有的LED芯片是先在藍(lán)寶石襯底的第一表面生長(zhǎng)外延層并在外延層上設(shè)置電極，在藍(lán)寶石襯底的第二表面形成反光層，再對(duì)藍(lán)寶石襯底進(jìn)行切割，即可得到若干LED芯片。其中，第二表面為與第一表面相反的表面。反光層用于反射外延層產(chǎn)生的光線，使光線從電極所在的一側(cè)出射，提升LED芯片在封裝應(yīng)用時(shí)的亮度表現(xiàn)。
[0004]在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過(guò)程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問(wèn)題:
[0005]現(xiàn)有的反光層形成于藍(lán)寶石襯底的第二表面，只能反射朝向第二表面出射的光線，光線會(huì)從藍(lán)寶石襯底的側(cè)面(藍(lán)寶石襯底的六個(gè)表面中除第一表面和第二表面之外的四個(gè)表面)出射而造成不能有效利用(由于外延層的厚度遠(yuǎn)小于藍(lán)寶石襯底，因此通常只考慮藍(lán)寶石襯底的側(cè)面)，隨著LED芯片的尺寸越來(lái)越小，從藍(lán)寶石襯底的側(cè)面出射的光所占的比例越來(lái)越高，降低了光的有效利用率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]為了解決現(xiàn)有技術(shù)降低了光的有效利用率的問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管芯片及其制作方法。所述技術(shù)方案如下:
[0007]—方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管芯片，所述發(fā)光二極管芯片包括切割后的藍(lán)寶石襯底、在所述藍(lán)寶石襯底的第一表面形成的外延層、在所述外延層上設(shè)置的電極，所述發(fā)光二極管芯片還包括在所述藍(lán)寶石襯底的第二表面和所述藍(lán)寶石襯底的側(cè)面形成的反光層，所述藍(lán)寶石襯底的第二表面為與所述藍(lán)寶石襯底的第一表面相反的表面，所述藍(lán)寶石襯底的側(cè)面為所述藍(lán)寶石襯底的表面中除所述藍(lán)寶石襯底的第一表面和所述藍(lán)寶石襯底的第二表面之外的表面。
[0008]可選地，所述反光層包括Ag反射層或Al反射層。
[0009]優(yōu)選地，所述反光層的厚度為1000?15000埃。
[0010]另一方面，一種發(fā)光二極管芯片的制作方法，所述制作方法包括:
[0011]在藍(lán)寶石襯底的第一表面形成外延層，并在所述外延層上設(shè)置電極，得到待切割芯片；
[0012]將第一膠膜覆蓋在所述待切割芯片的第一表面上，第二膠膜覆蓋在所述待切割芯片的第二表面上，所述待切割芯片的第一表面為形成有所述外延層的表面，所述待切割芯片的第二表面為與所述待切割芯片的第一表面相反的表面；
[0013]透過(guò)所述第二膠膜對(duì)所述待切割芯片進(jìn)行切割和分裂，得到若干相互獨(dú)立的發(fā)光二極管LED芯片；
[0014]去除所述第二膠膜；
[0015]對(duì)所述第一膠膜進(jìn)行擴(kuò)張，增大所述LED芯片相互之間的距離；
[0016]將所述LED芯片從所述第一膠膜上倒模到第三膠膜上，所述第三膠膜的耐溫性優(yōu)于所述第一膠膜；
[0017]在所述藍(lán)寶石襯底的第二表面和所述藍(lán)寶石襯底的側(cè)面形成反光層，所述藍(lán)寶石襯底的第二表面為與所述藍(lán)寶石襯底的第一表面相反的表面，所述藍(lán)寶石襯底的側(cè)面為所述藍(lán)寶石襯底的表面中除所述藍(lán)寶石襯底的第一表面和所述藍(lán)寶石襯底的第二表面之外的表面。
[0018]可選地，所述第一膠膜包括聚氯乙烯PVC基材和亞克力系粘著劑。
[0019]可選地，所述第二膠膜包括聚對(duì)苯二甲酸乙二酯PET基材和亞克力系粘著劑。
[0020]可選地，所述第三膠膜包括聚酰亞胺PI基材和丙烯酸系水基粘著劑。
[0021]可選地，所述LED芯片相互之間的距離為所述LED芯片的尺寸的1.3?3倍。
[0022]可選地，所述反光層包括Ag反射層或Al反射層。
[0023]優(yōu)選地，所述反光層的厚度為1000?3000埃。
[0024]本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來(lái)的有益效果是:
[0025]通過(guò)在藍(lán)寶石襯底的第二表面和藍(lán)寶石襯底的側(cè)面均形成反光層，藍(lán)寶石襯底的第二表面為與藍(lán)寶石襯底的第一表面相反的表面，藍(lán)寶石襯底的側(cè)面為藍(lán)寶石襯底的表面中除藍(lán)寶石襯底的第一表面和藍(lán)寶石襯底的第二表面之外的表面，由于藍(lán)寶石襯底的厚度遠(yuǎn)大于外延層，因此外延層產(chǎn)生的光線基本上都從電極所在的一側(cè)出射而能被有效利用，大大提高了光的有效利用率，特別適用于采用背光020封裝形式和顯示屏3535封裝形式的小尺寸LED芯片。
【附圖說(shuō)明】
[0026]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0027]圖1是本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種發(fā)光二極管芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖2是本發(fā)明實(shí)施例二提供的一種發(fā)光二極管芯片的制作方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0029]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0030]實(shí)施例一
[0031]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管芯片，參見(jiàn)圖1，該發(fā)光二極管芯片包括切割后的藍(lán)寶石襯底101、在藍(lán)寶石襯底101的第一表面形成的外延層102、在外延層103上設(shè)置的電極103，該發(fā)光二極管芯片還包括在藍(lán)寶石襯底101的第二表面和藍(lán)寶石襯底101的側(cè)面形成的反光層104，藍(lán)寶石襯底101的第二表面為與藍(lán)寶石襯底101的第一表面相反的表面，藍(lán)寶石襯底101的側(cè)面為藍(lán)寶石襯底101的表面中除藍(lán)寶石襯底101的第一表面和藍(lán)寶石襯底101的第二表面之外的表面。
[0032]具體地，反光層104可以包括Ag反射層或Al反射層。
[0033]可選地，反光層104的厚度可以為1000?3000埃。
[0034]本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)在藍(lán)寶石襯底的第二表面和藍(lán)寶石襯底的側(cè)面均形成反光層，藍(lán)寶石襯底的第二表面為與藍(lán)寶石襯底的第一表面相反的表面，藍(lán)寶石襯底的側(cè)面為藍(lán)寶石襯底的表面中除藍(lán)寶石襯底的第一表面和藍(lán)寶石襯底的第二表面之外的表面，由于藍(lán)寶石襯底的厚度遠(yuǎn)大于外延層，因此外延層產(chǎn)生的光線基本上都從電極所在的一側(cè)出射而能被有效利用，大大提高了光的有效利用率，特別適用于采用背光020封裝形式和顯示屏3535封裝形式的小尺寸LED芯片。
[0035]實(shí)施例二
[0036]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管芯片的制作方法，參見(jiàn)圖2，該制作方法包括:
[0037]步驟201:在藍(lán)寶石襯底的第一表面形成外延層，并在外延層上設(shè)置電極，得到待切割芯片。
[0038]步驟202:將第一膠膜覆蓋在待切割芯片的第一表面上，第二膠膜覆蓋在待切割芯片的第二表面上。
[0039]在本實(shí)施例中，待切割芯片的第一表面為形成有外延層的表面，待切割芯片的第二表面為與待切割芯片的第一表面相反的表面。
[°04°] 優(yōu)選地，第一膠膜可以包括聚氯乙稀(Polyvinyl chloride，簡(jiǎn)稱PVC)基材和亞克力系粘著劑，擴(kuò)張性好，便于后續(xù)分離LED芯片(詳見(jiàn)步驟205)，而且價(jià)格低廉。
[0041 ] 優(yōu)選地，第二膠膜可以包括聚對(duì)苯二甲酸