一種半導體激光器的封裝方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種半導體激光器的封裝方法，包括以下步驟，在半導體激光器的芯片的制作過程中，對半導體激光器的芯片進行一次擴散處理，然后將半導體激光器的芯片在溫度180℃至260℃下進行8至60小時的加熱處理，讓芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)進行二次充分擴散。本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明解決了芯片上金屬電極P/N面與芯片半導體材料歐姆接觸不良的問題，降低了發(fā)射半導體激光器的正向電壓，使產(chǎn)品的報廢率、不良率減少，使產(chǎn)品有效利用率大幅提高，降低成本。
【專利說明】一種半導體激光器的封裝方法

【技術(shù)領域】
[0001]本發(fā)明涉及半導體激光器【技術(shù)領域】，具體涉及一種半導體激光器的封裝方法。

【背景技術(shù)】
[0002]半導體激光器具有體積小、重量輕、電光轉(zhuǎn)換效率高、性能穩(wěn)定、可靠性高和壽命長等優(yōu)點，可廣泛應用于通信、計算機、影視、制造業(yè)、航天航空、醫(yī)療等領域，已經(jīng)成為光電行業(yè)最有前途的領域。對半導體激光器的性能參數(shù)進行測試和表征是理解掌握激光器特性的關(guān)鍵；同時也是判斷激光器好壞的重要依據(jù)。
[0003]對半導體激光器測試的性能參數(shù)重要包括LIV(功率-電流-電壓)、波長、光譜等，其中LIV測試是半導體激光器的基本測試項目。
[0004]目前用于半導體激光器LIV測試的儀器其基本原理都是采用雙通道源精密源測量單元、積分球探測器；LD的電流驅(qū)動源同時監(jiān)測正向?qū)妷航礦和工作電流I，LD激發(fā)出來的光經(jīng)積分球探測器轉(zhuǎn)化成光電流，從而通過系數(shù)換算得到實際對應的光功率。
[0005]通過對LD施加外驅(qū)動電流，測其正向電壓，會發(fā)現(xiàn)其正向電壓值Vf通常偏大。對LD TO進行分析，下列原因會決定了 Vf的數(shù)值:
[0006]a、LD芯片與熱沉之間存在電阻；
[0007]b、芯片電極與底座管腳之間的焊線產(chǎn)生的電阻；
[0008]C、芯片金屬電極P面、N面與芯片半導體材料歐姆接觸不良；
[0009]d、測試系統(tǒng)的線路的串聯(lián)電阻。
[0010]上述4種情況中，控制好生產(chǎn)和測試設備及工藝參數(shù)后，往往第三種情況是影響Vf的最主要因素。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]本發(fā)明的目的是提供一種半導體激光器的封裝方法，解決芯片上金屬電極P/N面與芯片半導體材料歐姆接觸不良的問題。
[0012]本發(fā)明解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下:一種半導體激光器的封裝方法，包括以下步驟，在半導體激光器的芯片的制作過程中，對半導體激光器的芯片進行一次擴散處理，然后將半導體激光器的芯片在溫度180°C至260°C下進行8至60小時的加熱處理，讓芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)進行二次充分擴散。
[0013]進一步，所述加熱處理的溫度為200°C，時間為8小時。
[0014]進一步，所述加熱處理是在所述芯片安裝完成后，即將半導體激光器的把條、芯片和同軸TO-Can半成品/成品作為一個整體來進行加熱處理。
[0015]本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明提供了一種半導體激光器的封裝方法，解決了芯片上金屬電極P/N面與芯片半導體材料歐姆接觸不良的問題，降低了發(fā)射激光器的正向電壓，使廣品的報廢率、不良率減少，使廣品有效利用率大幅提聞，降低成本。

【具體實施方式】
[0016]以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本發(fā)明，并非用于限定本發(fā)明的范圍。
[0017]一種半導體激光器的封裝方法，包括以下步驟，在半導體激光器的芯片的制作過程中，對半導體激光器的芯片進行一次擴散處理，然后將芯片在溫度180°C至260°C下進行8至60小時的加熱處理，讓芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)進行二次充分擴散，改善芯片金屬電極P面、N面與芯片半導體材料歐姆接觸不良的問題。
[0018]優(yōu)選的，所述加熱處理是在所述芯片安裝完成后，即將半導體激光器的把條、芯片和同軸TO-Can半成品/成品作為一個整體來進行加熱處理。所述加熱處理的溫度為200 V，時間為8小時。
[0019]對本發(fā)明一種半導體激光器的封裝方法進行實驗分析，實驗中對150只1550nm FPTO-Can不良成品進行加熱處理二次擴散實驗，在200°C溫度下烘烤8小時，產(chǎn)品的正向電壓值有95%恢復到正常值狀態(tài)；對其余不良品繼續(xù)做高溫烘烤實驗，其正向電壓值也都恢復到正常范圍。
[0020]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種半導體激光器的封裝方法，其特征在于，包括以下步驟，在半導體激光器的芯片的制作過程中，對半導體激光器的芯片進行一次擴散處理，然后將半導體激光器的芯片在溫度180°C至260°C下進行8至60小時的加熱處理，讓芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)進行二次充分擴散。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導體激光器的封裝方法，其特征在于，所述加熱處理的溫度為200°C，時間為8小時。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種半導體激光器的封裝方法，其特征在于，所述加熱處理是在所述芯片安裝完成后，即將半導體激光器的把條、芯片和同軸TO-Can半成品/成品作為一個整體來進行加熱處理。
【文檔編號】H01S5/042GK104426054SQ201310392919
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2013年9月2日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月2日
【發(fā)明者】李明 申請人:長貝光電（武漢）有限公司