技術(shù)編號(hào):7263873
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及,包括以下步驟,在半導(dǎo)體激光器的芯片的制作過(guò)程中,對(duì)半導(dǎo)體激光器的芯片進(jìn)行一次擴(kuò)散處理,然后將半導(dǎo)體激光器的芯片在溫度180℃至260℃下進(jìn)行8至60小時(shí)的加熱處理,讓芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)進(jìn)行二次充分?jǐn)U散。本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明解決了芯片上金屬電極P/N面與芯片半導(dǎo)體材料歐姆接觸不良的問(wèn)題,降低了發(fā)射半導(dǎo)體激光器的正向電壓,使產(chǎn)品的報(bào)廢率、不良率減少,使產(chǎn)品有效利用率大幅提高,降低成本。專(zhuān)利說(shuō)明 [0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體激光器,具體涉及。 ...
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該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。