一種具有通孔電極的led芯片及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種具有通孔電極的LED芯片及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光二極管(Light-Emitting D1de，LED)具有高亮度、低能耗、響應(yīng)速度快等優(yōu)點，發(fā)光二極管作為新型高效的固體光源，在室內(nèi)照明、景觀照明、顯示屏、信號指示等領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用。
目前，LED芯片的N型電極和P型電極的結(jié)構(gòu)都為圓環(huán)電極加電流擴(kuò)展線(finger)(如圖1a和I b所示)，這樣的結(jié)構(gòu)使電流分布均勾，從而起到電流擴(kuò)展作用。但是，電極f inger線的制備需要蝕刻部分有源層，減少發(fā)光面積，導(dǎo)致LED芯片亮度降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]有鑒于此，本發(fā)明提供一種具有通孔電極的LED芯片及其制作方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中f inger線使亮度降低的問題。
[0004]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:
一種具有通孔電極的LED芯片的制作方法，包括:
提供一襯底；
在所述襯底表面上形成外延層，所述外延層包括:在所述襯底表面的N型GaN層，位于N型GaN層背離襯底一側(cè)的有源層，位于有源層背離襯底一側(cè)的P型GaN層；
對所述外延層進(jìn)行刻蝕，直至露出所述N型GaN層，形成3個以上電極通孔；
在所述P型GaN層背離所述襯底一側(cè)形成一電流擴(kuò)展層；
在所述電極通孔側(cè)壁且所述電流擴(kuò)展層背離所述襯底一側(cè)表面形成絕緣層；
在所述絕緣層表面和所述電極通孔內(nèi)形成N型電極，并在未覆蓋有所述絕緣層的電流擴(kuò)展層表面形成P型電極，所述電極通孔對應(yīng)的N型電極在絕緣層表面形成導(dǎo)電性連接。
[0005]優(yōu)選的，所述電極通孔為等大或不等大。
[0006]優(yōu)選的，所述電極通孔呈對稱排列。
[0007]優(yōu)選的，所述電極通孔可以為圓形、橢圓形、方形、三角形或菱形。
[0008]優(yōu)選的，所述導(dǎo)電性連接為Ag、Al、Pd、Pt、Au、W、N1、Ti中的一種或幾種合金的線性連接。
[0009]優(yōu)選的，所述線性連接為串聯(lián)連接。
[0010]優(yōu)選的，所述P型電極和N型電極的材料為Ag、Al、Pd、Pt、Au、W、N1、Ti中的一種或幾種合金，其厚度范圍為2_4um0
[0011 ]優(yōu)選的，還包括:在形成所述P型氮化鎵層之后和形成所述電流擴(kuò)展層之前在所述P型氮化鎵層背離所述襯底一側(cè)形成電流阻擋層。
[0012]相應(yīng)的，本發(fā)明還提供了一種具有通孔電極的LED芯片，其特征在于，所述具有通孔電極的LED芯片采用上述制作方法制作而成。
[0013]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所提供的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點:
一種具有通孔電極的LED芯片的制作方法，通過形式3個以上電極通孔并進(jìn)行導(dǎo)電性連接，且所述電極通孔對應(yīng)的N型電極在絕緣層表面具有導(dǎo)電性連接，使發(fā)光二極管的電流分布更均勾。此外，與傳統(tǒng)的由圓形電極連接f inger線組成的N型電極相比，本發(fā)明通過形成3個以上電極通孔，且所述電極通孔的N型電極在絕緣層表面具有導(dǎo)電性連接，將連續(xù)的finger線變成不連續(xù)的電極通孔，化線為點，大大減少有源層的刻蝕面積，從而提高發(fā)光效率。
【附圖說明】
[0014]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖做簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0015]圖1a為現(xiàn)有技術(shù)中具有圓環(huán)電極加電流擴(kuò)展線(finger)電極結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖1b為現(xiàn)有技術(shù)中具有圓環(huán)電極加電流擴(kuò)展線(finger)電極結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管的電極俯視圖；
圖2為本發(fā)明一個實施例提供的一種具有通孔電極的LED芯片的制作方法的流程圖；
圖3a至圖3f為本發(fā)明一個實施例提供的一種具有通孔電極的LED芯片的制作方法的流程不意圖；
圖4為本發(fā)明一個實施例提供的電極俯視圖。
【具體實施方式】
[0016]將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實例僅僅是本發(fā)明一部分實例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0017]結(jié)合圖2至圖3f所示，圖2為本發(fā)明實例提供的一種具有通孔電極的LED芯片的制作方法的流程圖，圖3a至圖3f為圖2制作方法流程圖對應(yīng)的結(jié)構(gòu)流程圖。
[0018]本實施例提供了一種具有通孔電極的LED芯片的制作方法，其流程圖如圖2所述，包括以下步驟:
S1、提供一襯底
參考圖3a所示，提供一襯底100，襯底的材料為藍(lán)寶石、硅、氮化鋁、碳化硅中的一種。
[0019]S2、形成外延層
參考圖3b所示，在襯底100表面形成外延層200，所述外延層200包括位于襯底表面的N型GaN層201、位于N型GaN層背離襯底一側(cè)的有源層202和位于有源層背離襯底一側(cè)的P型GaN層2030
[0020]S3、形成電極通孔參考圖3c所示，對所述外延層200進(jìn)行刻蝕，直至露出所述N型GaN層203，形成3個以上電極通孔300。
[0021]具體的，采用光刻、顯影、蝕刻等工藝形式對所述外延層200進(jìn)行刻蝕，所述電極通孔可以為等大或者不等大，也可以為圓形、橢圓形、方形、菱形等，本實施例中優(yōu)選為圓形。此外，電極通孔可以呈對稱排列或非對稱排列。
[0022]在上述實施例的基礎(chǔ)上，在本發(fā)明的另一個實施例中，該方法在步驟S3之后還包括:在所述P型GaN層203背離所述襯底一側(cè)表面形成電流阻擋層，以減少電流的垂直注入，使電流均勻分布，