發(fā)光二極管、封裝件與制造方法
【專利說(shuō)明】發(fā)光二極管、封裝件與制造方法
[0001 ]本申請(qǐng)是申請(qǐng)人于2012年7月24日提交的、申請(qǐng)?zhí)枮椤?01210258932.7”的、發(fā)明名稱為“發(fā)光二極管、封裝件與制造方法”的發(fā)明專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002]本發(fā)明是有關(guān)于一種發(fā)光二極管、包含發(fā)光二極管的封裝件及形成發(fā)光二極管封裝件的方法。
【背景技術(shù)】
[0003]發(fā)光二極管或激光二極管廣泛地使用在很多應(yīng)用。一半導(dǎo)體發(fā)光裝置包括具有一個(gè)或多個(gè)半導(dǎo)體層的一發(fā)光二極管。當(dāng)此些層結(jié)構(gòu)件接受能量時(shí)，可發(fā)射一致或非一致的光線。在制造過(guò)程中，多數(shù)的發(fā)光二極管半導(dǎo)體芯片形成于半導(dǎo)體晶圓中。晶圓被針探及測(cè)試，以精確地鑒定各芯片的顏色特性，如色溫。然后，晶圓被切割，以切割晶圓成多個(gè)芯片。發(fā)光二極管芯片一般被封裝以提供外部電性連接部、散熱鰭片、透鏡或?qū)Рㄆ?waveguide)、環(huán)境保護(hù)及/或其它特征。傳統(tǒng)形成發(fā)光二極管封裝件的方法包括例如是芯片黏結(jié)、打線、包覆、測(cè)試等工藝。
[0004]結(jié)合一螢光劑到發(fā)光二極管封裝件是有需求的，以提升在一特定頻帶的發(fā)射輻射(emitted radiat1n)及/或以轉(zhuǎn)換至少一些福射至另外頻帶。傳統(tǒng)地，螢光劑被包含于發(fā)光二極管芯片的封裝過(guò)程。在一技術(shù)中，螢光劑可懸浮于發(fā)光二極管封裝件的封裝膠體中。在另一技術(shù)中，于黏晶與打線接合的步驟后，螢光劑可經(jīng)由點(diǎn)膠或噴射涂布直接地包覆于發(fā)光二極管芯片上。
[0005]然而，在點(diǎn)膠方法中，去控制螢光劑的厚度是困難的。螢光劑厚度的差異造成自發(fā)光二極管封裝件輸出的光線的非一致性。噴射涂布方法提供較佳的厚度控制，但因?yàn)槲灩鈩┯袝r(shí)覆蓋部分的工件而非需求部位，使得由于螢光劑的浪費(fèi)而變得昂貴。
[0006]在螢光劑添加后，另一測(cè)試可以被執(zhí)行以決定具有螢光劑的發(fā)光二極管芯片的發(fā)光是否符合所要的色彩特性，如色溫。任何未獲滿意的封裝件可被丟棄或重工。重工一般涉及到手動(dòng)移除昂貴的螢光劑或手動(dòng)增加額外的螢光劑以彌補(bǔ)一螢光劑的不足。手動(dòng)過(guò)程明顯地增加手工成本。
[0007]已有人提出通過(guò)一可圖案化膜或網(wǎng)板印刷將一螢光涂層涂布于一半導(dǎo)體發(fā)光二極管晶圓上(同時(shí)露出各芯片的接合墊)。然而，可圖案化膜需要一昂貴光罩。網(wǎng)板印刷無(wú)法選擇性地提供涂布一非常薄的螢光層，一般在100微米以下，此螢光層包括具有直徑5至15微米的螢光粒子。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]發(fā)光二極管、封裝件及制造方法的多個(gè)實(shí)施例具有數(shù)個(gè)特征，各實(shí)施例并不受到本身揭露所限定。實(shí)施例的范圍不受權(quán)利要求書所限，其突出的特征將簡(jiǎn)要地描述。在參照以下描述，特別是閱讀”實(shí)施方式”后，應(yīng)可了解本實(shí)施例的特征如何提供本文的效果。
[0009]本發(fā)明一實(shí)施例具有一簡(jiǎn)單且有效的方法，選擇性地涂布一螢光涂層在一半導(dǎo)體晶圓，可在切割及芯片封裝前提供進(jìn)行晶圓級(jí)色彩測(cè)試。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，提出一種發(fā)光二極管元件。發(fā)光二極管元件包括發(fā)光二極管芯片，發(fā)光二極管芯片具有一出光面及至少一接墊。發(fā)光二極管元件更包括形成于出光面上并露出至少一接墊的一螢光層，螢光層包括數(shù)個(gè)螢光粒子及基體，其中此些螢光粒子的至少一些具有第一部分及第二部分，第一部分埋設(shè)于基體內(nèi)，而第二部分突出于基體的外表面。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，提出一種發(fā)光二極管封裝件。發(fā)光二極管封裝件包括一基板及置于基板上的一發(fā)光二極管元件。發(fā)光二極管元件包括一具有一出光面的發(fā)光二極管芯片及至少一接墊。發(fā)光二極管元件更包括一形成于出光面上并露出至少一接墊的螢光層。螢光層包括數(shù)個(gè)螢光粒子及一基體，其中此些螢光粒子的至少一些具有一第一部分及一第二部分，第一部分埋設(shè)于基體內(nèi)，第二部分突出于基體的一外表面。發(fā)光二極管封裝件更包括至少一電性元件電性連接發(fā)光二極管芯片的至少一接墊至基板。發(fā)光二極管封裝件更包括一封裝膠體包覆發(fā)光二極管芯片及至少一電性元件。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，提出一種芯片的制造方法。芯片具有一第一面及數(shù)個(gè)接墊，此些接墊設(shè)于第一面上。制造方法包括以下步驟。提供一暫時(shí)基板，暫時(shí)基板包括一結(jié)合面及數(shù)個(gè)突出部，此些突出部設(shè)于結(jié)合面上，暫時(shí)基板上的此些突出部的位置對(duì)應(yīng)于芯片的第一面上的此些接墊的位置;形成一黏貼層于各突出部;結(jié)合暫時(shí)基板至芯片，使此些突出部經(jīng)由黏貼層連接于各別對(duì)應(yīng)的接墊，其中暫時(shí)基板的結(jié)合面面向芯片的第一面，且一點(diǎn)膠空間形成于結(jié)合面與第一面之間；填入一膠體于點(diǎn)膠空間內(nèi)，以形成一膠層包覆此些接墊、此些突出部及黏貼層；以及，移除暫時(shí)基板而將此些接墊與此些突出部及黏貼層分離，并于膠層內(nèi)形成數(shù)個(gè)開孔，此些開孔露出各別對(duì)應(yīng)的此些接墊。
【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件的剖視圖。
[0014]圖2A至21繪示圖4的發(fā)光二極管封裝件的制造步驟的剖視圖。
[0015]圖3A及3B繪示依照一實(shí)施例的形成螢光層的制造步驟的剖視圖。
[0016]圖4繪示依照另一實(shí)施例的發(fā)光二極管封裝件的剖面?zhèn)纫晥D。
[0017]圖5A至51繪示一實(shí)施例的點(diǎn)膠方法的步驟的剖視圖。
[0018]圖6A至6F繪示一實(shí)施例的點(diǎn)膠方法的步驟的剖視圖。
[0019]相同標(biāo)號(hào)用于所有圖式中，且詳細(xì)描述同相同元件。參酌附加圖式及如上詳細(xì)描述將使本發(fā)明更清楚。
[0020]主要元件符號(hào)說(shuō)明:
[0021]10:點(diǎn)膠器
[0022]100:發(fā)光二極管封裝件
[0023]102:封裝件
[0024]110:基板
[0025]110u、1211u:上表面
[0026]111:電性接點(diǎn)
[0027]112、112a:結(jié)合面
[0028]113、113a:暫時(shí)基板
[0029]114:突出部
[0030]114a:結(jié)合區(qū)
[0031]131:黏貼層
[0032]120:發(fā)光二極管元件
[0033]121’:發(fā)光二極管晶圓
[0034]121:發(fā)光二極管芯片
[0035]121u:出光面
[0036]121s:第二邊緣側(cè)面
[0037]1211:接墊
[0038]122:螢光層
[0039]122’:螢光材料
[0040]122a:凹部[0041 ]164:開孔
[0042]122s:外表面
[0043]122sl:上表面
[0044]122s2:側(cè)面
[0045]122s3:第一邊緣側(cè)面
[0046]122p:邊緣部
[0047]1221、162:螢光粒子
[0048]1221’、141:第一部分
[0049]1222:基體
[0050]1222’、142:第二部分
[0051]124:釋放層
[0052]130、170:電性元件
[0053]140、180:封裝膠體
[0054]144:接合墊
[0055]150:壓印模具
[0056]1501:下表面
[0057]151:突塊
[0058]152、204:接墊
[0059]160:膠層
[0060]160a:膠體
[0061]200:晶圓
[0062]202:頂面
[0063]210:芯片
[0064]250:載板
[0065]A:箭頭
[0066]A，:局部
[0067]D:距離
[0068]Dl:厚度
[0069]H:熱量
[0070]S1、S