一種緊湊型芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種緊湊型芯片封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]空氣中的雜質(zhì)和不良?xì)怏w,乃至水蒸氣都會腐蝕芯片上的精密電路,進(jìn)而造成電學(xué)性能下降,故在芯片制作完成后需電性連接到承載器上,該承載器可以是引腳架或是基板,再填入封膠以構(gòu)成芯片封裝體。簡單地講,芯片封裝技術(shù)就是將芯片包裹起來,以避免芯片與外界接觸,防止外界對芯片的損害的一種工藝技術(shù)。不同的封裝技術(shù)在制造工序和工藝方面差異很大,封裝后對芯片自身性能的發(fā)揮也起到至關(guān)重要的作用,其中人們最為關(guān)注的還是芯片的散熱性能,特別是在大功率、多芯片的集成電路進(jìn)行封裝時,散熱性能的優(yōu)劣直接關(guān)系芯片的正常運行。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]鑒于【背景技術(shù)】中所提及的問題,本發(fā)明提出一種緊湊型芯片封裝結(jié)構(gòu),目的在于提供一種散熱性能優(yōu)良的、結(jié)構(gòu)緊湊的芯片封裝結(jié)構(gòu),其具體技術(shù)方案如下:
一種緊湊型芯片封裝結(jié)構(gòu),包括支架體、基板、芯片和封裝體,所述支架體包括承載所述基板的平板部,及平板部兩側(cè)延伸出的引腳;所述平板部的上、下表面分別粘連有所述基板,基板上設(shè)有所述芯片;一散熱體貫穿所述平板部的上、下表面,且與基板良好接觸。
[0004]于本發(fā)明的一個或多個實施例當(dāng)中,所述散熱體與基板之間、散熱體與支架體之間填充有導(dǎo)熱硅膠。
[0005]于本發(fā)明的一個或多個實施例當(dāng)中,所述散熱體為鋁件或銅件。
[0006]本發(fā)明通過金屬引腳支架與高導(dǎo)熱散熱體的配合,最大限度地散逸芯片熱量,以保障芯片的正常運行;且其支架體輕薄,且其上、下表面均可集成多塊芯片,滿足多芯片集成電路對小巧封裝體積的需求。
【附圖說明】
[0007]圖1為本發(fā)明之緊湊型芯片封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。
【具體實施方式】
[0008]如下結(jié)合附圖1,對本申請方案作進(jìn)一步描述:
一種緊湊型芯片封裝結(jié)構(gòu),包括支架體1、基板2、芯片3和封裝體4,所述支架體I包括承載所述基板2的平板部101,及平板部101兩側(cè)延伸出的引腳102;所述平板部101的上表面
11、下表面12分別粘連有所述基板2,基板2上設(shè)有所述芯片3; —散熱體5貫穿所述平板部1I的上表面11、下表面12,且與基板2良好接觸。
[0009]所述散熱體5與基板2之間、散熱體5與支架體I之間填充有導(dǎo)熱硅膠。
[0010]所述散熱體5為鋁件或銅件。
[0011]上述優(yōu)選實施方式應(yīng)視為本申請方案實施方式的舉例說明,凡與本申請方案雷同、近似或以此為基礎(chǔ)作出的技術(shù)推演、替換、改進(jìn)等,均應(yīng)視為本專利的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項】
1.一種緊湊型芯片封裝結(jié)構(gòu),包括支架體、基板、芯片和封裝體,其特征在于:所述支架體包括承載所述基板的平板部,及平板部兩側(cè)延伸出的引腳;所述平板部的上、下表面分別粘連有所述基板,基板上設(shè)有所述芯片;一散熱體貫穿所述平板部的上、下表面,且與基板良好接觸。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的緊湊型芯片封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述散熱體與基板之間、散熱體與支架體之間填充有導(dǎo)熱硅膠。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的緊湊型芯片封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述散熱體為鋁件或銅件。
【專利摘要】本發(fā)明提出一種緊湊型芯片封裝結(jié)構(gòu),包括支架體、基板、芯片和封裝體,其特征在于:所述支架體包括承載所述基板的平板部,及平板部兩側(cè)延伸出的引腳;所述平板部的上、下表面分別粘連有所述基板,基板上設(shè)有所述芯片;一散熱體貫穿所述平板部的上、下表面,且與基板良好接觸。本發(fā)明通過金屬引腳支架與高導(dǎo)熱散熱體的配合,最大限度地散逸芯片熱量,以保障芯片的正常運行;且其支架體輕薄,且其上、下表面均可集成多塊芯片,滿足多芯片集成電路對小巧封裝體積的需求。
【IPC分類】H01L23/495, H01L23/367
【公開號】CN105514062
【申請?zhí)枴緾N201610024690
【發(fā)明人】方鏡清
【申請人】中山芯達(dá)電子科技有限公司
【公開日】2016年4月20日
【申請日】2016年1月15日