施例中，嵌入式溫度控制元件120可以是加熱或冷卻元件或通道，這些加熱或冷卻元件或通道用于將由基板110吸收的熱能施至基座主體122。其他元件(諸如，一個或多個電極和/或真空端口)可設置在基座主體122上或嵌入在基座主體122內(nèi)?；?10的溫度可由一個或多個傳感器124監(jiān)測?？蓞^(qū)域式地控制嵌入式溫度控制元件120，使得可單獨地加熱或冷卻基座主體122的不同的區(qū)域處的溫度。然而，由于情有可原的因素(諸如，基座114的瑕疵和/或基板110的非均勻性)，嵌入式溫度控制元件120可能不能夠跨整個支撐表面118和/或基板110來均勻地施加熱能。這些情有可原的因素產(chǎn)生基板110的非均勻的溫度，這導致基板的非均勻的處理。
[0024]為了抵消可能存在于基板110表面上的熱非均勻性(這可通過監(jiān)測基板110的溫度來確定)，可相對于支撐表面118來重新定位基板110。存在于基板110表面上的熱點或冷點指示基座主體122的支撐表面118之中或之上的熱點或冷點。在一個示例中，通過由致動器126A與126B提供的運動中的一者或它們的組合，可將基板從支撐表面118傳遞到邊緣支撐構件116。如圖所示，邊緣支撐構件116以在基座114上方間隔開的關系臨時地支撐基板110，這允許基座114相對于基板110的旋轉(zhuǎn)。此運動可用于重新定位存在于基座主體122的支撐表面118中或支撐表面118上的熱點或冷點(如通過監(jiān)測基板110的溫度所確定的)?；?14可旋轉(zhuǎn)小于約360度的角位移，例如，小于約180度，諸如，在約1度到小于約180度之間，或在這之間的增量。在通過旋轉(zhuǎn)基座114而重新定位了基座主體122的支撐表面118中或支撐表面118上的熱點或冷點之后，基板110可通過致動器126A與126B提供的運動中的一者或它們的組合而被替換到基座114的支撐表面118上。一旦完成了基板110的替換，基板110上的冷點可定位成更靠近基座114的支撐表面118上的熱點，反之亦然。因此，基板110的表面上的任何局部化的非均勻的溫度分布得以平均化，從而提供跨整個基板的基本上均勻的溫度分布(即，+/_若干攝氏度)。
[0025]在另一實施例中，基座114可以是靜電夾盤，并且基座114可包括一個或多個電極121。例如，基座114可耦接至電源元件140，所述電源元件140可以是將功率提供給一個或多個電極121的電壓源。電壓源可以是射頻(RF)控制器或直流(DC)控制器。在另一示例中，基座114可由導電材料制成，并且可充當來自電源元件140B的RF功率的接地路徑，所述電源元件140B由噴淋頭組件128分配。因此，工藝腔室100可執(zhí)行利用RF或DC等離子體的沉積或蝕刻工藝。由于這些類型的等離子體可能不是完美地同心或?qū)ΨQ的，因此RF或DC熱點(S卩，電磁熱點)可能存在于基板110上。這些電磁熱點可能產(chǎn)生在基板110的表面上的非均勻的沉積或非均勻的蝕刻速率。
[0026]為了抵消可能存在于基板110表面上的電磁熱點(這可通過觀察等離子體鞘層來確定)，可根據(jù)上述工藝、使用邊緣支撐構件116相對于支撐表面118來重新定位基板110。例如，非均勻的等離子體鞘層可指示等離子體中的非均勻的能量分布?；?10的重新定位用于重新分配任何電磁熱點，并且基板110的表面上的任何局部化的非均勻的能量分布得以平均化，因而提供跨基板的平衡的能量分布。
[0027]當在沉積或蝕刻工藝中的處理期間，基座114通常被旋轉(zhuǎn)。然而，當基板110的位置相對于支撐表面118被固定時，經(jīng)確定存在于基板110上的溫度分布、電偏置或電磁能分布的任何異常被固定。然而，基板110相對于支撐表面118的運動通過將溫度、電偏置、電磁能分布的這些差異平均化來補償溫度、電偏置、電磁能分布的這些差異，這導致基板110上的基本上均勻的溫度分布、電偏置或電磁能分布。
[0028]在一個實施例中，除了基座114之外，基板支撐系統(tǒng)102還包括由一個或多個銷142支撐的邊緣支撐構件116。如圖所示，一個或多個銷142種的至少一個可直接耦接至線性驅(qū)動器144耦接，或可耦接至升舉環(huán)146耦接。此外，邊緣支撐構件116可以是沉積環(huán)，所述沉積環(huán)在不用于支撐基板110時提供屏蔽功能。例如，當基板110由基座114的支撐表面118支撐且邊緣支撐構件116至少部分地環(huán)繞基座114時，邊緣支撐構件116可以屏蔽腔室部件免受沉積或蝕刻副產(chǎn)物。在一個實施例中，邊緣支撐構件116可在基板110的處理期間保持與基板110的部分接觸。一方面，邊緣支撐構件116可用于在處理期間(在處理期間基座114不被旋轉(zhuǎn)時)支撐基板110的外周。另一方面，邊緣支撐構件116可由導電材料制成，例如，所述導電材料可用于在電鍍工藝中將電偏置提供至基板110。雖然邊緣支撐構件116示出為耦接至致動器126B(所述制動器126B提供邊緣支撐構件116相對于基座114的運動)，但是邊緣支撐構件116可簡單地停留在銷142的上表面上。在此實施例中，基座114可相對于邊緣支撐構件116移動，從而允許將基板110傳遞到支撐表面118。隨后，基座114在Z方向上的連續(xù)的運動將允許邊緣支撐構件116由形成在基座114中的外周肩部區(qū)域147支撐。當在銷142的高度上方舉升邊緣支撐構件116時，允許了基座114、基板110與邊緣支撐構件116的旋轉(zhuǎn)運動。
[0029]圖2是工藝腔室100的側(cè)面截面圖，工藝腔室100具有設置在其中的基板支撐系統(tǒng)202的另一個實施例。如在圖1中所述的實施例中，基板支撐系統(tǒng)202包括基座114與致動器126A以及相關聯(lián)的舉升與密封構件。然而，在此實施例中，基板支撐系統(tǒng)202的次基板支撐件203包括取代圖1中所示的邊緣支撐構件116的多個邊緣支撐構件204。邊緣支撐構件204可以是分立的指部，所述分立的指部在使用時選擇性地支撐基板110的邊緣。在此實施例中，基座114包括對應于邊緣支撐構件204中的每一個的切斷區(qū)域206。每一個切斷區(qū)域206允許相應的邊緣支撐構件204通過基座114的底表面208，從而當在基座114的支撐表面118上支撐基板110時，允許基座114的自由旋轉(zhuǎn)。邊緣支撐構件204的舉升與下降可由致動器126B、升舉環(huán)146與相關聯(lián)的銷142來實現(xiàn)。
[0030]圖3是圖2的基座114的平面圖。在相應的切斷區(qū)206中示出三個邊緣支撐構件204。當利用邊緣支撐構件204將基板110從基座114的支撐表面118隔開時，通過使用耦接至基座114和/或致動器216A(在圖2中示出)的編碼器或其他旋轉(zhuǎn)的感測/索引量度，基座114的切斷區(qū)域206中的每一個切斷區(qū)域可與邊緣支撐構件204中的每一個邊緣支撐構件204對準。雖然示出僅三個邊緣支撐構件204，但是次基板支撐件203可包括至少兩個邊緣支撐構件204以及多于三個邊緣支撐構件204。邊緣支撐構件204的數(shù)目可與對應的切斷區(qū)域206的數(shù)目一致。任選地或附加地，附加的切斷區(qū)域206(以虛線示出)可添加至基座114?？筛鶕?jù)需要來利用切斷區(qū)域206以便以120度的增量、60度的增量、30度的增量以及小于30度的增量來提供基座114的旋轉(zhuǎn)，同時促進與邊緣支撐構件204對準。還可添加附加的切斷區(qū)域206以促進以大于120度的增量來與邊緣支撐構件204對準。
[0031]圖4是基座114中示出次基板支撐件400的另一實施例的部分的截面圖。在此實施例中，邊緣支撐構件204耦接至銷142，所述銷142耦接至致動器405。與其他實施例類似，致動器405用于在Z方向上相對于基座114升起或降下基板110。然而，在此實施例中，致動器405用于相對于基座114橫向地(在X方向上)移動邊緣支撐構件204。雖然未示出，但是與圖2中所述的實施例類似，可圍繞基座114的外圍來設置其他銷142和邊緣支撐構件204。在此實施例中，致動器405對于邊緣支撐構件204中的每一個可能都是必要的。
[0032]圖5是示出在基板制造工藝期間補償基板處理性質(zhì)的非均勻性的方法500的流程圖?？衫帽疚闹兴龅幕逯蜗到y(tǒng)102或202或其他合適的設備來實施方法500。方法500包括以下步驟:在框505處，將基板110傳遞到工藝腔室100中的基座114。在框505處，所述方法還可包括以下步驟:將基板110傳遞到機器人葉片109上的工藝腔室100，以及將基板從機器人葉片109傳遞到次基板支撐件。在圖1的實施例中，在框505處包括的傳遞步驟還包括以下步驟:在配置成接收機器人葉片109的平面中對準邊緣支撐構件116(特別是槽133)，所述機器人葉片109將延伸穿過傳遞端口 112。一旦基板110與邊緣支撐構件116基本上是同心的時，機器人葉片109可通過傳遞端口 112而從工藝腔室100縮回。在利用了邊緣支撐構件