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離子發(fā)生裝置和電氣設(shè)備的制造方法_3

文檔序號(hào):9713826閱讀:來源:國知局
離子 的氣體所流經(jīng)的風(fēng)路的一部分。規(guī)定空間38的外緣的第1壁面37和第2壁面39構(gòu)成風(fēng)路的一 部分。
[0073] 在空間38中流動(dòng)的空氣在圖2和圖5的與紙面垂直的方向,即在圖3、圖4、圖6W及 圖7的上下方向上通風(fēng)。第1~第4針狀電極41~44配置于與空間38內(nèi)的空氣流動(dòng)的方向正 交的同一平面上。第1~第4針狀電極41~44在與空間38內(nèi)的空氣流動(dòng)的方向正交的方向上 延伸,相互平行地配置。
[0074] 離子發(fā)生裝置26的被外殼31規(guī)定的空間38構(gòu)成圖1所示的風(fēng)路10的一部分??臻g 38與由通道15形成的風(fēng)路10連通。送風(fēng)裝置16向風(fēng)路10所包括的空間38內(nèi)送出氣體。在通 道15內(nèi)的風(fēng)路10中流動(dòng)的空氣在空間38內(nèi)通風(fēng)。經(jīng)過空間38流動(dòng)的空氣向圖1中的向上的 方向通風(fēng)。
[0075] 空氣經(jīng)過空間38流動(dòng),由此,放電電極40產(chǎn)生的離子被空氣流輸送,經(jīng)由圖I所示 的風(fēng)路10從吹出口被向室內(nèi)空間釋放。W在向空間38內(nèi)突出的第1~第4針狀電極41~44的 上風(fēng)和下風(fēng)處不配置成為向第1~第4針狀電極41~44通風(fēng)的阻礙的結(jié)構(gòu)物的方式設(shè)置電 氣設(shè)備100。從通道15向外部開口的吹出口釋放第1~第4針狀電極41~44產(chǎn)生的正離子P和 負(fù)離子N(參照?qǐng)D1)。由在風(fēng)路10內(nèi)平行地配置的第1~第4針狀電極41~44產(chǎn)生的離子被空 氣輸送后向?qū)掗煹膮^(qū)域擴(kuò)散,高濃度的正離子和負(fù)離子存在于大范圍內(nèi)。
[0076] 離子發(fā)生裝置26還具備供電連接器46。供電連接器46設(shè)于收納高電壓發(fā)生電路部 53的基板收納部32。供電連接器46設(shè)為用于向高電壓發(fā)生電路部53供應(yīng)電力的供電部。 [OOW]圖8是實(shí)施方式1的離子發(fā)生裝置26的放電電極40附近的放大圖。如在圖8中詳細(xì) 地表示,基板50設(shè)為平板形狀,具有一方主表面50a和與一方主表面50a相反的一側(cè)的另一 方主表面50b。在一方主表面50a上形成有由銅等導(dǎo)電材料構(gòu)成的導(dǎo)體圖案511。在另一方主 表面50b上形成有由銅等導(dǎo)電材料構(gòu)成的導(dǎo)體圖案512。基板50是在一方主表面50a和另一 方主表面50b雙方形成有導(dǎo)體圖案的雙面基板。
[0078] 另外,在基板50上形成有從一方主表面50a到另一方主表面50b將基板50在厚度方 向上貫通的貫通孔50h。貫通孔50h的內(nèi)壁面被導(dǎo)體層520覆蓋?;?0具有覆蓋貫通孔50h 的內(nèi)壁面的導(dǎo)體層520。導(dǎo)體層520通過電鍛形成。導(dǎo)體層520從基板50的一方主表面50a到 達(dá)另一方主表面50b,在厚度方向上貫通基板50。
[0079] 在一方主表面50a上形成的導(dǎo)體圖案511包括焊盤521。焊盤521形成為包圍貫通孔 5化在一方主表面50a上開口形成的開口部的周圍。在另一方主表面50b上形成的導(dǎo)體圖案 512包括焊盤522。焊盤522形成為包圍貫通孔50h在另一方主表面50b上開口形成的開口部 的周圍。導(dǎo)體層520在一方主表面50a上與焊盤521電連接,在另一方主表面50b上與焊盤522 電連接?;?0是在貫通孔50h的內(nèi)側(cè)形成導(dǎo)體并將兩主表面上的導(dǎo)體圖案電連接的通孔 基板。貫通孔50h形成為通孔。
[0080] 放電電極40插通于基板50的貫通孔50h。放電電極40配置為貫通貫通孔50h。放電 電極40具有前端40a和基端40b。放電電極40的前端40a從基板50的一方主表面50a突出。放 電電極40的基端40b從基板50的另一方主表面50b突出。放電電極40的基端40b連接著圖5~ 圖7所示的配線56、57中的任一方,由此對(duì)放電電極40施加由高電壓發(fā)生電路部53產(chǎn)生的高 電壓。
[0081] 模制材料61相對(duì)于基板50僅設(shè)于另一方主表面50b側(cè)。模制材料61設(shè)為與另一方 主表面50b接觸,從另一方主表面50b側(cè)覆蓋貫通孔50h。模制材料61封閉從基板50的另一方 主表面50b突出的放電電極40的基端40b。
[0082] 在放電電極40的從基板50的主表面50a突出的部分的根部設(shè)有封閉材料62。實(shí)施 方式1的封閉材料62是焊錫材料。封閉材料62在基板50的一方主表面50a上設(shè)為包圍放電電 極40的全周,將放電電極40和焊盤521電連接。封閉材料62在基板50的另一方主表面50b上 設(shè)為包圍放電電極40的全周,將放電電極40和焊盤522電連接。
[0083] 封閉材料62設(shè)為進(jìn)入貫通孔50h的內(nèi)部并貫通基板50。封閉材料62在貫通孔50h的 內(nèi)部封閉導(dǎo)體層520和放電電極40的表面之間的微小的間隙G,將放電電極40和導(dǎo)體層520 電連接。封閉材料62設(shè)為與放電電極40接觸且與在基板50的表面形成的導(dǎo)體層520和焊盤 521、522接觸。
[0084] 封閉材料62通過用焊錫將放電電極40固定于基板50而形成。在W貫通貫通孔50h 的方式配置有放電電極40的狀態(tài)下,烙化的焊錫流入貫通孔50h內(nèi),之后焊錫被冷卻而固 化。由此,設(shè)有將放電電極40固定于基板50并且封閉放電電極40和導(dǎo)體層520之間的間隙G 的封閉材料62。
[0085] 圖9是表示實(shí)施方式1的離子發(fā)生裝置26的構(gòu)成的電路圖。如圖9所示,離子發(fā)生裝 置26除了第1~第4針狀電極41~44和感應(yīng)電極45W外,還具備端子T1、T2、升壓電路90、升 壓變壓器91、二極管92、93、電容器94、95。升壓電路90、升壓變壓器91、二極管92、93、電容器 94、 95包含在圖5所示的高電壓發(fā)生電路部53的構(gòu)成中。
[0086] 升壓電路90構(gòu)成為適當(dāng)?shù)匕ǘO管、電阻元件W及NPN雙極型晶體管等。升壓變 壓器91包括初級(jí)繞組91a和次級(jí)繞組9化。為了進(jìn)行整流而設(shè)置二極管92、93和電容器94、 95。 次級(jí)繞組9化的一端與第1~第4針狀電極41~44電連接。次級(jí)繞組9化的另一端與感應(yīng) 電極45電連接。
[0087] 升壓變壓器91產(chǎn)生分別對(duì)第1~第4針狀電極41~44施加的正或負(fù)的高電壓。當(dāng)對(duì) 端子Tl、T2之間施加電壓時(shí),經(jīng)由二極管92對(duì)第1針狀電極41和第4針狀電極44施加正的高 電壓脈沖,經(jīng)由二極管93對(duì)第2針狀電極42和第3針狀電極43施加負(fù)的高電壓脈沖。由此在 第1~第4針狀電極41~44的針尖和感應(yīng)電極45之間發(fā)生電暈放電,第1針狀電極41和第4針 狀電極44產(chǎn)生正離子,第2針狀電極42和第3針狀電極43產(chǎn)生負(fù)離子。
[0088] 能夠用1個(gè)升壓變壓器91分別對(duì)第1~第4針狀電極41~44施加高電壓,能夠?qū)⒏?電壓發(fā)生用電路的數(shù)量限定為最小限度,因此能夠削減部件數(shù)量而抑制離子發(fā)生裝置26的 制造成本,并且能夠降低離子發(fā)生裝置26的消耗電力。與高電壓發(fā)生用電路的數(shù)量相應(yīng)地 減少感應(yīng)電極45的數(shù)量,從而能夠提高離子發(fā)生效率并且能夠抑制由第1~第4針狀電極41 ~44產(chǎn)生的離子被感應(yīng)電極45回收而離子濃度減少,能夠產(chǎn)生更高濃度的離子。
[0089] 此外,正離子是在氨離子化+)的周圍隨附有多個(gè)水分子的簇離子,表示為H+化2〇)m (m是OW上的任意的整數(shù))。負(fù)離子是在氧離子(〇2^)的周圍隨附多個(gè)水分子的簇離子,表示 為化-化2〇)n(n是OW上的任意的整數(shù))。在釋放正離子和負(fù)離子時(shí),兩離子包圍在空氣中浮 游的霉菌或病毒的周圍,在其表面上相互發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。通過此時(shí)生成的活性種的徑基自 由基(? OH)的作用來去除浮游霉菌等。
[0090] 圖10是表示實(shí)施方式1的離子發(fā)生裝置26和風(fēng)路10的關(guān)系的第1例的示意圖。圖11 是表示實(shí)施方式1的離子發(fā)生裝置26和風(fēng)路10的關(guān)系的第2例的示意圖。此外,在圖10、11中 附有斜線影線的部分表示風(fēng)路10。
[0091] 如上所述,形成于電氣設(shè)備100的通道15內(nèi)的風(fēng)路10包括被離子發(fā)生裝置26的外 殼31規(guī)定的空間38。該空間38和風(fēng)路10的關(guān)系例如如圖10所示,也可W形成為風(fēng)路10的外 形與空間38的外形相等。即,也可W設(shè)為在通道15內(nèi)經(jīng)過的全部空氣經(jīng)過空間38的構(gòu)成?;?者,如圖11所示,也可W是,使風(fēng)路10的外形大于空間38的外形,典型地使風(fēng)路10的外形大 于外殼31的外形。即,也可W設(shè)為僅在通道15內(nèi)經(jīng)過的空氣的一部分經(jīng)過空間38的構(gòu)成。
[0092] 根據(jù)本實(shí)施方式,能夠更廉價(jià)地制作離子發(fā)生裝置26,上述離子發(fā)生裝置26能夠 供應(yīng)適合各個(gè)風(fēng)路尺寸的高濃度的離子。
[009引(實(shí)施方式2)
[0094]圖12是表示實(shí)施方式2的離子發(fā)生裝置26的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的俯視圖。與圖5所示的實(shí)施 方式I的離子發(fā)生裝置26相比,圖12所示的實(shí)施方式2的離子發(fā)生裝置26的設(shè)有模制材料61 的范圍被縮小。具體地,在圖5所示的實(shí)施方式1中,在被基板52和基板支撐殼體55包圍的整 個(gè)空間內(nèi)填充有模制材料61,而實(shí)施方式2的基板支撐殼體55具有朝向基板52突起的突起 部55p。突起部55p形成為將放電電極40(針狀電極42、44)插通的貫通孔的全周包圍的形狀。 模制材料61填充于被基板52的表面52b和突起部55p規(guī)定的空間內(nèi)。
[0095] 運(yùn)樣設(shè)置的模制材料61與實(shí)施方式1同樣地具有從基板52的表面52b側(cè)封閉形成 于基板52的貫通孔和放電電極40的功能。與實(shí)施方式1相比能夠減少模制材料61的需要量, 因此能夠抑制離子發(fā)生裝置26的材料費(fèi)和加工費(fèi)。
[0096] 也可W是,分別設(shè)置覆蓋第2針狀電極42與配線56的觸點(diǎn)的殼體和覆蓋第4針狀電 極44與配線57的觸點(diǎn)的殼體,來代替單一的基板支撐殼體55覆蓋第2和第4針狀電極42、44 與配線56、57的2個(gè)觸點(diǎn)兩者的圖5、圖12所示的構(gòu)成。
[0097] (實(shí)施方式3)
[0098] 圖13是實(shí)施方式3的離子發(fā)生裝置26的放電電極40附近的放大圖。在圖8所示的實(shí) 施方式1的離子發(fā)生裝置26中,基板50是
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