步進(jìn)掃描曝光機的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及曝光模塊反復(fù)進(jìn)行步進(jìn)移送，使得無法通過一次曝光作業(yè)來形成電路圖案的大規(guī)格的整個被曝光體(膜、晶片等)均勻地曝光的新概念技術(shù)。
【背景技術(shù)】
[0002]通常，半導(dǎo)體器件反復(fù)實施依次層疊薄膜的過程來制作，以在硅片形成規(guī)定的電路圖案，而為了薄膜的形成及層疊，需要反復(fù)執(zhí)行蒸鍍工序、光刻工序、刻蝕工序等多種單元工序。
[0003]在單元工序中，光刻工序作為用于在晶片上形成圖案的工序，包括感光液涂敷(coating)工序、曝光(exposuring)工序及顯像(developing)工序等，通過利用借助顯像工序形成于晶片上的圖案來對晶片的最上端層進(jìn)行刻蝕，從而可以形成基于圖案的器件。
[0004]感光液涂敷工序為使用涂布機(Coater)來在晶片的表面均勻地涂敷作為光敏感物質(zhì)的感光液(photo-resist ；PR)的工序，曝光工序為使用步進(jìn)機(stepper)使光經(jīng)過在掩膜繪制的電路圖案，從而在形成感光膜的被曝光體(膜、晶片等)上曝光電路圖案的工序。并且，顯像工序為使用顯像劑(developer)使得通過曝光工序來使晶片的表面接受光的部分的膜顯像的工序。
[0005]其中，作為用于進(jìn)行與上述曝光工序的曝光裝置相關(guān)的現(xiàn)有技術(shù)，提出過“韓國登錄特許第1379379號，名稱/曝光系統(tǒng)用硅片夾水平保持裝置”。
[0006]包括上述現(xiàn)有技術(shù)的曝光裝置的其他所有曝光裝置具有向位于曝光臺上的被曝光體的前表面一次性照射從固定于相應(yīng)位置的曝光模塊光源發(fā)射的光的結(jié)構(gòu)。
[0007]但是，由于上述曝光模塊固定于規(guī)定位置，因而可根據(jù)曝光模塊的產(chǎn)品配置來進(jìn)行曝光的被曝光體的規(guī)格受到限制，從而無法通過一次性作業(yè)來對長度大于上述曝光模塊的配置的被曝光體實施曝光，導(dǎo)致曝光裝置的利用率下降，而為了通過一次性作業(yè)來實現(xiàn)對上述長的被曝光體的曝光，存在上述曝光模塊的規(guī)格需要過度龐大的不合理現(xiàn)象。
[0008]因此，實際情況為，迫切需要不受上述被曝光體的規(guī)格限制，而具有可以靈活地對被曝光體進(jìn)行曝光的功能的曝光裝置。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]技術(shù)問題
[0010]本發(fā)明用于積極解決以往的曝光裝置所具有的諸多問題，本發(fā)明所要解決的問題在于，使被曝光體吸附于向外部引出的托盤(chuck tray)之后，可向掩膜架的下側(cè)進(jìn)入上述托盤，在上述掩膜架的上端裝載玻璃底座，形成有電路圖案的底片以吸附的方式固定于上述玻璃底座，一邊使上述掩膜架上下移動，一邊調(diào)節(jié)上述玻璃底座及被曝光體之間的間隙，并使位于上述掩膜架的上部的曝光模塊一邊向橫向以掃描方式連續(xù)地移送或反復(fù)進(jìn)行步進(jìn)移動，一邊進(jìn)行曝光光。
[0011]解決問題的手段
[0012]作為用于解決上述問題的方案，本發(fā)明所要尋求的技術(shù)為，在曝光機本體的內(nèi)部前方設(shè)置可根據(jù)托盤進(jìn)入氣缸的工作來向內(nèi)外部引出/進(jìn)入的托盤，在上述托盤的上部設(shè)置可根據(jù)曝光模塊的升降氣缸的工作來進(jìn)行上下移動的掩膜架，在上述掩膜架的上側(cè)設(shè)置曝光模塊，上述曝光模塊根據(jù)曝光模塊移送馬達(dá)的工作來向橫向移送，以此來對吸附于托盤的被曝光體進(jìn)行曝光。
[0013]發(fā)明的效果
[0014]根據(jù)本發(fā)明，提供如下效果:由于曝光模塊可以向橫向移送，因而可在不受被曝光體的規(guī)格限制的情況下，使上述曝光模塊以掃描方式連續(xù)地移送或反復(fù)進(jìn)行步進(jìn)移送，并可以使多種規(guī)格的被曝光體既靈活，且整體上均勻地實現(xiàn)曝光，從而可以提高曝光裝置的利用率，并可在不使曝光模塊以必要以上地變得龐大的情況下，以緊湊的方式體現(xiàn)小型化，且可以迅速、簡便地對大規(guī)格的被曝光體進(jìn)行曝光。
[0015]并且，本發(fā)明提供如下效果:在本發(fā)明的托盤設(shè)有多孔吸盤，從而可以按照不同區(qū)間來吸附長度長的被曝光體，使上述被曝光體的整個區(qū)域完全吸附于多孔吸盤，由此實現(xiàn)高質(zhì)量的曝光。
【附圖說明】
[0016]圖1為適用本發(fā)明的步進(jìn)掃描曝光機的立體圖。
[0017]圖2為除去本發(fā)明的外置板的步進(jìn)掃描曝光機的立體圖。
[0018]圖3為除去本發(fā)明的外置板的步進(jìn)掃描曝光機的主視圖。
[0019]圖4為除去本發(fā)明的外置板的步進(jìn)掃描曝光機的右側(cè)側(cè)視圖。
[0020]圖5為本發(fā)明的托盤、掩膜架、曝光模塊的設(shè)置狀態(tài)的側(cè)視圖。
[0021]圖6為本發(fā)明的托盤的設(shè)置狀態(tài)的立體圖。
[0022]圖7為本發(fā)明的托盤的引出狀態(tài)的俯視圖。
[0023]圖8為本發(fā)明的托盤的進(jìn)入狀態(tài)的俯視圖。
[0024]圖9為本發(fā)明的掩膜架的設(shè)置狀態(tài)的立體圖。
[0025]圖10為本發(fā)明的掩膜架的主視圖。
[0026]圖11為本發(fā)明的掩膜架的下降狀態(tài)的主視圖。
[0027]圖12為本發(fā)明的玻璃底座的仰視圖。
[0028]圖12為本發(fā)明的玻璃底座的側(cè)面剖視圖。
[0029]圖14為本發(fā)明的曝光模塊的設(shè)置狀態(tài)的主視圖。
[0030]圖15為本發(fā)明的曝光模塊的立體圖。
[0031]圖16為本發(fā)明的曝光模塊的工作狀態(tài)的主視圖。
[0032]附圖標(biāo)記的說明
[0033]1:被曝光體2:底片
[0034]10:曝光機本體11:前門
[0035]12:水平框架20:托盤
[0036]21:底板22:氣缸固定板
[0037]24:托盤驅(qū)動氣缸 25:多孔吸盤
[0038]26:固定軌道28:移動軌道
[0039]30:掩膜架31:引導(dǎo)桿
[0040]32:支架升降氣缸40:曝光模塊
[0041]41:曝光模塊支撐架42:軌道支架
[0042]42a:移動路徑43:直線運動(LM)軌道
[0043]44:搬運器46:滾珠絲杠軸
[0044]47:球狀螺母48:曝光模塊移送馬達(dá)
[0045]49:同步帶50:玻璃底座
[0046]51:真空管52:真空口
【具體實施方式】
[0047]現(xiàn)對用于更加具體地體現(xiàn)本發(fā)明所要解決的問題的解決方案的本發(fā)明的優(yōu)選實施例進(jìn)行說明。
[0048]依據(jù)附圖來簡要觀察本發(fā)明的優(yōu)選實施例的整體技術(shù)結(jié)構(gòu)可以確認(rèn)，上述結(jié)構(gòu)大致分為曝光機本體10、托盤20、掩膜架30、曝光模塊40的結(jié)構(gòu)要素。
[0049]以下，更加詳細(xì)地說明本發(fā)明，以便容易地實施由上述簡要結(jié)構(gòu)構(gòu)成的本發(fā)明。
[0050]在本發(fā)明的曝光機本體10以可以開閉的方式設(shè)有前門11，從而不僅向內(nèi)部及外部引出或進(jìn)入托盤20，而且可以在設(shè)置于上述曝光機本體10的內(nèi)部的掩膜架30的上端裝載玻璃底座50。
[0051]在多個水平框架12的上端前后分別以相互隔開的方式設(shè)有底板21及氣缸固定板22，上述多個水平框架12向水平方向與上述曝光機本體10的內(nèi)部的中央連接設(shè)置，在上述底板21及氣缸固定板22的中央兩側(cè)分別固定有氣缸支架23、23a，一對托盤驅(qū)動氣缸24的兩側(cè)與上述氣缸支架23、23a相連接，如圖4或圖5，與上述托盤驅(qū)動氣缸24的活塞桿24a相連接的多孔吸盤25借助上述托盤驅(qū)動氣缸24來沿著固定于上述底板21的上部兩側(cè)的固定軌道26向前后進(jìn)行滑動，并可以自由地向曝光機本體10的內(nèi)部及外部引出/進(jìn)入。
[0052]在如上所述的上述托盤20的上端前方設(shè)有多個操作開關(guān)27，在上述操作開關(guān)27的后方放置有用于執(zhí)行借助真空吸力來吸附固定用于曝光作業(yè)的被曝光體1的多孔吸盤25，與上述固定軌道26相結(jié)合的移動軌道26與上述多孔吸盤25的底面兩側(cè)附著為一體，從而使上述托盤20可以向前后靈活地滑動。
[0053]其中，上述多孔吸盤25呈矩形的長的長度，因此，若真空吸力一次性地起到作用，且吸附被曝光體1，則規(guī)格大的被曝光體1的整個區(qū)域無法均勻地實現(xiàn)緊貼，從而存在局部性地翹起或位置發(fā)生扭曲等憂慮，在考慮到這種問題，通過使上述多孔吸盤25向左右方向分為多個區(qū)間，從而使放置于上述多孔吸盤25的被曝光體1以按不同的區(qū)間來留有時間差的方式進(jìn)行真空吸附，且使被曝光體1的整個區(qū)域完全以緊貼狀態(tài)吸附于多孔吸盤25的上部面，由此提供實現(xiàn)高