薄膜晶體管、陣列基板、顯示面板及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及顯示器技術(shù)領(lǐng)域，特別設(shè)及一種薄膜晶體管、陣列基板、顯示面板及顯 示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 在制作薄膜晶體管時，需要保證多層膜材之間的對位精度。如圖1所示，圖1為現(xiàn) 有技術(shù)中的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖，現(xiàn)有技術(shù)中的薄膜晶體管主要包括：柵極層01，位 于柵極層Ol上的源極02和漏極03W及位于源極02和漏極03上的有源層04,在制備時需 要保證柵極層01、源極02、漏極03和有源層04之間的對位精度，W保通電時形成的溝道的 寬W與長的比值不變。
[0003] 但現(xiàn)有技術(shù)中薄膜晶體管在制備時，很難保證柵極層，源、漏極和有源層之間的對 位精度，當(dāng)源、漏極和有源層之間產(chǎn)生對位偏差時，溝道的寬與長的比值將發(fā)生變化，會影 響顯示裝置的顯示畫面效果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管、陣列基板、顯示面板及顯示裝置，用W保證通電后 形成的溝道的寬和長的比值不變，提高顯示裝置的顯示效果。
[0005] 為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供W下技術(shù)方案：
[0006] 本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管，包括：柵極層，位于所述柵極層上的源極和漏極， W及位于所述源極和漏極上的有源層，所述有源層與所述源極和漏極電連接，所述有源層 包括：兩個平行設(shè)置的側(cè)邊，且每個所述側(cè)邊與所述源極朝向所述漏極的一面所成的銳角 為45度。
[0007] 本發(fā)明提供的薄膜晶體管，通過將有源層的形狀改變：有源層包括：兩個平行設(shè) 置的側(cè)邊，且每個所述側(cè)邊與所述源極朝向所述漏極的一面所成的銳角為45度，可W使得 有源層與源極和/或漏極存在對位偏差時，薄膜晶體管通電后，有源層與源極和漏極之間 形成的溝道的寬和長的比不變，可W提高顯示裝置的顯示效果。
[0008] 在一些可選的實施方式中，所述源極包括：主體部、從所述主體部向所述漏極延伸 的第一延伸部、從所述第一延伸部向背離所述漏極方向延伸的第二延伸部，從所述主體部 向遠(yuǎn)離所述漏極方向延伸的第=延伸部，所述第一延伸部與所述第二延伸部和第=延伸部 的延伸方向垂直。第一延伸部、第二延伸部和第=延伸部的設(shè)置，可W使得有源層與源極和 /或漏極存在對位偏差時，柵極和源極交疊處的電容不變，減少顯示裝置的顯示畫面出現(xiàn)閃 爍。
[0009] 在一些可選的實施方式中，所述漏極包括：與所述第二延伸部平行設(shè)置的第一本 體、從所述第一本體向所述源極方向延伸的第二本體，所述第二本體與所述第一本體相互 垂直，所述第一延伸部和所述第二延伸部相對所述第一延伸部和所述第二延伸部連接處的 夾角的角平分線對稱，所述第一本體和所述第二本體相對所述角平分線對稱。
[0010] 在一些可選的實施方式中，所述有源層還包括：連接所述兩個平行設(shè)置的側(cè)邊的 第一連接邊和第二連接邊，所述第二連接邊與所述兩個平行設(shè)置的側(cè)邊的連接處形成避讓 倒角。第二連接邊與兩個平行設(shè)置的側(cè)邊的連接處的避讓倒角的設(shè)置可W避免有源層和源 極、漏極存在對位偏差時，有源層延伸出漏極的現(xiàn)象的發(fā)生。
[0011] 在一些可選的實施方式中，所述第一連接邊與所述兩個平行設(shè)置的側(cè)邊的連接處 形成避讓倒角。當(dāng)有源層和源極和漏極存在對位偏差時，可W避免有源層延伸出源極的現(xiàn) 象的發(fā)生。
[0012] 在一些可選的實施方式中，所述第一連接邊與所述第一延伸部和所述第二延伸部 的連接處相對應(yīng)的部分設(shè)有向所述第二連接邊凸起的避讓口。
[0013] 在一些可選的實施方式中，所述源極和所述漏極同層設(shè)置。
[0014] 本發(fā)明還提供了一種陣列基板，包括上述任一項所述的薄膜晶體管。由于上述薄 膜晶體管可W保證通電后形成的溝道的寬和長的比值不變，提高顯示裝置的顯示效果，故 本發(fā)明提供的陣列基板可W提高顯示裝置的顯示效果。
[0015] 本發(fā)明還提供一種顯示面板，包括上述陣列基板。由于上述陣列基板可W提高顯 示裝置的顯示效果，故本發(fā)明提高的顯示面板具有較好的顯示效果。
[0016] 本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括上述顯示面板。具有較好的顯示效果。
【附圖說明】
[0017] 此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本發(fā)明的一部分，本發(fā) 明的示意性實施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中：
[0018] 圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖2為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020] 圖3a~圖3d為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管中的有源層相對源極和漏極存在 偏移的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021] 圖4a~圖4d為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管中的源極和漏極相對柵極存在偏 移的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0022] 圖中： 陽023] Ol-柵極層 02-源極
[0024] 03-漏極 04-有源層 陽02引 1-柵極層 2-源極
[0026] 21-第一延伸部 22-第二延伸部
[0027] 23-第S延伸部 24-主體部 陽02引 3-漏極 31-第一本體
[0029] 32-第二本體 4-有源層
[0030] 41-避讓倒角 42-避讓口
[0031] 5-角平分線
[0032]a、日1、b、bl、S、e、h、f代表長度，C代表角度
【具體實施方式】
[0033]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。
[0034] 如圖1所示，圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；本發(fā)明提供了一種薄 膜晶體管，包括：柵極層1，位于柵極層1上的源極2和漏極3,W及位于源極2和漏極3上 的有源層4,有源層4與源極2和漏極3電連接，有源層4包括：兩個平行設(shè)置的側(cè)邊，且每 個側(cè)邊與源極2朝向漏極3的一面所成的銳角為45度。
[0035] 本發(fā)明提供的薄膜晶體管，通過將有源層4的形狀改變：有源層4包括：兩個平行 設(shè)置的側(cè)邊，且每個側(cè)邊與源極2朝向漏極3的一面所成的銳角為45度，可W使得有源層 4與源極2和/或漏極3存在對位偏差時，薄膜晶體管通電后，有源層4與源極2和漏極3 之間形成的溝道的寬和長的比不變，可W提高顯示裝置的顯示效果。
[0036] 如圖3a~圖3d所示，圖3a~圖3d為本發(fā)明實施例提供的薄膜晶體管中的有源層 4相對源極2和漏極3存在偏移的結(jié)構(gòu)示意圖；當(dāng)有源層4相對源極2和漏極3有偏移時， W圖3a為例，對本發(fā)明提供的方案進(jìn)行具體解釋說明，運里定義薄膜晶體管通電后形成的 溝道的長度為源極2和漏極3正對距離，其中黑色實線代表有源層4的正確對位位置，點劃 線代表偏移的有源層4,從圖3a可W看出，有源層4相對正確位置向右偏移距離為S，當(dāng)有 源層4未偏移時，溝道的寬度為a+b，當(dāng)有源層4偏移時，a將減少al，b增大bl，溝道的寬 度變?yōu)閍-al+b+bl,圖中：h/s=sine=sin45,則h=SXsine=SXsin45 (I)；
[0037] al=h/sinc=h/sin45 (2)； 陽03引從式（I)和式似可W得到al=S;
[0039]e/s=COSC=cos45,則e=sXcosc=sXcos45 (3)；
[0040]bl=e/sinc=e