摻雜膜301，第二溝槽中形成摻雜膜302，，摻雜膜覆蓋所述第一溝槽的側(cè)壁及底部，以及，所述摻雜覆蓋所述第二溝槽的側(cè)壁和底部；沉積光阻于第一溝槽和第二溝槽，刻蝕去除所述光阻之上的摻雜膜，然后去除光阻，此為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知技術(shù)，在此不予贅述。
[0046]分別于所述第一溝槽中的摻雜膜和所述第二溝槽中的摻雜膜上沉積一氧化層，通過熱驅(qū)動工藝，在第一溝槽底部和第二溝槽底部制備摻雜硅層，即在第一溝槽中制備摻雜硅層5，在第二溝槽中制備摻雜硅層6。
[0047]繼續(xù)，參見圖5所示結(jié)構(gòu)，制備一遂川氧化層7覆蓋所述氮化硅層的上表面、所述第一溝槽3的側(cè)壁和底部以及所述第二溝槽4的側(cè)壁和底部。
[0048]繼續(xù)，參見圖6所示結(jié)構(gòu)，在第一溝槽中沉積浮柵多晶硅層8覆蓋該第一溝槽的側(cè)壁，并在第二溝槽中沉積浮柵多晶硅層9覆蓋該第二溝槽的側(cè)壁，并擱置一段時間，值得注意的是，第一溝槽中側(cè)壁的遂川氧化層在該第一溝槽的底部不連通，同時，第二溝槽側(cè)壁的遂川氧化層在該第二溝槽的底部不連通。
[0049]繼續(xù)，參見圖7所示結(jié)構(gòu)，在第一溝槽的浮柵多晶硅層的側(cè)壁和上表面沉積一 0N0膜10，在第二溝槽的浮柵多晶硅層的側(cè)壁和上表面沉積一 0Ν0膜11。
[0050]繼續(xù)，參見圖8所示結(jié)構(gòu)，在第一溝槽沉積多晶硅制備第一控制柵13，以及于所述第二溝槽中沉積多晶硅制備第二控制柵14。
[0051]繼續(xù)，參見圖9所示結(jié)構(gòu)，分別于所述第一溝槽的遂川氧化層之上的側(cè)壁及所述第二溝槽的遂川氧化層之上的側(cè)壁制備側(cè)墻層，在第一溝槽中形成側(cè)墻15和側(cè)墻16，在第二溝槽中形成側(cè)墻17和側(cè)墻18。
[0052]繼續(xù)，參見圖10所示結(jié)構(gòu)，在第一溝槽中的側(cè)墻層之間制備第一摻雜多晶硅層19，于所述第二溝槽中的側(cè)墻層之間制備第二摻雜多晶硅層20，
[0053]繼續(xù)，參見圖11所示結(jié)構(gòu)，在第一溝槽和所述第二溝槽之間的硅襯底及氮化硅層制備隔離溝槽，于所述隔離溝槽中沉積高密度氧化層，形成圖中21所示的結(jié)構(gòu)。
[0054]繼續(xù)，參見圖12所示結(jié)構(gòu)，采用離子注入工藝形成源極2和漏極23，并沉積一高密度氧化層在漏極23的上表面。其中，漏極的深度大于側(cè)墻15、側(cè)墻16、側(cè)墻17及側(cè)墻18任何一個側(cè)墻的深度。
[0055]沉積第三摻雜多晶硅層25于所述第一摻雜多晶硅層之上，沉積第四摻雜多晶硅層27于所述第二摻雜多晶硅之上，沉積一第五摻雜硅層26于所述隔離溝槽之上；
[0056]沉積一氧化硅層于所述第三多晶硅層25、所述第四多晶硅27及所述第五多晶硅層26之上，以所述氧化硅層為掩膜，刻蝕形成字線，于形成的字線之上沉積金屬，刻蝕，形成金屬柵極28、金屬柵極29和金屬柵極30。
[0057]作為本發(fā)明一個優(yōu)選實施例，摻雜膜為摻雜砷的氧化硅或者摻雜砷的氮化硅。
[0058]綜上所述，本發(fā)明通過在硅襯底上首先制備第一溝槽和第二溝槽，分別在第一溝槽和第二溝槽中制備浮柵，然后分別在第一溝槽和第二溝槽中制備控制柵，然后字線，以及形成外圍電極，采用本技術(shù)方案，提高單位硅面積的存儲單元，在很大程度上減小了短溝道效應(yīng)，同時提高了控制柵對浮柵的耦合電容的耦合比，改善器件寫入/擦除效率。
[0059]前面所述的本項發(fā)明相關(guān)說明只限于某一個實例；只要是具備本項發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的常規(guī)知識，在無需變更本項發(fā)明技術(shù)性思想或者必要特點，就能將本項發(fā)明變更為其他形態(tài)。因此，前面所述的實例涵蓋本項發(fā)明的任何一種實施形態(tài)，并不僅僅局限于本說明書中的形態(tài)。例如，定義為單一型的各構(gòu)成要素可分散實施；同樣，定義為分散的構(gòu)成要素，也能以結(jié)合形態(tài)實施。
[0060]本項發(fā)明的范疇并不局限于上述詳細說明，可涵蓋后面所述的專利申請范圍；從專利申請范圍的定義、范圍以及同等概念中導(dǎo)出的所有變更或者變更形態(tài)均包括在本項發(fā)明的范疇內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種浮柵閃存器件的制造工藝，其特征在于，所述制造工藝包括: 提供一硅襯底，于所述硅襯底上沉積氮化硅層，于所述沉積有氮化硅層的硅襯底上制備第一溝槽和第二溝槽； 分別于所述第一溝槽和所述第二溝槽的底部預(yù)設(shè)高度制備摻雜膜； 分別于所述第一溝槽中的摻雜膜和所述第二溝槽中的摻雜膜上沉積一氧化層，制備摻雜娃層； 制備一遂川氧化層覆蓋所述氮化硅的層的上表面、所述第一溝槽的側(cè)壁和底部以及所述第二溝槽的側(cè)壁和底部； 沉積浮柵多晶硅層分別于所述第一溝槽中的側(cè)壁的遂川氧化層表面和第二溝槽的側(cè)壁的遂川氧化層表面，并擱置一預(yù)設(shè)時間段； 沉積ΟΝΟ膜與所述遂川氧化層的側(cè)壁和上表面、所述浮柵多晶硅之上的第一溝槽的側(cè)壁和所述浮柵多晶硅之上的第二溝槽的側(cè)壁； 于所述第一溝槽沉積多晶硅制備第一控制柵，以及于所述第二溝槽中沉積多晶硅制備第二控制柵； 分別于所述第一溝槽的浮柵多晶硅層之上的側(cè)壁及所述第二溝槽的遂川氧化層之上的側(cè)壁制備側(cè)墻層，于所述第一溝槽中的側(cè)墻層之間制備第一摻雜多晶硅層，于所述第二溝槽中的側(cè)墻層之間制備第二摻雜多晶硅層； 于所述第一溝槽和所述第二溝槽之間的硅襯底及氮化硅層制備隔離溝槽，于所述隔離溝槽中沉積高密度氧化層； 制備源極和漏極，沉積所述高密度氧化層于所述漏極的上表面； 分別與所述摻雜多晶硅層之上形成字線。2.如權(quán)利要求1所述的浮柵閃存器件的制造工藝，其特征在于，所述方法中，采用熱驅(qū)動工藝制備所述摻雜硅層。3.如權(quán)利要求1所述的浮柵閃存器件的制造工藝，其特征在于，所述方法中，制備所述摻雜膜的方法還包括: 分別于所述第一溝槽和所述第二溝槽中沉積預(yù)設(shè)厚度的摻雜膜，所述摻雜膜覆蓋所述第一溝槽的側(cè)壁及底部，以及，所述摻雜覆蓋所述第二溝槽的側(cè)壁和底部； 沉積光阻于所述第一溝槽和第二溝槽，刻蝕去除所述光阻之上的摻雜膜； 去除所述光阻。4.如權(quán)利要求1所述的浮柵閃存器件的制造工藝，其特征在于，所述方法中，分別與所述摻雜多晶硅層之上形成字線的步驟還包括: 沉積第三摻雜多晶硅層于所述第一摻雜多晶硅層之上，沉積第四摻雜多晶硅層于所述第二摻雜多晶硅之上，沉積第五摻雜多晶硅層于所述隔離溝槽之上； 沉積一氧化硅層于所述第三多晶硅層、所述第四多晶硅及所述第五多晶硅層之上，以所述氧化硅層為掩膜，刻蝕形成字線。5.如權(quán)利要求1所述的浮柵閃存器件的制造工藝，其特征在于，所述摻雜膜為摻雜砷的氧化硅。6.如權(quán)利要求1所述的浮柵閃存器件的制造工藝，其特征在于，所述摻雜膜為摻雜砷的氮化硅。7.如權(quán)利要求1所述的浮柵閃存器件的制造工藝，其特征在于，采用離子注入的方式形成所述源極和所述漏極。8.如權(quán)利要求1所述的浮柵閃存器件的制造工藝，其特征在于，所述漏極的深度大于所述側(cè)墻層的深度。9.如權(quán)利要求1所述的浮柵閃存器件的制造工藝，其特征在于，所述方法還包括，形成所述字線后，沉積金屬于所述字線之上，形成外圍柵極。
【專利摘要】本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制作技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種浮柵閃存器件的制造工藝，通過在硅襯底上首先制備第一溝槽和第二溝槽，分別在第一溝槽和第二溝槽中制備浮柵，然后分別在第一溝槽和第二溝槽中制備控制柵，然后字線，以及形成外圍電極，采用本技術(shù)方案，提高單位硅面積的存儲單元，在很大程度上減小了短溝道效應(yīng)，同時提高了控制柵對浮柵的耦合電容的耦合比,改善器件寫入/擦除效率。
【IPC分類】H01L27/115, H01L21/28, H01L21/8247
【公開號】CN105405850
【申請?zhí)枴緾N201510730521
【發(fā)明人】燕健碩, 陳俊, 李志偉
【申請人】武漢新芯集成電路制造有限公司
【公開日】2016年3月16日
【申請日】2015年10月30日