40通過切割水流膨脹的方向施加壓強(qiáng)P1。因此，進(jìn)一步促進(jìn)了粘合劑層164的進(jìn)入。結(jié)果，就不具有將在稍后描述的當(dāng)前實(shí)施例的正錐形的細(xì)微凹槽而言，例如，粘合劑層164可以約10 μπι的進(jìn)入深度進(jìn)入寬度為約5 μπι的細(xì)微凹槽140。因此，在當(dāng)前實(shí)施例中，甚至在其中例如前表面?zhèn)壬系陌疾蹖挾缺群蟊砻鎮(zhèn)壬系陌疾蹖挾雀陌雽?dǎo)體片制造方法中，為了提高獲得的半導(dǎo)體片的數(shù)量，當(dāng)通過旋轉(zhuǎn)切割構(gòu)件形成后表面?zhèn)壬系陌疾蹠r(shí)，雖然稍微犧牲了獲得的半導(dǎo)體片的數(shù)量，但是也形成具有將在稍后描述的正錐形的細(xì)微凹槽。
[0096]在其中完成劃片的切割線Al中，由于在鄰近的切割線Α2的切割過程中施加壓強(qiáng)以使得細(xì)微凹槽140沿著寬度方向變窄，因此認(rèn)為進(jìn)入細(xì)微凹槽140的粘合劑層164容易進(jìn)入到更內(nèi)部。在切割之前的相對(duì)側(cè)上的切割線A3中，由于僅附著粘合劑層164，因此認(rèn)為進(jìn)入細(xì)微凹槽140中的粘合劑層164的量相對(duì)少。
[0097]如果利用劃片刀300的半劃片完成，則膨脹帶190附著于基底的后表面上，然后，用紫外線180照射劃片帶160。用紫外線照射的粘合劑層164固化，并且粘度損失(見圖3中的(G))。然后，劃片帶與基底的前表面分離。圖6是示出當(dāng)劃片帶分離時(shí)剩余的粘合劑層的剖視圖。附著至基底的后表面的膨脹帶190包括帶基材料192和堆疊于其上的粘合劑層194，并且通過粘合劑層194保持切割的半導(dǎo)體片。
[0098]當(dāng)劃片帶160與基底的前表面分離時(shí)，進(jìn)入細(xì)微凹槽140的粘合劑層164a前進(jìn)至深的位置，因此，其一部分可能無法被紫外線充分照射，從而未固化。由于未固化的粘合劑層164具有粘度，因此當(dāng)粘合劑層164與基底的前表面分離時(shí)，會(huì)切割未固化的粘合劑層164a，從而粘合劑層164a會(huì)保持在細(xì)微凹槽140內(nèi)部，或者可再附著至基底的前表面上，從而保留。此外，即使粘合劑層164a處于固化狀態(tài)，由于粘合劑層164a較深地進(jìn)入窄的細(xì)微凹槽中，粘合劑層164a也可由于在分離過程中的應(yīng)力斷裂，從而保留。如果殘留的粘合劑層164b再附著于發(fā)光器件的前表面，則其導(dǎo)致發(fā)光器件的光強(qiáng)度減弱。因此，發(fā)光器件變成有缺陷的產(chǎn)品，其導(dǎo)致產(chǎn)率的減少。此外，即使在除發(fā)光器件以外的其它半導(dǎo)體芯片中，由于粘合劑層164b保留，因此預(yù)見到其它負(fù)面影響。例如，通過肉眼檢查等可確定芯片是有缺陷的。因此，當(dāng)劃片帶分離時(shí)，粘合劑層164a和164b保留在基底的前表面上不是優(yōu)選的。在當(dāng)前實(shí)施例中，通過將形成在基底的前表面上的細(xì)微凹槽的形狀改變?yōu)槿缟院竺枋龅恼F形，當(dāng)劃片帶分離時(shí)，抑制了粘合劑層剩余在基底的前表面等上的細(xì)微凹槽中。
[0099]當(dāng)多個(gè)發(fā)光器件100按照臺(tái)式形狀形成時(shí)，各個(gè)發(fā)光器件100形成凸出部分，并且發(fā)光器件100之間的空間形成凹進(jìn)部分。在許多情況下，細(xì)微凹槽140形成在該凹進(jìn)部分中。在這種構(gòu)造中，可以考慮這樣的構(gòu)造，其中通過除了凸出部分以外，還將粘合劑層164附著以跟隨在凹進(jìn)部分中形成的細(xì)微凹槽140的入口部分，與芯片混合的切割水流不進(jìn)入基底的前表面?zhèn)?。這里，為了允許粘合劑層164進(jìn)入細(xì)微凹槽140的入口部分，需要具有足夠厚度的粘合劑層164的劃片帶，因此，粘合劑層164容易和較深地進(jìn)入細(xì)微凹槽140。因此，在粘合劑層164容易和較深地進(jìn)入細(xì)微凹槽140的條件下，通過應(yīng)用將在稍后描述的當(dāng)前實(shí)施例的具有正錐形的細(xì)微凹槽，可實(shí)現(xiàn)高效地防止粘合劑層164的剩余。
[0100]此外，當(dāng)從半導(dǎo)體基底的前表面形成豎直細(xì)微凹槽時(shí)，并且與細(xì)微凹槽的凹槽寬度的距離相比，當(dāng)粘合劑層164更加深入地進(jìn)入時(shí)，也就是說，當(dāng)粘合劑層164的細(xì)微凹槽中的粘合劑層164a的形狀沿縱向較長時(shí)，與其中形狀沿著縱向不長的情況相比，認(rèn)為當(dāng)粘合劑層164分離時(shí)，粘合劑層164a由于施加至細(xì)微凹槽中的粘合劑層164a的根部的應(yīng)力而容易斷裂，從而容易保留在其中。因此，當(dāng)不應(yīng)用當(dāng)前實(shí)施例的正錐形時(shí)，在諸如其中細(xì)微凹槽中的粘合劑層164a的形狀沿縱向較長的細(xì)微凹槽的寬度或者粘合劑層164的厚度的制造條件下，通過應(yīng)用具有將在稍后描述的當(dāng)前實(shí)施例的正錐形的細(xì)微凹槽，可實(shí)現(xiàn)高效地防止粘合劑層164的剩余。
[0101]接著，將描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的細(xì)微凹槽的優(yōu)選形狀。圖7中的(A)是示出根據(jù)當(dāng)前實(shí)施例的細(xì)微凹槽的第一優(yōu)選形狀的剖視圖，圖7中的(B)是示出針對(duì)進(jìn)入圖7中的(A)所示的細(xì)微凹槽的粘合劑層的紅外線照射的圖。
[0102]如圖7中的(A)所示，當(dāng)前實(shí)施例的細(xì)微凹槽400包括彼此面對(duì)的側(cè)壁402和404，其中基底的前表面上的開口寬度Sal傾斜，以從開口寬度Sal至在深度D的底部的寬度Sa2(Sal > Sa2)變窄(這種傾斜稱作正錐形)。換句話說，細(xì)微凹槽400具有其中寬度從半導(dǎo)體基底W的前表面上的開口寬度Sal至深度D逐漸變窄的形狀。開口寬度Sal例如為幾微米至十幾微米。此外，深度D是至少大于形成諸如發(fā)光器件的電路的深度的深度，SP為當(dāng)凹槽170形成在后表面?zhèn)壬蠒r(shí)通過凹槽170的寬度與細(xì)微凹槽400的寬度之間的差形成的臺(tái)階部分800未斷裂的深度。當(dāng)細(xì)微凹槽400過淺時(shí)，臺(tái)階部分800可由于當(dāng)從后表面?zhèn)刃纬砂疾?70時(shí)來自劃片刀300的應(yīng)力而斷裂，因此，細(xì)微凹槽400必須形成為具有其中不發(fā)生斷裂的深度。另一方面，當(dāng)細(xì)微凹槽400過深時(shí)，半導(dǎo)體基底的強(qiáng)度由于深凹槽而變?nèi)酰虼?，與其中細(xì)微凹槽140淺的情況相比，在形成細(xì)微凹槽140之后的處理中難以處理半導(dǎo)體基底W。優(yōu)選地，不使細(xì)微凹槽140形成得比需要的更深。在具有一般厚度的半導(dǎo)體基底中，這種深度D為例如約10 μ m至約100 μ m0此外，優(yōu)選地通過各向異性干蝕刻形成細(xì)微凹槽400，并且可通過改變光致抗蝕劑的形狀、蝕刻條件等合適地選擇側(cè)壁402和404的傾角。
[0103]如圖7中的⑶所示，通過利用劃片刀300切割形成具有切口寬度Sb的凹槽170，從而凹槽170連接至細(xì)微凹槽400。凹槽170的寬度(切口寬度Sb)例如為約20 μ m至約60 μm0由于基于來自劃片刀300的壓強(qiáng)或振動(dòng)的應(yīng)力，粘合劑層164的一部分進(jìn)入具有正錐形的細(xì)微凹槽400，并且在附著膨脹帶之后，用紅外線180從基底的前表面?zhèn)日丈鋭澠瑤?60。這里，由于按照正錐形處理細(xì)微凹槽400，因此紅外線180在細(xì)微凹槽400內(nèi)部充分照射粘合劑層164a而不被半導(dǎo)體基底W阻擋，從而細(xì)微凹槽400內(nèi)部的粘合劑層164a容易固化。結(jié)果，與其中細(xì)微凹槽400具有豎直形狀的情況相比，當(dāng)劃片帶160與基底的前表面分離時(shí)，即使細(xì)微凹槽400的開口寬度相同，細(xì)微凹槽400內(nèi)部的粘合劑層164a也失去粘度。因此，與基底的前表面和細(xì)微凹槽400的分離變得容易，并且抑制了將粘度再附著于基底的前表面。此外，在細(xì)微凹槽400的正錐形中，由于凹槽形狀傾斜，因此即使進(jìn)入細(xì)微凹槽400的粘合劑層164a不固化，也容易提取粘合劑層164a，從而促進(jìn)粘合劑層164a的分離。
[0104]圖7中的(C)是示出根據(jù)當(dāng)前實(shí)施例的細(xì)微凹槽的第二優(yōu)選形狀的剖視圖。第二優(yōu)選的細(xì)微凹槽410包括:相對(duì)的側(cè)壁412和414的凹槽部分，其沿著向前的方向從在基底的前表面上的開口寬度Sal朝著位于深度D的中間寬度Sa2傾斜；以及相對(duì)的側(cè)壁412a和414a的凹槽部分，其從寬度Sa2至其底部大約豎直。優(yōu)選地，在當(dāng)附著劃片帶160時(shí)的時(shí)間點(diǎn)，通過側(cè)壁412和414傾斜的凹槽部分的深度D大于粘合劑層164進(jìn)入的深度。由于比深度D更深的凹槽部分的寬度比正錐形的凹槽寬度更窄，因此凹槽寬度由于劃片刀的振動(dòng)或應(yīng)力導(dǎo)致的改變率與正錐形的凹槽部分相比較大。因此，在當(dāng)附著劃片帶160時(shí)的時(shí)間點(diǎn)，當(dāng)粘合劑層164進(jìn)入已經(jīng)比深度D更深的凹槽部分時(shí)，粘合劑層164可由于劃片刀的振動(dòng)或應(yīng)力而更深地進(jìn)入凹槽中。因此，優(yōu)選地，深度D大于粘合劑層164在其中附著劃片帶160的狀態(tài)下進(jìn)入的深度。
[0105]此外，優(yōu)選地，深度D是這樣的深度，其中在通過劃片刀形成后表面?zhèn)壬系陌疾壑蟊３终澈蟿?64不比深度D更深地侵入凹槽部分的狀態(tài)。這是因?yàn)?，如果粘合劑?64比深度D更深地侵入凹槽部分，則粘合劑層164在分離過程中容易保留在其中。這里，諸如細(xì)微凹槽的整個(gè)深度的其它條件與圖7中的(A)中的相同。
[0106]這里，當(dāng)僅通過如圖7中的(A)所示的正錐形較深地形成細(xì)微凹槽時(shí)，有必要擴(kuò)大開口寬度Sal。此外，當(dāng)細(xì)微凹槽400在其中開口寬度Sal窄的狀態(tài)下僅通過正錐形較深地形成時(shí)，錐角變得尖銳，因此，粘合劑層164容易地保留在細(xì)微凹槽400中。另一方面，在圖7中的(C)所示的形狀中，容易形成具有期望的深度的細(xì)微凹槽，同時(shí)保持開口寬度Sal為其中粘合劑層不容易在細(xì)微凹槽中保留的寬度。與其中細(xì)微凹槽的深度窄的情況相比，當(dāng)可形成具有期望深度的細(xì)微凹槽時(shí)，抑制了當(dāng)從后表面?zhèn)刃纬蓪挾却笥诩?xì)微凹槽410的寬度的凹槽170時(shí)臺(tái)階部分的斷裂。
[0107]在圖7中的(C)中，示出了從正錐形的最下部朝著基底的后表面大約豎直并且其寬度不改變的凹槽部分，但是形狀不一定豎直，而是可為不比正錐形的最下部的寬度更窄并且指向半導(dǎo)體基底的后表面的形狀。根據(jù)這種形狀，即使細(xì)微凹槽的開口寬度與圖7中的(A)所示的構(gòu)造相比未擴(kuò)大，也容易形成具有期望的深度的細(xì)微凹槽410。
[0108]此外，當(dāng)形成豎直于半導(dǎo)體基底的前表面的細(xì)微凹槽時(shí)，并且當(dāng)粘合劑層164與細(xì)微凹槽的凹槽寬度的距離相比更深地侵入時(shí)，也就是說，與其中粘合劑層164的細(xì)微凹槽中的粘合劑層164a的形狀不是縱向細(xì)長的情況相比，當(dāng)所述形狀縱向細(xì)長時(shí)，粘合劑層164a容易由于當(dāng)粘合劑層164分離時(shí)施加至細(xì)微凹槽中的粘合劑層164a的根部的應(yīng)力而斷裂，從而容易地保留在其中。因此，在諸如其中當(dāng)形成細(xì)微凹槽的豎直形狀時(shí)細(xì)微凹槽中的粘合劑層164a的形狀縱向細(xì)長的細(xì)微凹槽的寬度或者粘合劑層164的厚度的制造條件中，優(yōu)選地，細(xì)微凹槽的入口部分按照如圖7中的(C)所示的正錐形形成。也就是說，假設(shè)整個(gè)細(xì)微凹槽410形成有該凹槽寬度，當(dāng)位于具有正錐形的凹槽部分下方的凹槽部分的凹槽寬度是比其中粘合劑層進(jìn)入的深度更窄的寬度時(shí)，如果凹槽的入口部分按照正錐形形成，貝1J可實(shí)現(xiàn)高效地防止粘合劑層164的剩余。
[0109]參照?qǐng)D7中的(C)所示的細(xì)微凹槽，如果利用劃片刀300切割形成切口寬度Sb的凹槽170，則獲得其中凹槽170連接至細(xì)微凹槽410的形狀，如圖7中的(D)所示。與圖7中的(B)所示的情況相似，作為粘合劑層164的一部分的粘合劑層164a進(jìn)入細(xì)微凹槽410，但是如果細(xì)微凹槽410的具有正錐形的凹槽部分(側(cè)壁412和414)的深度D形成為大于粘合劑層164a進(jìn)入的深度，則用細(xì)微凹槽410內(nèi)部的粘合劑層164a被紅外線充分地照射，并且容易固化。因此，在劃片帶分離的過程中抑制了粘合劑層殘留在細(xì)微凹槽410中或基底的前表面上。此外，由于細(xì)微凹槽410的側(cè)壁傾斜，因此即使進(jìn)入細(xì)微凹槽410的粘合劑層164a未固化，也容易提取粘合劑層164a，因此促進(jìn)了粘合劑層164a的分離。
[0110]圖8中的(A)是示出根據(jù)當(dāng)前實(shí)施例的細(xì)微凹槽的第三優(yōu)選形狀的剖視圖。如圖8中的(A)所示，第三優(yōu)選的細(xì)微凹槽420具有其中第二優(yōu)選的細(xì)微凹槽410的具有豎直形狀的凹槽部分改變?yōu)榫哂械瑰F形的凹槽部分的構(gòu)造。也就是說，細(xì)微凹槽420包括從基底的前表面上的開口寬度Sal朝著在深度D的中間寬度Sa2沿著向前的方向傾斜的相對(duì)的側(cè)壁422和424的凹槽部分，以及從寬度Sa2朝著其底部的寬度Sa3反向傾斜的相對(duì)的側(cè)壁422a和424a的凹槽部分。這里，建立了關(guān)系Sal > Sa2和Sa3 > Sa2。Sal與Sa3之間的關(guān)系是隨意的，但是優(yōu)選地Sa3 > Sal0此外，諸如細(xì)微凹槽的深度之類的條件與圖7中的(A)至(D)中的相同。當(dāng)通過劃片刀300形成凹槽170時(shí)，為了可靠地連接細(xì)微凹槽420和凹槽170，如圖8中的(A)所示，劃片刀300的末梢部分執(zhí)行切割，直至相對(duì)于細(xì)微凹槽420的最下部靠近半導(dǎo)體基底W的前表面的位置。在這種情況下，鑒于來自將在稍后描述的劃片刀300的應(yīng)力的關(guān)系，優(yōu)選地，細(xì)微凹槽420與凹槽170之間的邊界部分中的細(xì)微凹槽420的寬度大于在深度D的細(xì)微凹槽420的寬度。
[0111]如圖8中的⑶所示，在利用劃片刀300切割的過程中，作為粘合劑層164的一部分的粘合劑層164a進(jìn)入細(xì)微凹槽420，但是，如果細(xì)微凹槽420形成為包括具有深度為D (大于粘合劑層164a進(jìn)入細(xì)微凹槽420的深度)的正錐形的凹槽部分(側(cè)壁422和424)，則細(xì)微凹槽420內(nèi)部的粘合劑層164a被紅外線充分照射，并且容易固化。因此，在劃片帶的分離過程中抑制了粘合劑層殘留在細(xì)微凹槽420中或基底的前表面上。此外，由于細(xì)微凹槽420的側(cè)壁傾斜，因此，即使進(jìn)入細(xì)微凹槽420的粘合劑層164a未固化，也容易提取粘合劑層164a，因此促進(jìn)了粘合劑層164a的分離。
[0112]根據(jù)當(dāng)前實(shí)施例，由于細(xì)微凹槽400、410和420形成為至少包括具有其中基底的前表面上的開口寬度朝著底部變窄的正錐形的凹槽部分，因此，即使劃片帶