半導(dǎo)體片制造方法、包括半導(dǎo)體片的電路板和成像設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體片制造方法、包括半導(dǎo)體片的電路板和成像設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]已知一種利用厚劃片機在半導(dǎo)體晶圓的后表面?zhèn)壬闲纬砂疾垡约袄帽澠瑱C在半導(dǎo)體晶圓的前表面?zhèn)壬闲纬砂疾垡栽黾幽軌驈膯蝹€半導(dǎo)體晶圓獲得的芯片的數(shù)量的方法(PTL I)。此外，已提出了一種通過化學(xué)蝕刻在晶圓的前表面上形成預(yù)定深度的凹槽和通過劃片刀從晶圓的后表面形成與前表面上的凹槽相對應(yīng)的凹槽以執(zhí)行半導(dǎo)體芯片的切割的方法(PTL 2和PTL 3) ο
[0003]引文列表
[0004]專利文獻
[0005][PTL l]JP-A-4-10554
[0006][PTL 2]JP-A-61-267343
[0007][PTL 3]美國專利 N0.7897485

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]技術(shù)問題
[0009]本發(fā)明的目的是提供一種用于抑制粘合劑層在半導(dǎo)體基底的前表面上的剩余的半導(dǎo)體片制造方法、包括半導(dǎo)體片的電路板和成像設(shè)備。
[0010]技術(shù)方案
[0011][I]本發(fā)明的一方面提供了一種半導(dǎo)體片制造方法，該方法包括:在包括寬度從基底的前表面朝其后表面逐漸變窄的第一凹槽部分的前表面?zhèn)壬闲纬砂疾鄣奶幚恚辉谛纬汕氨砻鎮(zhèn)壬系陌疾壑髮⒕哂姓澈蟿拥谋３謽?gòu)件附著至前表面上的處理；通過旋轉(zhuǎn)切割構(gòu)件從基底的后表面?zhèn)妊刂氨砻鎮(zhèn)壬系陌疾坌纬蓪挾却笥谇氨砻嫔系陌疾鄣膶挾鹊暮蟊砻鎮(zhèn)壬系陌疾鄣奶幚?；以及在形成后表面?zhèn)壬系陌疾壑髲那氨砻娣蛛x保持構(gòu)件的處理。
[0012][2]可為根據(jù)[I]所述的半導(dǎo)體片制造方法，其中，前表面?zhèn)壬系陌疾郯◤牡谝话疾鄄糠值淖钕虏砍椎暮蟊砻嫜由觳⑶覍挾炔槐茸钕虏康膶挾雀牡诙疾鄄糠帧?br>[0013][3]可為根據(jù)[2]所述的半導(dǎo)體片制造方法，其中第一凹槽部分具有其中粘合劑層在當(dāng)保持構(gòu)件附著于前表面上時的時間點不進入第二凹槽部分的深度。
[0014][4]可為根據(jù)[2]或[3]所述的半導(dǎo)體片制造方法，其中第一凹槽部分具有其中在通過旋轉(zhuǎn)切割構(gòu)件形成后表面?zhèn)壬系陌疾壑笳澈蟿硬贿M入第二凹槽部分的深度。
[0015][5]可為根據(jù)[2]至[4]中的任一項所述的半導(dǎo)體片制造方法，其中基底由于其前表面?zhèn)壬系呐_式形狀的元件而具有凸出部分和凹進部分，前表面?zhèn)壬系陌疾鄣闹辽僖徊糠衷O(shè)置在凹進部分中，粘合劑層具有跟隨(follow)設(shè)置在凹進部分中的前表面?zhèn)壬系陌疾鄣娜肟诓糠值暮穸?，并且被附著以跟隨入口部分，并且第一凹槽部分具有其中被附著以跟隨入口部分的粘合劑層不進入第二凹槽部分的深度。
[0016][6]可為根據(jù)[2]至[5]中的任一項所述的半導(dǎo)體片制造方法，其中在其中假設(shè)整個第一凹槽部分形成有最下部的寬度的構(gòu)造中，第一凹槽部分的最下部的寬度具有比粘合劑層進入的深度更窄的寬度。
[0017][7]可為根據(jù)[I]至[6]中的任一項所述的半導(dǎo)體片制造方法，其中當(dāng)執(zhí)行該半導(dǎo)體片制造方法時，當(dāng)粘合劑層在保持構(gòu)件與前表面分離之后剩余時，并且當(dāng)將制造方法應(yīng)用于不同的基底時，形成在不同的基底上的第一凹槽部分的形狀改變并且形成為其中粘合劑層不容易保留的形狀。
[0018][8]可為根據(jù)[2]所述的半導(dǎo)體片制造方法，其中當(dāng)執(zhí)行該半導(dǎo)體片制造方法時，當(dāng)粘合劑層進入第二凹槽部分時，并且當(dāng)將制造方法應(yīng)用于不同的基底時，形成在不同的基底上的第一凹槽部分的形狀改變并且形成為其中不容易剩余粘合劑層的形狀。
[0019][9]可為根據(jù)[7]或[8]所述的半導(dǎo)體片制造方法，其中當(dāng)將制造方法應(yīng)用于不同的基底時，改變和形成第一凹槽部分的深度、基底的前表面上的第一凹槽部分的開口寬度和其中第一凹槽部分的寬度逐漸變窄的角度中的至少一個。
[0020][10]本發(fā)明的另一方面提供了一種半導(dǎo)體片制造方法，該方法包括:從基底的前表面在前表面?zhèn)壬闲纬砂疾鄣奶幚?；將具有粘合劑層的保持?gòu)件附著于其上形成有前表面?zhèn)壬系陌疾鄣那氨砻嫔系奶幚?；通過旋轉(zhuǎn)切割構(gòu)件從基底的后表面?zhèn)妊刂氨砻鎮(zhèn)壬系陌疾坌纬蓪挾却笥谇氨砻鎮(zhèn)壬系陌疾鄣膶挾鹊暮蟊砻鎮(zhèn)壬系陌疾鄣奶幚?；以及在形成后表面?zhèn)壬系陌疾壑髲那氨砻娣蛛x保持構(gòu)件的處理，其中當(dāng)執(zhí)行制造方法時，當(dāng)粘合劑層在基底上剩余時，以及當(dāng)將制造方法應(yīng)用于除所述基底之外的不同的基底時，形成在不同的基底上的第一凹槽部分的形狀改變?yōu)槠渲姓澈蟿硬蝗菀资Ｓ嗟男螤?，以形成在不同的基底上?br>[0021][11]可為根據(jù)[I]所述的半導(dǎo)體片制造方法，其中通過各向異性干蝕刻形成前表面?zhèn)壬系陌疾邸?br>[0022][12]可為根據(jù)[11]所述的半導(dǎo)體片制造方法，其中在形成前表面?zhèn)壬系陌疾鄣耐瑫r，各向異性干蝕刻的強度從其中前表面?zhèn)壬系陌疾鄣膶挾葟幕椎那氨砻娉浜蟊砻嬷饾u變窄的第一強度改變?yōu)榕c第一強度相比沿著凹槽的側(cè)壁方向或向下的方向具有強蝕刻強度的第二強度，以在前表面?zhèn)壬闲纬砂疾邸?br>[0023][13]可為根據(jù)[11]或[12]所述的半導(dǎo)體片制造方法，其中在形成前表面?zhèn)壬系陌疾鄣耐瑫r，包括在用于各向異性干蝕刻的蝕刻氣體中的保護膜形成氣體的流率從其中前表面?zhèn)壬系陌疾鄣膶挾葟幕椎那氨砻娉浜蟊砻嬷饾u變窄的第一流率改變?yōu)樾∮诘谝涣髀实牡诙髀?，以在前表面?zhèn)壬闲纬砂疾邸?br>[0024][14]可為根據(jù)[11]至[13]中的任一項所述的半導(dǎo)體片制造方法，其中在形成前表面?zhèn)壬系陌疾鄣耐瑫r，包括在用于各向異性干蝕刻的蝕刻氣體中的用于蝕刻的氣體的流率從其中前表面?zhèn)壬系陌疾鄣膶挾葟幕椎那氨砻娉浜蟊砻嬷饾u變窄的第一流率改變?yōu)榇笥诘谝涣髀实牡诙髀?，以在前表面?zhèn)壬闲纬砂疾邸?br>[0025][15]可為根據(jù)[11]至[14]中的任一項所述的半導(dǎo)體片制造方法，其中前表面?zhèn)壬系陌疾郯◤牡谝话疾鄄糠值淖钕虏砍椎暮蟊砻鎮(zhèn)妊由觳⑶揖哂胁槐茸钕虏康膶挾雀膶挾鹊牡诙疾鄄糠帧?br>[0026][16]可為根據(jù)[15]所述的半導(dǎo)體片制造方法，其中第一凹槽部分具有其中在當(dāng)保持構(gòu)件附著于前表面上時的時間點粘合劑層不進入第二凹槽部分的深度。
[0027][17]可為根據(jù)[15]或[16]所述的半導(dǎo)體片制造方法，其中第一凹槽部分具有其中粘合劑層在通過切割構(gòu)件形成后表面?zhèn)壬系陌疾壑蟛贿M入第二凹槽部分的深度。
[0028][18]可為根據(jù)[11]至[17]中的任一項所述的半導(dǎo)體片制造方法，其中當(dāng)執(zhí)行該半導(dǎo)體片制造方法時，當(dāng)粘合劑層在保持構(gòu)件與前表面分離之后剩余時，以及當(dāng)將制造方法應(yīng)用于不同的基底時，各向異性干蝕刻的條件改變，以使得第一凹槽部分的形狀變?yōu)槠渲信c基底中的第一凹槽部分的形狀相比粘合劑層不容易剩余的形狀，以在不同的基底上形成第一凹槽部分。
[0029]本發(fā)明的另一方面提供了一種半導(dǎo)體片制造方法，該方法包括:通過各向異性干蝕刻從基底的前表面朝其后表面在前表面?zhèn)壬闲纬砂疾鄣奶幚?；將具有粘合劑層的保持?gòu)件附著于其上形成有前表面?zhèn)壬系陌疾鄣那氨砻嫔系奶幚?；從基底的后表面?zhèn)妊刂氨砻鎮(zhèn)壬系陌疾坌纬蓪挾却笥谇氨砻鎮(zhèn)壬系陌疾鄣膶挾鹊暮蟊砻鎮(zhèn)壬系陌疾鄣奶幚恚灰约霸谛纬珊蟊砻鎮(zhèn)壬系陌疾壑髲那氨砻娣蛛x保持構(gòu)件的處理，其中，當(dāng)執(zhí)行該制造方法時，當(dāng)粘合劑層在基底上剩余時，并且當(dāng)將制造方法應(yīng)用于除所述基底之外的不同基底時，各向異性干蝕刻的條件改變，以使得第一凹槽部分的形狀變成其中與基底中的第一凹槽部分的形狀相比粘合劑層不容易剩余的形狀，以在不同的基底上形成第一凹槽部分。
[0030][20]本發(fā)明的另一方面提供了一種半導(dǎo)體片制造方法，該方法包括:在基底的前表面上形成具有其中其寬度從前表面沿著向上的方向逐漸擴大的形狀的開口的蝕刻保護膜的處理；通過各向異性干蝕刻在包括具有從與開口對應(yīng)的前表面朝著基底的后表面逐漸變窄的寬度的第一凹槽部分的前表面?zhèn)壬闲纬砂疾鄣奶幚?；將具有粘合劑層的保持?gòu)件附著于其上形成有前表面?zhèn)壬系陌疾鄣那氨砻嫔系奶幚恚粡幕椎暮蟊砻鎮(zhèn)妊刂氨砻鎮(zhèn)壬系陌疾坌纬蓪挾却笥谇氨砻鎮(zhèn)壬系陌疾鄣膶挾鹊暮蟊砻鎮(zhèn)壬系陌疾鄣奶幚?；以及在形成后表面?zhèn)壬系陌疾壑髲那氨砻娣蛛x保持構(gòu)件的處理。
[0031][21]可為根據(jù)[20]所述的半導(dǎo)體片制造方法，其中蝕刻保護膜具有其中開口的寬度從前表面朝著蝕刻保護膜的上表面逐漸擴大的形狀。
[0032][22]可為根據(jù)[20]所述的半導(dǎo)體片制造方法，其中蝕刻保護膜具有其中開口的寬度從前表面沿著向上的方向逐漸擴大的第一膜部分和從第一膜部分的上端沿著向上的方向以小于其中開口的寬度在第一膜部分中增大的角度的角度延伸的第二膜部分。
[0033][23]可為根據(jù)[22]所述的半導(dǎo)體片制造方法，其中前表面?zhèn)壬系陌疾郯ǖ诙疾鄄糠?，其從第一凹槽部分的最下部朝著基底的后表面延伸，并且具有不比最下部的寬度更窄的寬度?br>[0034][24]可為根據(jù)[20]至[23]中的任一項所述的半導(dǎo)體片制造方法，其中通過旋轉(zhuǎn)切割構(gòu)件形成后表面?zhèn)壬系陌疾邸?br>[0035][25]可為根據(jù)[20]至[24]中的任一項所述的半導(dǎo)體片制造方法，其中當(dāng)執(zhí)行該半導(dǎo)體片制造方法時，當(dāng)粘合劑層在保持構(gòu)件與前表面分離之后剩余時，并且當(dāng)將制造方法應(yīng)用于不同的基底時，蝕刻保護膜的形狀改變，以使得第一凹槽部分的形狀變成其中與基底中的第一凹槽部分的形狀相比粘合劑層不容易剩余的形狀，以在不同的基底上形成第一凹槽部分。
[0036][26]本發(fā)明的另一方面提供了一種半導(dǎo)體片制造方法，該方法包括:在基底的前表面上形成具有開口的蝕刻保護膜的處理；在前表面?zhèn)壬贤ㄟ^各向異性干蝕刻從與開口對應(yīng)的前表面形成凹槽的處理；將具有粘合劑層的保持構(gòu)件附著于其上形成有前表面?zhèn)壬系陌疾鄣那氨砻嫔系奶幚?；從基底的后表面?zhèn)瘸氨砻鎮(zhèn)壬系陌疾墼诤蟊砻鎮(zhèn)壬闲纬蓪挾却笥谇氨砻鎮(zhèn)壬系陌疾鄣膶挾鹊陌疾鄣奶幚恚灰约霸谛纬珊蟊砻鎮(zhèn)壬系陌疾壑髲那氨砻娣蛛x保持構(gòu)件的處理，其中當(dāng)執(zhí)行該制造方法時，當(dāng)粘合劑層在基底上剩余時，并且當(dāng)將制造方法應(yīng)用于除所述基底之外的不同的基底時，形成蝕刻保護膜以具有這樣的形狀，在該形狀中，形成第一凹槽部分以使得與基底中的第一凹槽部分的形狀相比粘合劑層不容易剩余，并且開口的寬度從不同的基底的前表面沿著向上的方向逐漸擴大。
[0037][27]本發(fā)明的另一方面提供了一種安裝有通過根據(jù)[I]至[26]中的任一項所述的制造方法制造的至少一個半導(dǎo)體片的電路板。
[0038][28]本發(fā)明的另一方面提供了一種安裝有根據(jù)[27]所述的電路板的成像設(shè)備。
[0039]有益效果
[0040]根據(jù)[1]，[27]或[28]，與其中凹槽具有從基底的前表面朝其后表面的特定寬度的情況相比，可抑制粘合劑層的剩余。
[0041]根據(jù)[2]，與其中前表面?zhèn)壬系陌疾蹆H形成在其寬度從基底的前表面朝基底的后表面逐漸變窄的凹槽部分上的情況相比，即使深度相同，也可減小基底的前表面上的開口的寬度。
[0042]根據(jù)[3]，與其中粘合劑層侵入第二凹槽部分的情況相比，可抑制粘合劑層的剩余。
[0043]根據(jù)[4]，與其中隨著后表面?zhèn)壬系陌疾弁ㄟ^旋轉(zhuǎn)切割構(gòu)件形成，粘合劑層侵入第二凹槽部分的情況相比，可抑制粘合劑層的剩余。
[0044]根據(jù)[5]，當(dāng)粘合劑層容易剩余時，可抑制粘合劑層的剩余。
[0045]根據(jù)[6]，當(dāng)粘合劑層容易剩余時，可抑制粘合劑層的剩余。
[0046]根據(jù)[7]，與其中第一凹槽部分的形狀不改變的情況相比，當(dāng)在不同的基底中制造半導(dǎo)體片時，可抑制粘合劑層的剩余。
[0047]根據(jù)[8]，與其中其中粘合劑層侵入第二凹槽部分的構(gòu)造不改變的情況相比，可抑制粘合劑層的剩余。
[0048]根據(jù)[9]，與其中第一凹槽部分的形狀不改變的情況相比，當(dāng)在不同的基底中制造半導(dǎo)體片時，可抑制粘合劑層的剩余。
[0049]根據(jù)[10]，與其中第一凹槽部分的形狀不改變的情況相比，可抑制粘合劑層的剩余。
[0050]根據(jù)[11]，與其中使用用于從基底的前表面形成具有特定寬度的前表面?zhèn)壬系陌疾鄄糠值母飨虍愋愿晌g刻的情況相比，可抑制粘合劑層的剩余。
[0051]根據(jù)[12]，與其中各向異性蝕刻的強度不改變的情況相比，即使前表面?zhèn)壬系陌疾鄣拈_口寬度相同，也可形成更深的凹槽。
[0052]根據(jù)[13]，與其中保護膜形成氣體的量不改變的情況相比，即使前表面?zhèn)壬系陌疾鄣拈_口寬度相同，也容易形成更深的凹槽。
[0053]根據(jù)[14]，與其中蝕刻氣體的量不改變的情況相比，即使前表面?zhèn)壬系陌疾鄣拈_口寬度相同，也容易形成更深的凹槽。
[0054]根據(jù)[15]，與其中不形成第二凹槽部分的情況相比，當(dāng)形成后表面?zhèn)壬系陌疾蹠r，可抑制基底的斷裂。
[0055]根據(jù)[16]，與其中粘合劑層侵入第三凹槽部分的情況相比，可抑制粘合劑層的剩余。
[0056]根據(jù)[17