以獲得測試結(jié)構(gòu)中源漏電阻，從而減少測試結(jié)構(gòu)中源漏電阻和真實(shí)器件中源漏電阻之間的差異，提高了測試結(jié)構(gòu)中源漏電阻的測量值的準(zhǔn)確性。
[0065]為了提高源漏電阻的測量值的準(zhǔn)確性，在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，重復(fù)步驟S1和S2，并將測量值的平均值作為測試結(jié)構(gòu)的源漏電阻。更優(yōu)選地，重復(fù)步驟S1和S22?10次。需要注意的是，在每次步驟S1和S2中，可以測量不同的兩組接觸孔結(jié)構(gòu)單元，以進(jìn)一步提高源漏電阻的測量值的準(zhǔn)確性。
[0066]需要注意的是，在上述測試方法中，當(dāng)柵極結(jié)構(gòu)的另一側(cè)的有源區(qū)設(shè)置有兩組或兩組以上接觸孔結(jié)構(gòu)單元以及相應(yīng)的金屬層時(shí)，也可以將測試機(jī)的兩個(gè)探針分別單獨(dú)置于柵極結(jié)構(gòu)的另一側(cè)的有源區(qū)中任意兩組接觸孔結(jié)構(gòu)單元上的金屬層上。同時(shí)，本領(lǐng)域的技術(shù)人員還可以對本申請?zhí)峁┑臏y試結(jié)構(gòu)進(jìn)行仿真模擬計(jì)算，以計(jì)算獲得該測試結(jié)構(gòu)中源漏電阻。
[0067]從以上的描述中，可以看出，本申請上述的實(shí)施例實(shí)現(xiàn)了如下技術(shù)效果:
[0068](1)通過形成具有設(shè)置于柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè)的有源區(qū)上的至少兩組接觸孔結(jié)構(gòu)單元，以及設(shè)置于每組接觸孔結(jié)構(gòu)單元的表面上金屬層的測試結(jié)構(gòu)，并將任意兩組接觸孔結(jié)構(gòu)單元上的金屬層作為電阻測試時(shí)的探針接觸點(diǎn)以獲得測試結(jié)構(gòu)中源漏電阻，從而減小了因測試結(jié)構(gòu)中沒有形成柵極結(jié)構(gòu)引起的測試結(jié)構(gòu)和真實(shí)器件之間的結(jié)構(gòu)差異，進(jìn)而減少測試結(jié)構(gòu)中源漏電阻和真實(shí)器件中源漏電阻之間的差異，提高了測試結(jié)構(gòu)中源漏電阻的測量值的準(zhǔn)確性。
[0069](2)該方法不需要通過計(jì)算獲得真實(shí)器件中包括源漏電阻、導(dǎo)電溝道電阻以及接觸電阻的電阻值，進(jìn)而不需要將源漏電阻從計(jì)算獲得的電阻值分離出來，避免了將源漏電阻與導(dǎo)電溝道電阻、接觸電阻的分離產(chǎn)生的誤差，進(jìn)而進(jìn)一步提高了測試結(jié)構(gòu)中源漏電阻的測量值的準(zhǔn)確性。
[0070]以上所述僅為本申請的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本申請，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本申請可以有各種更改和變化。凡在本申請的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本申請的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種測試結(jié)構(gòu)，包括有源區(qū)以及設(shè)置于所述有源區(qū)上的柵極結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述測試結(jié)構(gòu)還包括: 至少兩組接觸孔結(jié)構(gòu)單元，設(shè)置于所述柵極結(jié)構(gòu)的第一側(cè)的有源區(qū)上，每組所述接觸孔結(jié)構(gòu)單元包括至少一個(gè)接觸孔結(jié)構(gòu)；以及 至少兩層金屬層，與所述接觸孔結(jié)構(gòu)單元一一對應(yīng)地設(shè)置于每組所述接觸孔結(jié)構(gòu)單元的表面上。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，各所述金屬層沿所述柵極結(jié)構(gòu)的延伸方向，和/或沿遠(yuǎn)離所述柵極結(jié)構(gòu)的方向依次設(shè)置。3.根據(jù)權(quán)利要求2所示的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬層為長方體，且所述金屬層的高度方向垂直于所述有源區(qū)的表面，所述金屬層的寬度方向和長度方向所形成的平面平行于所述有源區(qū)的表面。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，各所述金屬層的長度方向垂直于或平行于所述柵極結(jié)構(gòu)。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，每組所述接觸孔結(jié)構(gòu)單元中接觸孔結(jié)構(gòu)設(shè)置于相應(yīng)的所述金屬層的兩側(cè)或中間。6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，每組所述接觸孔結(jié)構(gòu)單元包括多個(gè)接觸孔結(jié)構(gòu)，且各接觸孔結(jié)構(gòu)沿所述金屬層依次等距離設(shè)置。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，各所述金屬層沿所述柵極結(jié)構(gòu)的延伸方向依次設(shè)置，且各所述金屬層的長度方向垂直于所述柵極結(jié)構(gòu)時(shí)，各組所述接觸孔結(jié)構(gòu)單元中接觸孔結(jié)構(gòu)， 設(shè)置于相應(yīng)的所述金屬層遠(yuǎn)離所述柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè)；或 設(shè)置于相應(yīng)的所述金屬層靠近所述柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè)；或 交替設(shè)置于相應(yīng)的所述金屬層遠(yuǎn)離所述柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè)和所述金屬層靠近所述柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè)。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，各所述金屬層的長度等于設(shè)置有金屬層一側(cè)的有源區(qū)在垂直于柵極結(jié)構(gòu)方向的長度。9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，各所述金屬層沿所述柵極結(jié)構(gòu)的延伸方向依次設(shè)置，且各所述金屬層的長度方向平行于所述柵極結(jié)構(gòu)時(shí)，各組所述接觸孔結(jié)構(gòu)單元中接觸孔結(jié)構(gòu)設(shè)置于相應(yīng)的所述金屬層的兩側(cè)或中間。10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，各所述金屬層沿遠(yuǎn)離所述柵極結(jié)構(gòu)的方向上依次設(shè)置，且各所述金屬層的長度方向平行于所述柵極結(jié)構(gòu)時(shí)，各組所述接觸孔結(jié)構(gòu)單元中接觸孔結(jié)構(gòu)， 設(shè)置于相應(yīng)的所述金屬層沿所述柵極結(jié)構(gòu)的延伸方向的第一側(cè)或第二側(cè)；或 交替設(shè)置于相應(yīng)的所述金屬層沿所述柵極結(jié)構(gòu)的延伸方向的第一側(cè)和所述金屬層沿柵極結(jié)構(gòu)的延伸方向的第二側(cè)。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，各所述金屬層的長度等于設(shè)置有金屬層一側(cè)的有源區(qū)在沿柵極結(jié)構(gòu)的延伸方向上的寬度。12.根據(jù)權(quán)利要求5所述的測試結(jié)構(gòu)，其特征在于，各上述金屬層沿柵極結(jié)構(gòu)的延伸方向和沿遠(yuǎn)離柵極結(jié)構(gòu)的方向依次設(shè)置，各金屬層的寬度和長度相等，且每組接觸孔結(jié)構(gòu)單元中接觸孔結(jié)構(gòu)設(shè)置于相應(yīng)的金屬層的中間。13.—種測試結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括: 在有源區(qū)上制作柵極結(jié)構(gòu)； 在所述柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)的有源區(qū)中形成源漏極； 在所述柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè)的有源區(qū)上形成至少兩組接觸孔結(jié)構(gòu)單元，每組所述接觸孔結(jié)構(gòu)單元包括至少一個(gè)接觸孔結(jié)構(gòu)； 在每組所述接觸孔結(jié)構(gòu)單元的表面上形成金屬層。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制作方法，其特征在于，形成所述接觸孔結(jié)構(gòu)單元的步驟包括: 在所述柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè)的有源區(qū)上形成介質(zhì)層； 刻蝕所述介質(zhì)層至暴露出所述有源區(qū)的表面，以在所述介質(zhì)層中形成接觸孔； 在所述接觸孔中填充金屬材料，形成所述接觸孔結(jié)構(gòu)單元。15.根據(jù)權(quán)利要求14所示的制作方法，其特征在于，形成所述金屬層的步驟包括: 形成覆蓋所述介質(zhì)層和所述接觸孔結(jié)構(gòu)單元的金屬預(yù)備層； 刻蝕所述金屬預(yù)備層，形成所述金屬層。16.根據(jù)權(quán)利要求13至15中任一項(xiàng)所述的制作方法，其特征在于，形成所述柵極結(jié)構(gòu)和所述源漏極的步驟包括: 在有源區(qū)上形成柵極； 在所述柵極的兩側(cè)側(cè)壁上形成側(cè)壁層，以形成所述柵極結(jié)構(gòu)； 對位于所述柵極的兩側(cè)的有源區(qū)進(jìn)行離子注入以形成源漏注入?yún)^(qū)； 在所述源漏注入?yún)^(qū)的表面上形成金屬硅化物層以形成所述源漏極。17.—種測試方法，采用測試機(jī)測試權(quán)利要求1至12中任一項(xiàng)所述的測試結(jié)構(gòu)的源漏電阻，其特征在于，所述測試方法包括: 步驟S1、將測試機(jī)的兩個(gè)探針分別單獨(dú)置于任意兩組所述接觸孔結(jié)構(gòu)單元上的金屬層上; 步驟S2、輸出測量值。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的測試方法，其特征在于，重復(fù)所述步驟S1和S2，并將所述測量值的平均值作為所述測試結(jié)構(gòu)的源漏電阻。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的測試方法，其特征在于，重復(fù)所述步驟S1和S22?10次。
【專利摘要】本申請公開了一種測試結(jié)構(gòu)、測試結(jié)構(gòu)的制作方法及測試方法。該測試結(jié)構(gòu)包括柵極結(jié)構(gòu)，還包括：至少兩組接觸孔結(jié)構(gòu)單元，設(shè)置于柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè)的有源區(qū)上，每組接觸孔結(jié)構(gòu)單元包括至少一個(gè)接觸孔結(jié)構(gòu)；以及至少量組金屬層，與接觸孔結(jié)構(gòu)單元一一對應(yīng)地設(shè)置于每組接觸孔結(jié)構(gòu)單元的表面上。在該測試結(jié)構(gòu)中，通過將任意兩組接觸孔結(jié)構(gòu)單元上的金屬層作為電阻測試時(shí)的探針接觸點(diǎn)以獲得測試結(jié)構(gòu)中源漏電阻，從而減小了因測試結(jié)構(gòu)中沒有形成柵極結(jié)構(gòu)引起的測試結(jié)構(gòu)和真實(shí)器件之間的結(jié)構(gòu)差異，進(jìn)而減少測試結(jié)構(gòu)中源漏電阻和真實(shí)器件中源漏電阻之間的差異，提高了測試結(jié)構(gòu)中源漏電阻的測量值的準(zhǔn)確性。
【IPC分類】H01L21/66, H01L23/544, G01R31/26
【公開號(hào)】CN105336728
【申請?zhí)枴緾N201410328202
【發(fā)明人】韋慶松, 于書坤
【申請人】中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
【公開日】2016年2月17日
【申請日】2014年7月10日