作為電阻測(cè)試時(shí)的探針接觸點(diǎn)以獲得測(cè)試結(jié)構(gòu)中源漏電阻，從而減小了因測(cè)試結(jié)構(gòu)中沒(méi)有形成柵極結(jié)構(gòu)引起的測(cè)試結(jié)構(gòu)和真實(shí)器件之間的結(jié)構(gòu)差異，進(jìn)而減少測(cè)試結(jié)構(gòu)中源漏電阻和真實(shí)器件中源漏電阻之間的差異，提高了測(cè)試結(jié)構(gòu)中源漏電阻的測(cè)量值的準(zhǔn)確性。同時(shí)，該方法不需要通過(guò)計(jì)算獲得真實(shí)器件中包括源漏電阻、導(dǎo)電溝道電阻以及接觸電阻的電阻值，進(jìn)而不需要將源漏電阻從計(jì)算獲得的電阻值分離出來(lái)，避免了將源漏電阻與導(dǎo)電溝道電阻、接觸電阻的分離產(chǎn)生的誤差，進(jìn)而進(jìn)一步提高了測(cè)試結(jié)構(gòu)中源漏電阻的測(cè)量值的準(zhǔn)確性。
【附圖說(shuō)明】
[0026]構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分的說(shuō)明書(shū)附圖用來(lái)提供對(duì)本申請(qǐng)的進(jìn)一步理解，本申請(qǐng)的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于解釋本申請(qǐng)，并不構(gòu)成對(duì)本申請(qǐng)的不當(dāng)限定。在附圖中:
[0027]圖1示出了現(xiàn)有測(cè)試晶體管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖2示出了本申請(qǐng)實(shí)施方式所提供的測(cè)試結(jié)構(gòu)中，各金屬層沿柵極結(jié)構(gòu)的延伸方向依次設(shè)置，各金屬層的長(zhǎng)度方向垂直于柵極結(jié)構(gòu)，且各組接觸孔結(jié)構(gòu)單元中接觸孔結(jié)構(gòu)設(shè)置于相應(yīng)的金屬層遠(yuǎn)離柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè)時(shí)基體的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖3示出了本申請(qǐng)實(shí)施方式所提供的測(cè)試結(jié)構(gòu)中，各金屬層沿柵極結(jié)構(gòu)的延伸方向依次設(shè)置，各金屬層的長(zhǎng)度方向垂直于柵極結(jié)構(gòu)，且各組接觸孔結(jié)構(gòu)單元中接觸孔結(jié)構(gòu)設(shè)置于金屬層靠近柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè)時(shí)基體的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖4示出了本申請(qǐng)實(shí)施方式所提供的測(cè)試結(jié)構(gòu)中，各金屬層沿柵極結(jié)構(gòu)的延伸方向依次設(shè)置，各金屬層的長(zhǎng)度方向垂直于柵極結(jié)構(gòu)，且各組接觸孔結(jié)構(gòu)單元中接觸孔結(jié)構(gòu)交替設(shè)置于金屬層遠(yuǎn)離柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè)和金屬層靠近柵極結(jié)構(gòu)的一側(cè)時(shí)基體的剖面結(jié)構(gòu)不意圖；
[0031]圖5示出了本申請(qǐng)實(shí)施方式所提供的測(cè)試結(jié)構(gòu)中，各金屬層沿柵極結(jié)構(gòu)的延伸方向依次設(shè)置，各金屬層的長(zhǎng)度方向平行于柵極結(jié)構(gòu)，且接觸孔結(jié)構(gòu)單元中接觸孔結(jié)構(gòu)設(shè)置于相應(yīng)的金屬層的中間時(shí)基體的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖6示出了本申請(qǐng)實(shí)施方式所提供的測(cè)試結(jié)構(gòu)中，各金屬層沿遠(yuǎn)離柵極結(jié)構(gòu)的方向上依次設(shè)置，各金屬層的長(zhǎng)度方向平行于柵極結(jié)構(gòu)，且每組接觸孔結(jié)構(gòu)單元中接觸孔結(jié)構(gòu)設(shè)置于金屬層沿柵極結(jié)構(gòu)的延伸方向的第一側(cè)時(shí)基體的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖7示出了本申請(qǐng)實(shí)施方式所提供的測(cè)試結(jié)構(gòu)中，各金屬層沿遠(yuǎn)離柵極結(jié)構(gòu)的方向上依次設(shè)置，各金屬層的長(zhǎng)度方向平行于柵極結(jié)構(gòu)，且每組接觸孔結(jié)構(gòu)單元中接觸孔結(jié)構(gòu)交替設(shè)置于金屬層沿柵極結(jié)構(gòu)的延伸方向的第一側(cè)與金屬層沿柵極結(jié)構(gòu)的延伸方向的第二側(cè)時(shí)基體的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖8示出了本申請(qǐng)實(shí)施方式所提供的測(cè)試結(jié)構(gòu)中，各金屬層沿柵極結(jié)構(gòu)的延伸方向和沿遠(yuǎn)離柵極結(jié)構(gòu)的方向依次設(shè)置，各金屬層的寬度和長(zhǎng)度相等，且每組接觸孔結(jié)構(gòu)單元中接觸孔結(jié)構(gòu)設(shè)置于相應(yīng)的金屬層的中間時(shí)基體的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖9示出了本申請(qǐng)實(shí)施方式所提供的測(cè)試結(jié)構(gòu)的制作方法的流程示意圖；
[0036]圖10示出了本申請(qǐng)實(shí)施方式所提供的測(cè)試結(jié)構(gòu)的制作方法中，在有源區(qū)上形成柵極，并在柵極的兩側(cè)側(cè)壁上形成側(cè)壁層以形成柵極結(jié)構(gòu)后的基體的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037]圖11示出了對(duì)位于圖10所示的柵極的兩側(cè)的有源區(qū)進(jìn)行離子注入以形成源極注入?yún)^(qū)和漏極注入?yún)^(qū)后的基體的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038]圖12示出了在圖11所示的源極注入?yún)^(qū)和漏極注入?yún)^(qū)的表面上形成金屬硅化物層以形成源漏極后的基體的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；以及
[0039]圖13示出了本申請(qǐng)實(shí)施方式所提供的測(cè)試方法的流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0040]需要說(shuō)明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本申請(qǐng)。
[0041]需要注意的是，這里所使用的術(shù)語(yǔ)僅是為了描述【具體實(shí)施方式】，而非意圖限制根據(jù)本申請(qǐng)的示例性實(shí)施方式。如在這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式也意圖包括復(fù)數(shù)形式，此外，還應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)在本說(shuō)明書(shū)中使用屬于“包含”和/或“包括”時(shí)，其指明存在特征、步驟、操作、器件、組件和/或它們的組合。
[0042]為了便于描述，在這里可以使用空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)，如“在……之上”、“在……上方”、“在……上表面”、“上面的”等，用來(lái)描述如在圖中所示的一個(gè)器件或特征與其他器件或特征的空間位置關(guān)系。應(yīng)當(dāng)理解的是，空間相對(duì)術(shù)語(yǔ)旨在包含除了器件在圖中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附圖中的器件被倒置，則描述為“在其他器件或構(gòu)造上方”或“在其他器件或構(gòu)造之上”的器件之后將被定位為“在其他器件或構(gòu)造下方”或“在其他器件或構(gòu)造之下”。因而，示例性術(shù)語(yǔ)“在……上方”可以包括“在……上方”和“在……下方”兩種方位。該器件也可以其他不同方式定位(旋轉(zhuǎn)90度或處于其他方位)，并且對(duì)這里所使用的空間相對(duì)描述作出相應(yīng)解釋。
[0043]正如【背景技術(shù)】中所介紹的，現(xiàn)有測(cè)試結(jié)構(gòu)中源漏電阻和真實(shí)器件中源漏電阻之間具有較大差異。本申請(qǐng)的發(fā)明人針對(duì)上述問(wèn)題進(jìn)行研究，提出了一種測(cè)試結(jié)構(gòu)。如圖2至7所示，該測(cè)試結(jié)構(gòu)包括有源區(qū)10、柵極結(jié)構(gòu)20、至少兩組接觸孔結(jié)構(gòu)單元30和至少金屬層40。其中，柵極結(jié)構(gòu)20設(shè)置于有源區(qū)10上，接觸孔結(jié)構(gòu)單元30設(shè)置于柵極結(jié)構(gòu)20的一側(cè)的有源區(qū)10上，且每組接觸孔結(jié)構(gòu)單元30包括至少一個(gè)接觸孔結(jié)構(gòu)，金屬層40與接觸孔結(jié)構(gòu)單元一一對(duì)應(yīng)地設(shè)置于每組接觸孔結(jié)構(gòu)單元30的表面上。需要注意的是，上述測(cè)試結(jié)構(gòu)中，既可以不在柵極結(jié)構(gòu)20的另一側(cè)的有源區(qū)10設(shè)置任何接觸孔結(jié)構(gòu)單元30和金屬層40，也可以在柵極結(jié)構(gòu)20的另一側(cè)的有源區(qū)10設(shè)置一組或多組接觸孔結(jié)構(gòu)單元30以及相應(yīng)的金屬層40。
[0044]上述測(cè)試結(jié)構(gòu)中，通過(guò)形成具有設(shè)置于柵極結(jié)構(gòu)20的一側(cè)的有源區(qū)10上的至少兩組接觸孔結(jié)構(gòu)單元30，以及設(shè)置于每組接觸孔結(jié)構(gòu)單元30的表面上金屬層40的測(cè)試結(jié)構(gòu)，并將任意兩組接觸孔結(jié)構(gòu)單元30上的金屬層40作為電阻測(cè)試時(shí)的探針接觸點(diǎn)以獲得測(cè)試結(jié)構(gòu)中源漏電阻，從而減小了因測(cè)試結(jié)構(gòu)中沒(méi)有形成柵極結(jié)構(gòu)20引起的測(cè)試結(jié)構(gòu)和真實(shí)器件之間的結(jié)構(gòu)差異，進(jìn)而減少測(cè)試結(jié)構(gòu)中源漏電阻和真實(shí)器件中源漏電阻之間的差異，提高了測(cè)試結(jié)構(gòu)中源漏電阻的測(cè)量值的準(zhǔn)確性。同時(shí)，該方法不需要通過(guò)計(jì)算獲得真實(shí)器件中包括源漏電阻、導(dǎo)電溝道電阻以及接觸電阻的電阻值，進(jìn)而不需要將源漏電阻從計(jì)算獲得的電阻值分離出來(lái)，避免了將源漏電阻與導(dǎo)電溝道電阻、接觸電阻的分離產(chǎn)生的誤差，進(jìn)而進(jìn)一步提高了測(cè)試結(jié)構(gòu)中源漏電阻的測(cè)量值的準(zhǔn)確性。
[0045]上述金屬層40可以設(shè)置在柵極結(jié)構(gòu)20的一側(cè)的有源區(qū)10的任意位置上，且大小形狀任意。為了優(yōu)化所形成測(cè)試結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)以及便于制作上述測(cè)試結(jié)構(gòu)，在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，各上述金屬層40沿柵極結(jié)構(gòu)20的延伸方向，和/或沿遠(yuǎn)離柵極結(jié)構(gòu)20的方向依次設(shè)置。其中，上述有源區(qū)10是指襯底上形成測(cè)試結(jié)構(gòu)的區(qū)域。
[0046]上述金屬層40的形狀可以根據(jù)實(shí)際工藝需求設(shè)定，一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，上述金屬層40為長(zhǎng)方體,且金屬層40的高度方向垂直于有源區(qū)10的表面,金屬層40的寬度方向和長(zhǎng)度方向所形成的平面平行于有源區(qū)10的表面。此時(shí)，上述金屬層40的寬度方向和長(zhǎng)度方向可以在金屬層40的寬度方向和長(zhǎng)度方向所形成的平面上任意設(shè)置。為了優(yōu)化所形成測(cè)試結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)以及便于制作上述測(cè)試結(jié)構(gòu)，優(yōu)選地，各金屬層40的長(zhǎng)度方向垂直于或平行于柵極結(jié)構(gòu)20。
[0047]每組上述接觸孔結(jié)構(gòu)單元30中的接觸孔結(jié)構(gòu)可以設(shè)置在柵極結(jié)構(gòu)20的一側(cè)的有源區(qū)10的任意位置上。為了優(yōu)化所形成測(cè)試結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)以及便于制作上述測(cè)試結(jié)構(gòu)，在一種優(yōu)選的實(shí)施方式中，每組接觸孔結(jié)構(gòu)單元30中接