機(jī)層130接觸。
[0099]第二無機(jī)層具有與第一無機(jī)層基本上相同的組成。因此，第二無機(jī)層可以使用與上述的用于形成第一無機(jī)層相同方法來形成。
[0100]圖4是比較根據(jù)本公開的示例性實施方式的第一無機(jī)層和第二無機(jī)層的組成和根據(jù)比較例的第一無機(jī)層和第二無機(jī)層的組成的表格。
[0101]根據(jù)本公開的示例性實施方式的第一和第二無機(jī)層和根據(jù)比較例的第一和第二無機(jī)層均是基本上由氫化氮化硅(SiNx:H)制成，并使用硅烷(SiH4)氣體和氨(NH3)氣體作為源氣體在10 3Torr的壓力下通過等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)制造。
[0102]圖4所示的氧與娃之比和氮與娃之比使用XPS測量。刻蝕速率在氫氟酸(HF)和水以1:6混合的氫氟酸溶液中測得。硅-氫鍵與氮-氫鍵之比(S1-H/N-H)使用傅利葉變換紅外光譜儀(FT-1R)測得。
[0103]參見圖4，根據(jù)本公開的示例性實施方式的第一和第二無機(jī)層的氧與硅之比為0.15，氮與硅之比為1.20。相比之下，根據(jù)比較例的第一和第二無機(jī)層的氧與硅之比為0.10，氮與硅之比(N/Si)為0.80。
[0104]另外，參見圖4，根據(jù)本公開的示例性實施方式的第一和第二無機(jī)層的刻蝕速率為532nm/min,而根據(jù)比較例的第一和第二無機(jī)層的刻蝕速率為957nm/min。由比較結(jié)果可以看出根據(jù)本公開的示例性實施方式的第一和第二無機(jī)層與根據(jù)比較例的那些相比具有更密實的組成。因此，可以看出示例性實施方式可以更有效地抑制水分和氧滲入有機(jī)發(fā)光元件。
[0105]另外，參見圖4，根據(jù)本公開的示例性實施方式的第一和第二無機(jī)層的硅-氫鍵與氮-氫鍵之比(S1-H/N-H)為0.72。相比之下，根據(jù)比較例的第一和第二無機(jī)層的硅-氫鍵與氮-氫鍵之比(S1-H/N-H)為0.57，低于前者。
[0106]圖5A是根據(jù)本公開的示例性實施方式的第一無機(jī)層與第二無機(jī)層之間的界面的顯微照片。圖5B是根據(jù)比較例的第一無機(jī)層與第二無機(jī)層之間的界面的顯微照片。
[0107]如圖5A和5B所示，在根據(jù)本公開的示例性實施方式的第一和第二無機(jī)層之間的界面處存在極少數(shù)量的較小尺寸的氣泡，而在根據(jù)比較例的第一和第二無機(jī)層之間的界面處存在不希望的大量的較大尺寸的氣泡。由比較結(jié)果可以看出根據(jù)本公開的示例性實施方式的第一和第二無機(jī)層比根據(jù)比較例的那些更牢靠地彼此相連。因此，前者可以更有效地抑制水分和氧滲入有機(jī)發(fā)光元件。
[0108]至此，參照附圖對本公開的示例性實施方式進(jìn)行了詳細(xì)說明。不過，本公開不限于示例性實施方式，可以對其進(jìn)行修改和變動而不脫離本公開的技術(shù)構(gòu)思。因此，本文所述的示例性實施方式是僅僅說明性的，并非意在限制本公開的范圍。本公開的技術(shù)構(gòu)思不受示例性實施方式的限制。因此，應(yīng)理解，上述實施方式在所有方面并非限制而是進(jìn)行說明。本公開尋求的保護(hù)范圍由所附權(quán)利要求所限定，其全部等同物應(yīng)被解釋為在本公開的范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包含: 位于基板上的有機(jī)發(fā)光元件； 第一無機(jī)層，所述第一無機(jī)層位于所述有機(jī)發(fā)光元件上并且基本上由氫化氮化硅(SiNx:H)制成; 位于所述第一無機(jī)層的一部分上的有機(jī)層；和 位于所述有機(jī)層上并且完全覆蓋所述有機(jī)層的第二無機(jī)層，其中: 所述第二無機(jī)層的邊緣接觸所述第一無機(jī)層； 所述第一無機(jī)層中含有的氧原子與硅原子數(shù)量之比為0.12?0.19，并且所述第一無機(jī)層中含有的氮原子與硅原子數(shù)量之比為0.9?1.5 ;并且 所述第一無機(jī)層和所述第二無機(jī)層具有基本上相同的組成。2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，所述第一無機(jī)層和所述第二無機(jī)層各自具有5，000埃?15，000埃的厚度。3.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，所述第一無機(jī)層和所述第二無機(jī)層各自具有90%?99.9%的透明度。4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，所述第一無機(jī)層和所述第二無機(jī)層在氫氟酸(HF)和水以1:6的比率混合的氫氟酸溶液中各自具有400nm/min?700nm/min的刻蝕速率。5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，所述第一無機(jī)層和所述第二無機(jī)層各自含有的硅-氫鍵與氮-氫鍵之比(S1-H/N-H)為0.6?0.75。6.如權(quán)利要求14所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，所述第一無機(jī)層和所述第二無機(jī)層各自在70°C?110°C的溫度形成。7.如權(quán)利要求14所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，所述第一無機(jī)層和所述第二無機(jī)層各自通過等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)形成。8.如權(quán)利要求14所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，所述第一無機(jī)層和所述第二無機(jī)層各自在10:Τογγ?10 5Torr的壓力形成。9.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，所述第二無機(jī)層的邊緣與所述第一無機(jī)層的邊緣之間的粘合長度為至少50 μπι。10.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，所述有機(jī)層的厚度為5μπι?30 μ m。11.如權(quán)利要求10所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，所述有機(jī)層由丙烯酸類樹脂或者環(huán)氧類樹脂制成。12.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，所述基板為柔性基板。13.如權(quán)利要求3所述的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器，其中，所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器為頂發(fā)射有機(jī)發(fā)光二極管顯示器。14.一種制造有機(jī)發(fā)光二極管顯示器的方法，所述方法包括: 在基板上形成有機(jī)發(fā)光元件； 在所述有機(jī)發(fā)光元件上形成基本上由氫化氮化娃(SiNx:H)制成的第一無機(jī)層； 在所述第一無機(jī)層的一部分上形成有機(jī)層；和 在所述有機(jī)層上形成第二無機(jī)層，使第二無機(jī)層完全覆蓋所述有機(jī)層，其中: 所述第二無機(jī)層的邊緣與所述第一無機(jī)層接觸； 所述第一無機(jī)層中含有的氧原子與硅原子數(shù)量之比為0.12?0.19，并且所述第一無機(jī)層中含有的氮原子與硅原子數(shù)量之比為0.9?1.5 ;并且 所述第一無機(jī)層和所述第二無機(jī)層具有基本上相同的組成。15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，形成所述第一無機(jī)層的步驟和形成所述第二有機(jī)層的步驟各自包括:將硅烷(SiH4)氣體和氨(NH3)氣體供給到所述有機(jī)發(fā)光元件上；和將所述硅烷(SiH4)氣體和所述氨(NH3)氣體轉(zhuǎn)化為等離子體。16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中，供給所述硅烷(SiH4)氣體和所述氨(NH3)氣體的步驟包括供給氮(N2)氣體。17.如權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述第一無機(jī)層中含有的氧原子與硅原子數(shù)量之比和所述第一無機(jī)層中含有的氮原子與硅原子數(shù)量之比各自通過調(diào)節(jié)供給到所述有機(jī)發(fā)光元件上的所述氨(NH3)氣體與所述硅烷(SiH4)氣體的比率來實現(xiàn)。18.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述第一無機(jī)層和所述第二無機(jī)層各自含有的氧(02)來源于環(huán)境空氣。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器及其制造方法，所述OLED顯示器包含：其上形成有機(jī)發(fā)光元件的基板；位于基板上的有機(jī)發(fā)光元件；位于所述有機(jī)發(fā)光元件上并且基本上由氫化氮化硅(SiNx:H)制成的第一無機(jī)層；位于所述第一無機(jī)層的一部分上的有機(jī)層；和位于所述有機(jī)層上并且完全覆蓋所述有機(jī)層的第二無機(jī)層。所述第二無機(jī)層的邊緣與所述第一無機(jī)層接觸。所述第一無機(jī)層中含有的氧原子與硅原子數(shù)量之比為0.12～0.19，所述第一無機(jī)層中含有的氮原子與硅原子數(shù)量之比為0.9～1.5。所述第一無機(jī)層和第二無機(jī)層具有基本上相同的組成。
【IPC分類】H01L27/32, H01L51/52, H01L51/56
【公開號】CN105321982
【申請?zhí)枴緾N201510454979
【發(fā)明人】崔源烈, 金炳澈, 李命洙, 樸熙星
【申請人】樂金顯示有限公司
【公開日】2016年2月10日
【申請日】2015年7月29日
【公告號】EP2980879A1, US20160036000