扇出晶圓級封裝方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種扇出晶圓級封裝方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著集成電路技術(shù)的不斷發(fā)展，電子產(chǎn)品越來越向小型化、智能化以及高可靠性方向發(fā)展，而集成電路封裝直接影響著集成電路、電子模塊乃至整機(jī)性能，在集成電路晶片尺寸逐步縮小、集成度不斷提高的情況下，電子工業(yè)對集成電路封裝結(jié)束提出了越來越高的要求。
[0003]目前的扇出(fanout)工藝，主要的困難在于芯片在樹脂加工過程中由于樹脂漲縮造成芯片偏移，中心和邊緣的偏移量不盡相同，通常是中心小而邊緣大，這樣不可控的偏移量是造成fanout加工良品率較低以及限制加工精度的主要原因，該扇出晶圓級工藝不適用于薄型產(chǎn)品的封裝工藝。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]鑒于現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺陷或不足，本發(fā)明提供一種扇出晶圓級封裝方法。
[0005]本發(fā)明提供的扇出晶圓級封裝方法，主要包括:
[0006]在承載板的正面形成第一開口部；
[0007]在所述第一開口部的周圍形成第一重布線層；
[0008]在所述第一重布線層上形成導(dǎo)電柱，所述導(dǎo)電柱的頂面高于待裝載芯片的頂面；
[0009]在所述第一開口部內(nèi)裝載芯片；
[0010]在所述承載板的正面設(shè)置第一封料層，所述第一封料層的表面裸露出所述導(dǎo)電柱頂面和所述芯片的連接部件；
[0011]在所述第一封料層上形成連接所述導(dǎo)電柱與所述連接部件的第二重布線層；
[0012]在所述第二重布線層上形成第二封料層，所述第二封料層的表面裸露出所述第二重布線層的連接區(qū)域；
[0013]在所述連接區(qū)域上形成焊球。
[0014]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的扇出晶圓級封裝方法，利用阻流結(jié)構(gòu)fanout工藝形成導(dǎo)電柱，以形成柵欄狀的柱子區(qū)域限制樹脂在固化過程中的漲縮，從而對芯片的偏移起到限制作用；另外，通過在承載板與導(dǎo)電柱之間設(shè)置第一重布線層作為導(dǎo)電柱的基礎(chǔ)，形成框架結(jié)構(gòu)，增加結(jié)合力；再者，第一重布線層起到導(dǎo)通的作用，增加大電流的導(dǎo)通能力，并提高散熱性能。本發(fā)明提供的扇出晶圓級封裝方法適用于多個不同的芯片進(jìn)行封裝，具有較高的集成度和整合度。
【附圖說明】
[0015]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0016]圖1為本發(fā)明提供的扇出晶圓級封裝方法一種實施例的流程圖；
[0017]圖2-圖11為本發(fā)明提供的扇出晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的一種實施例的工藝示意圖。
【具體實施方式】
[0018]下面結(jié)合附圖和實施例對本申請作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。可以理解的是，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋相關(guān)發(fā)明，而非對該發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與發(fā)明相關(guān)的部分。
[0019]需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實施例來詳細(xì)說明本申請。
[0020]參照圖11，本實施例提供一種晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，包括:
[0021]承載板101，承載板101上的第一開口部內(nèi)裝載有芯片102 ;
[0022]形成于承載板101上且位于第一開口部周圍的第一重布線層104 ;
[0023]形成于第一重布線層104上的導(dǎo)電柱105，導(dǎo)電柱105的頂面高于芯片102的頂面；
[0024]形成于承載板101上的第一封料層106，第一封料層106表面裸露出導(dǎo)電柱頂面和芯片的連接部件；
[0025]形成于第一封料層106上連接導(dǎo)電柱與芯片的第二重布線層108 ；
[0026]形成于第二重布線層108上的第二封料層109，第二封料層裸露出第二重布線層的連接區(qū)域；
[0027]形成于連接區(qū)域上的焊球111。
[0028]本實施例提供的扇出晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，利用阻流結(jié)構(gòu)fanout工藝，使得該封裝結(jié)構(gòu)中設(shè)置的導(dǎo)電柱形成柵欄狀的柱子區(qū)域，以限制樹脂在固化過程中的漲縮，從而對芯片的偏移起到限制作用；并在承載板上方、導(dǎo)電柱下方設(shè)置第一重布線層作為導(dǎo)電柱的基礎(chǔ)，形成框架結(jié)構(gòu)，增加結(jié)合力；再者，第一重布線層起到導(dǎo)通的作用，增加大電流的導(dǎo)通能力，并提高散熱性能。本發(fā)明提供的扇出晶圓級封裝結(jié)構(gòu)適用于封裝多個不同的芯片，具有較高的集成度和整合度。
[0029]在本實施例中，承載板101優(yōu)選采用金屬板，硅晶片具有較好的硬度和平整度，可有效降低封裝器件的失效比例。
[0030]在承載板101的正面通過激光形成對準(zhǔn)標(biāo)記，以確定第一開口部103的位置，方便后續(xù)裝載芯片。可選的，第一開口部103通過硅蝕刻的方式形成。
[0031]作為一種可選的實施方式，第一重布線層包括多個第一重布線區(qū)域，多個第一重布線區(qū)域互不相連且圍繞第一開口部，每個第一重布線區(qū)域上形成一個或多個導(dǎo)電柱。第一重布線層作為導(dǎo)電柱的基礎(chǔ)，形成框架結(jié)構(gòu)，增加結(jié)合力；并且增加大電流的導(dǎo)通能力，并提尚散熱性能。
[0032]進(jìn)一步地，第一開口部的橫截面呈多邊形，并且多邊形至少包括四條邊。
[0033]進(jìn)一步地，在第一開口部的周圍，沿著每條邊導(dǎo)電柱均呈一排布置，以在第一開口部的周圍形成柵欄狀的柱子區(qū)域，以限制塑封時樹脂在固化過程中的漲縮，從而限制芯片的偏移。
[0034]作為一種可選的實施方式，在承載板的正面形成一個或多個第一開口部。其中，第一開口部包括一個凹槽，所述凹槽內(nèi)可設(shè)置一個或多個芯片；或者，第一開口部包括多個凹槽，每個凹槽內(nèi)設(shè)置一個芯片。本實施例提供的該封裝結(jié)構(gòu)適合多個不同芯片的封裝，具有較高的集成度和整合度。
[0035]進(jìn)一步地，第一封料層106填充于承載板101、第一重布線層104、導(dǎo)電柱105以及芯片102之間，第一封料層106的頂面高于導(dǎo)電柱105的頂面。第一封料層106 —方面起到絕緣的作用，另一方面使得芯片102、第一重布線層104以及導(dǎo)電柱105更加牢固的固定在承載板101上。
[0036]并且，第一封料層106上形成有第二開口部，第二開口部可露出導(dǎo)電柱頂面和所述芯片的連接部件。
[0037]進(jìn)一步地，形成于第二開口部上的第二重布線層108，可以建立導(dǎo)電柱與連接部件之間的電連接。
[0038]進(jìn)一步地，第二封料層109包覆第二重布線層108，且在第二封料層上形成有第三開口部，第三開口部可以露出第二重布線層的連接區(qū)域；焊球111形成于第三開口部內(nèi)的連接區(qū)域上。
[0039]作為一種可選的實施方式，連接部件為芯片的焊盤。
[0040]作為一種可選的實施方式，第一封料層106和第二封料層109的為樹脂層，可優(yōu)選為環(huán)氧樹脂，這種材料的密封性能較好，塑封容易，是形成第一封料層106和第二封料層109的較佳材料。
[0041]為進(jìn)一步說明本發(fā)明提供的封裝結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)，以下結(jié)合具體的封裝方法實施例作進(jìn)一步介紹。
[0042]如圖1所示，本發(fā)明中一個實施例的扇出晶圓級封裝方法的流程圖，包括步驟:
[0043]SlO:在承載板的正面形成第一開口部；
[0044]S20:在所述第一開口部的周圍形成第一重布線層；
[0045]S30:在所述第一重布線層上形成導(dǎo)電柱，所述導(dǎo)電柱的頂面高于待裝載芯片的頂面；
[0046]S40:在所述第一開口部內(nèi)裝載芯片；
[0047]S50:在所述承載板的正面設(shè)置第一封料層，所述第一封料層的表面裸露出所述導(dǎo)電柱頂面和所述芯片的連接部件；
[0048]S60:在所述第一封料層上形成連接所述導(dǎo)電柱與所述連接部件的第二重布線層；
[0049]S70:在所述第二重布線層上形成第二封料層，