芯片3。
[0078]并且，在設(shè)在第1芯片3中的電極33的作為貼合面的上表面上形成抗蝕劑52。接著，如圖12B所示，通過(guò)以抗蝕劑52為掩模進(jìn)行對(duì)于絕緣層32的蝕刻，使絕緣層32的貼合面及槽39的底面向絕緣層32的深度方向后退厚度d的量。然后，通過(guò)將抗蝕劑52除去，圖11所示的第2芯片3b完成。另外，在將絕緣層32有選擇地蝕刻的條件的情況下，不需要在電極33上形成抗蝕劑52。
[0079]根據(jù)這樣的第2芯片3b，即使是電極33或?qū)?yīng)電極23的貼合面在制造過(guò)程中凹陷的情況，也能夠適當(dāng)?shù)厥闺姌O33與對(duì)應(yīng)電極23連接。具體而言，如圖13所示，第1芯片2b有在電極23的貼合面上發(fā)生凹陷的情況。
[0080]這樣的凹陷，例如有時(shí)在使對(duì)應(yīng)電極23及絕緣層22的貼合面成為同面的研磨工序中、對(duì)應(yīng)電極23相比絕緣層22被過(guò)度地研磨的情況下發(fā)生。即使是這樣的情況，如圖13所示，根據(jù)第2實(shí)施方式，第1芯片2b的對(duì)應(yīng)電極23也從絕緣層22的表面突出高度d的量，第2芯片3b的電極33也從絕緣層32的表面突出高度d的量。
[0081]因此，即使是對(duì)應(yīng)電極23的貼合面凹陷的情況，通過(guò)將第1芯片2b與第2芯片3b貼合，也能夠適當(dāng)?shù)厥闺姌O33與對(duì)應(yīng)電極23連接。此外，在第1芯片2b上，與第1實(shí)施方式同樣具有槽29，在第2芯片3b上也與第1實(shí)施方式同樣具有槽39。
[0082]由此，根據(jù)第2實(shí)施方式，即使電極33與對(duì)應(yīng)電極23的接合部分向接合面的面方向鼓出，也能夠抑制鼓出的部分夾在絕緣層22、32間，所以能夠抑制起因于芯片剝離的成品率的下降。
[0083]另外，使電極33的貼合面從絕緣層32的表面突出而在電極33的周圍形成槽39的方法并不限定于圖12A及圖12B所示的制造工序。這里，參照?qǐng)D14A?圖14C，對(duì)使電極33的貼合面從絕緣層32的表面突出、在電極33的周圍形成槽39的其他的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。圖14A?圖14C是表示有關(guān)第2實(shí)施方式的其他的制造工序的說(shuō)明圖。
[0084]另外，這里，關(guān)于在圖14A?圖14C所示的第2芯片3c的構(gòu)成要素中的、由與圖12B所示的第2芯片3b的構(gòu)成要素相同的材料形成且承擔(dān)相同的功能的構(gòu)成要素，通過(guò)賦予與圖12B所示的標(biāo)號(hào)相同的標(biāo)號(hào)，省略其說(shuō)明。
[0085]在其他制造方法中，在將絕緣層32及電極33的表面研磨的情況下，調(diào)整研磨用的研磨液的配合，以將絕緣層32比電極33過(guò)度地研磨。由此，如圖14A所示，研磨后的電極33成為從絕緣層32的表面突出的狀態(tài)。
[0086]接著，如圖14B所示，在除了槽39的形成位置以外的絕緣層32的上表面及電極33的上表面上形成抗蝕劑53，通過(guò)進(jìn)行以抗蝕劑53為掩模的蝕刻，形成槽39。
[0087]然后，如圖14C所示，通過(guò)將抗蝕劑53除去，能夠制造出電極33的作為貼合面的一方端面從絕緣層32的表面突出的第2芯片3c。另外，在將絕緣層32有選擇地蝕刻的條件的情況下，不需要在電極33上形成抗蝕劑53。
[0088]根據(jù)這樣的其他制造方法，能夠不進(jìn)行使絕緣層32的貼合面后退的蝕刻，而制造電極33的貼合面從絕緣層32的表面突出、具備槽39的第2芯片3c。
[0089]如上述那樣，根據(jù)第2實(shí)施方式，能夠提供電極33的貼合面從絕緣層32的表面突出、具備槽39的第2芯片3c。根據(jù)第2實(shí)施方式，即使是在第2芯片3b、3c的電極33及第1芯片2b的對(duì)應(yīng)電極23的貼合面上發(fā)生凹陷的情況，也能夠適當(dāng)?shù)厥闺姌O33與對(duì)應(yīng)電極23連接，能夠抑制因連接不良帶來(lái)的成品率的下降。
[0090]另外，在第1及第2實(shí)施方式中，對(duì)在貼合的兩枚芯片兩者的貼合面上具有槽的情況進(jìn)行了說(shuō)明，但槽也可以設(shè)在至少一方的芯片的貼合面上。只要在一方芯片上設(shè)置槽，該槽就成為電極的鼓出的接合部分的退避場(chǎng)所，所以只要電極的鼓出的接合部分比較小，就能夠與第1及第2實(shí)施方式同樣使成品率提高。
[0091]此外，在第2實(shí)施方式中，對(duì)使貼合的兩枚芯片兩者的電極從絕緣層突出的情況進(jìn)行了說(shuō)明，但使電極從絕緣層突出的，也可以是至少一方的芯片。通過(guò)這樣的結(jié)構(gòu)，也能夠使貼合的兩枚芯片的電極充分而適當(dāng)?shù)剡B接。
[0092]說(shuō)明了本發(fā)明的一些實(shí)施方式，但這些實(shí)施方式是作為例子提示的，并不是要限定發(fā)明的范圍。這些新的實(shí)施方式能夠以其他各種各樣的形態(tài)實(shí)施，在不脫離發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)能夠進(jìn)行各種省略、替換、變更。這些實(shí)施方式及其變形包含在發(fā)明的范圍或主旨中，并且包含在權(quán)利要求書所記載的發(fā)明和其等價(jià)的范圍中。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備: 絕緣層，設(shè)置于基板的表面； 電極，埋設(shè)于上述絕緣層，一方的端面從絕緣層露出；以及 槽，形成在上述基板表面的上述電極的周圍。2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 上述槽以上述電極的外側(cè)面為一方的側(cè)面，上述絕緣層的表面?zhèn)缺婚_放。3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 上述電極的上述一方的端面從上述絕緣層的表面突出。4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備: 其他基板，經(jīng)由上述絕緣層與上述基板貼合； 絕緣層，設(shè)置于上述其他基板的貼合面；以及 對(duì)應(yīng)電極，埋設(shè)在該絕緣層中的與上述電極對(duì)應(yīng)的位置，一方的端面從該絕緣層的表面露出。5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 具備以上述對(duì)應(yīng)電極的外側(cè)面為一方的側(cè)面、埋設(shè)該對(duì)應(yīng)電極的上述絕緣層的表面?zhèn)缺婚_放地將上述對(duì)應(yīng)電極包圍的槽。6.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 上述電極和上述對(duì)應(yīng)電極以在接合面的面方向上錯(cuò)開的狀態(tài)連接； 在上述電極表面的非連接部與設(shè)有上述對(duì)應(yīng)電極的上述絕緣層的表面之間、以及上述對(duì)應(yīng)電極表面的非連接部與設(shè)有上述電極的上述絕緣層的表面之間具有空隙。7.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 上述對(duì)應(yīng)電極的一方的端面從設(shè)在上述其他基板側(cè)的貼合面處的上述絕緣層的表面突出。8.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 上述基板具備邏輯電路； 上述其他基板具備圖像傳感器。9.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 上述基板具備邏輯電路； 上述其他基板具備存儲(chǔ)器。10.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括: 在基板的表面形成絕緣層； 將一方的端面從上述絕緣層露出的電極埋設(shè)到上述絕緣層；以及 在上述基板表面的上述電極的周圍形成槽。11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括: 形成以上述電極的外側(cè)面為一方的側(cè)面、上述絕緣層的表面?zhèn)缺婚_放地將上述電極包圍的上述槽。12.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括: 通過(guò)蝕刻使上述絕緣層的表面有選擇地后退，使上述電極從上述絕緣層的表面突出。13.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括: 將埋設(shè)上述電極且形成上述槽之前的上述絕緣層，使用使上述絕緣層比上述電極過(guò)度地研磨的研磨液來(lái)研磨，使上述電極從上述絕緣層的表面突出。14.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括: 在其他基板的表面形成絕緣層； 在該絕緣層中的與上述電極對(duì)應(yīng)的位置，埋設(shè)表面露出的對(duì)應(yīng)電極；以及 將埋設(shè)了上述對(duì)應(yīng)電極的上述其他基板與埋設(shè)了上述電極的上述基板貼合。15.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括: 形成以上述對(duì)應(yīng)電極的外側(cè)面為一方的側(cè)面、形成在上述其他基板上的上述絕緣層的表面?zhèn)缺婚_放地將上述對(duì)應(yīng)電極包圍的槽。16.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括: 通過(guò)將上述絕緣層蝕刻而形成上述槽。17.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括: 在上述絕緣層中的上述電極的形成位置形成開口； 將上述開口的內(nèi)周面通過(guò)阻擋金屬覆蓋； 將內(nèi)周面被上述阻擋金屬覆蓋的上述開口通過(guò)金屬填埋而形成上述電極；以及 通過(guò)將上述阻擋金屬?gòu)纳鲜鼋^緣層的表面?zhèn)扔羞x擇地蝕刻而形成上述槽。18.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括: 在上述基板形成邏輯電路； 在上述其他基板形成圖像傳感器。19.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，包括: 在上述基板形成邏輯電路； 在上述其他基板形成存儲(chǔ)器。
【專利摘要】根據(jù)實(shí)施方式，提供一種半導(dǎo)體裝置。半導(dǎo)體裝置具備絕緣層、電極和槽。絕緣層設(shè)在基板的表面上。電極埋設(shè)在絕緣層中，一方的端面從絕緣層露出。槽形成在基板表面的電極的周圍。此外，槽以電極的外側(cè)面為一方的側(cè)面，絕緣層的表面?zhèn)缺婚_放。埋設(shè)在絕緣層中的電極其一方的端面從絕緣層的表面突出。
【IPC分類】H01L27/146, H01L21/28, H01L21/82
【公開號(hào)】CN105280657
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510321410
【發(fā)明人】谷田一真, 吉田貴光, 內(nèi)海邦朗, 川崎敦子
【申請(qǐng)人】株式會(huì)社東芝
【公開日】2016年1月27日
【申請(qǐng)日】2015年6月12日
【公告號(hào)】US20160013099