坦化1C器件200的頂面。
[0051]又例如，源極/漏極(S/D)部件形成在S/D區(qū)420內(nèi)。通過在S/D區(qū)420內(nèi)外延生長半導(dǎo)體材料層可形成S/D部件。半導(dǎo)體材料層包括Ge、S1、GaAs、AlGaAs、SiGe、GaAsP或其他合適的材料。可通過一次或多次外延或外延的(epi)工藝來形成S/D部件。在epi工藝過程中可原位摻雜S/D部件。
[0052]又例如，偽柵疊件220由高k/金屬柵(HK/MG)疊件代替。在一個(gè)實(shí)施例中，去除偽柵極220以形成柵極溝槽?？赏ㄟ^選擇性濕蝕刻或選擇性干蝕刻(相對(duì)于間隔件310具有充足的蝕刻選擇性)來去除偽柵極220。然后，HK/MG堆疊件形成在柵極溝槽內(nèi)。HK/MG堆疊件包括柵極電層和MG電極。柵極介電層可包括由諸如原子層沉積(ALD)、CVD、熱氧化或臭氧氧化的合適方法而沉積的界面層(IL)。IL包括氧化物、HfS1和氮氧化物。通過合適的工藝(諸如，ALD、CVD、金屬有機(jī)CVD(MOCVD)、物理汽相沉積(PVD)、其他合適的工藝或它們的組合)在IL的上方沉積HK介電層。皿介電層可包括1^0、六10、2抑、110、了&205、￥203、SrTi03 (ST0)、BaTi03 (BTO)、BaZrO、HfZrO、HfLaO、HfS1、LaS1、AlS1、HfTaO、HfT1、(Ba,Sr)Ti03(BST)、A1203、Si3N4、氮氧化物(S1N)、或其他合適的材料。
[0053]MG電極可包括單層或可選地包括多層結(jié)構(gòu)，諸如，具有增強(qiáng)器件性能的功函的金屬層(功函數(shù)金屬層)、襯墊層、潤濕層、粘合層以及金屬、金屬合金或金屬硅化物的導(dǎo)電層的各種組合。MG 電極可包括 T1、Ag、A1、TiAIN、TaC、TaCN、TaSiN、Mn、Zr、TiN、TaN、Ru、Mo、WN、Cu、W、任何合適的材料或它們的組合?？赏ㄟ^ALD、PVD、CVD或其他合適的工藝來形成MG電極。具有不同金屬層的MG電極可單獨(dú)形成在第一區(qū)214(PFET)和第二區(qū)216(NFET)內(nèi)。
[0054]例如，后續(xù)處理可在襯底210上形成各種接觸件/通孔/線和多層互連部件(例如，金屬層和層間電介質(zhì))，它們被配置為連接各種部件以形成包括一個(gè)或多個(gè)FET的功能電路。在又一個(gè)實(shí)例中，多層互連結(jié)構(gòu)包括諸如通孔或接觸件的垂直互連件以及諸如金屬線的水平互連件。各種互連部件可使用包括銅、鎢和/或硅化物的各種導(dǎo)電材料。在一個(gè)實(shí)例中，鑲嵌和/或雙鑲嵌工藝用于形成含銅的多層互連結(jié)構(gòu)。
[0055]可在方法100之前、期間和之后提供附加步驟，并且所描述步驟中的一些可被替代、消除或調(diào)整順序以用于方法100的附加實(shí)施例。器件200還可經(jīng)歷CMOS或M0S技術(shù)處理以形成現(xiàn)有技術(shù)中已知的各種部件和區(qū)。
[0056]基于上述內(nèi)容，本發(fā)明提供了一種采用具有應(yīng)力源部件的結(jié)構(gòu)作為柵極間隔件的底部的1C器件，柵極間隔件具有向柵疊件傾斜的底部輪廓。該結(jié)構(gòu)對(duì)柵極區(qū)施加有效應(yīng)變，以提高器件性能，諸如，提高￥化&丨、18#^(1%丨、漏致勢壘降低(DIBL)和溝道應(yīng)力。本發(fā)明還提供了完全可行的形成具有該結(jié)構(gòu)的1C器件的方法。
[0057]本發(fā)明提供了 1C器件的諸多不同實(shí)施例。1C器件包括設(shè)置在襯底的表面上方的柵疊件和沿著柵疊件的側(cè)壁設(shè)置的間隔件。間隔件具有面向襯底的表面同時(shí)朝向柵疊件形成錐形的錐形邊緣。因此，錐形邊緣相對(duì)于襯底的表面呈一角度。
[0058]本發(fā)明還提供了 1C器件的另一個(gè)實(shí)施例。該器件包括具有ρ型場效應(yīng)晶體管(PFET)區(qū)和η型場效應(yīng)晶體管(NFET)區(qū)的襯底。該器件還包括在PFET區(qū)中沿垂直方向于襯底的表面之上突出的第一高k/金屬柵極(HK/MG)堆疊件和在NFET區(qū)中沿垂直方向于襯底的表面之上突出的第二 HK/MG堆疊件。該器件還包括沿著第一和第二 HK/MG堆疊件的側(cè)壁設(shè)置的間隔件，該間隔件具有向相應(yīng)HK/MG堆疊件傾斜的底部輪廓。傾斜的底部輪廓相對(duì)于襯底的水平面呈一角度(Θ )。該器件還包括鄰近第一 HK/MG堆疊件(包括在間隔件的傾斜底部的下方)的第一應(yīng)力源部件和鄰近第二 HK/MG堆疊件(包括在間隔件的傾斜底部的下方)的第二應(yīng)力源部件。
[0059]本發(fā)明還提供了一種制造集成電路器件的方法。該方法包括:形成沿著設(shè)置在襯底上方的柵疊件的側(cè)壁的間隔件，以及在間隔件的底部形成空腔?？涨痪哂邢驏暖B件傾斜的頂部輪廓。該方法還包括在柵疊件的任一側(cè)對(duì)襯底(包括在空腔底部的襯底)進(jìn)行開槽。該方法還包括在開槽的襯底和空腔內(nèi)形成應(yīng)力源部件。
[0060]上面論述了若干實(shí)施例的部件，使得本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以更好地理解本發(fā)明的各個(gè)方面。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解，可以很容易地使用本發(fā)明作為基礎(chǔ)來設(shè)計(jì)或更改其他用于達(dá)到與這里所介紹實(shí)施例相同的目的和/或?qū)崿F(xiàn)相同優(yōu)點(diǎn)的工藝和結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員也應(yīng)該意識(shí)到，這種等效構(gòu)造并不背離本發(fā)明的精神和范圍，并且在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以進(jìn)行多種變化、更換以及改變。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種集成電路器件，包括: 柵疊件，設(shè)置在襯底的表面上方；以及 間隔件，沿著所述柵疊件的側(cè)壁設(shè)置，所述間隔件具有面向所述表面同時(shí)朝向所述柵疊件形成錐形的錐形邊緣，其中，所述錐形邊緣相對(duì)于所述襯底的表面呈一固定角度。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述固定角度大于約10度。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，還包括:突起的源極/漏極部件，所述突起的源極/漏極部件設(shè)置在鄰近所述柵疊件的所述襯底內(nèi)并且物理接觸所述錐形邊緣。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的器件，其中，所述間隔件包括大致垂直于所述襯底的表面的另一個(gè)邊緣，所述襯底的表面與所述錐形邊緣相交， 其中，所述突起的源極/漏極部件物理接觸所述另一個(gè)邊緣。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述柵疊件是高k/金屬柵疊件。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，還包括: P型場效應(yīng)晶體管(PFET)區(qū)和η型場效應(yīng)晶體管(NFET)區(qū)，位于所述襯底上方； 具有所述間隔件的柵疊件，位于所述PFET區(qū)；以及 具有所述間隔件的柵疊件，位于所述NFET區(qū)中。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的器件，還包括: 兩個(gè)第一應(yīng)力源部件，由位于所述PFET區(qū)中的具有所述間隔件的柵疊件分隔開，其中，所述第一應(yīng)力源部件延伸至所述間隔件的底部和所述襯底之間的間隙中；以及 兩個(gè)第二應(yīng)力源部件，由位于所述NFET區(qū)中的具有所述間隔件的柵疊件分隔開，其中，所述第二應(yīng)力源部件延伸至所述間隔件的底部和所述襯底之間的間隙中。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的器件，其中，所述第一應(yīng)力源部件包括外延的硅鍺(SiGe)而所述第二應(yīng)力源部件包括硅磷(SiP)。9.一種集成電路器件，包括: 襯底，具有P型場效應(yīng)晶體管(PFET)區(qū)和η型場效應(yīng)晶體管(NFET)區(qū)； 第一高k/金屬柵極(HK/MG)堆疊件，在所述PFET區(qū)中沿垂直方向突出于所述襯底的表面之上； 第二 HK/MG堆疊件，在所述NFET區(qū)中沿垂直方向突出于所述襯底的表面之上； 間隔件，沿著所述第一和第二 HK/MG堆疊件的側(cè)壁設(shè)置，所述間隔件具有向相應(yīng)的HK/MG堆疊件傾斜的底部輪廓，其中，所述傾斜的底部輪廓相對(duì)于所述襯底的水平面呈一角度(θ ); 第一應(yīng)力源部件，鄰近所述第一 HK/MG堆疊件，所述第一應(yīng)力源部件包括位于所述間隔件的傾斜底部的下方；以及 第二應(yīng)力源部件，鄰近所述第二 HK/MG堆疊件，所述第二應(yīng)力源部件包括位于所述間隔件的傾斜底部的下方。10.一種制造半導(dǎo)體集成電路(1C)器件的方法，所述方法包括: 沿著位于襯底上方的柵疊件的側(cè)壁形成間隔件； 在所述間隔件的底部形成空腔，其中，所述空腔具有向所述柵疊件傾斜的頂部輪廓； 在所述柵疊件的任一側(cè)對(duì)所述襯底開槽，所述襯底包括位于所述空腔底部的襯底；以及在所述開槽的襯底和所述空腔中形成源極/漏極部件。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種IC器件的諸多不同實(shí)施例。IC器件包括設(shè)置在襯底的表面上方的柵疊件和沿著柵疊件的側(cè)壁設(shè)置的間隔件。間隔件具有面向襯底的表面同時(shí)朝向柵疊件形成錐形的錐形邊緣。因此，錐形邊緣相對(duì)于襯底的表面呈一角度。本發(fā)明還提供了一種制造半導(dǎo)體集成電路(IC)器件的方法。
【IPC分類】H01L27/092, H01L21/8238
【公開號(hào)】CN105280641
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410436389
【發(fā)明人】光心君, 余宗興, 許義明
【申請(qǐng)人】臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
【公開日】2016年1月27日
【申請(qǐng)日】2014年8月29日
【公告號(hào)】DE102015106597A1, US20150364601