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基于透明基板的半導(dǎo)體發(fā)光器件封裝結(jié)構(gòu)的制作方法_2

文檔序號:9525641閱讀:來源:國知局
上端面優(yōu)選具有反光結(jié)構(gòu)的正立或倒立的錐臺結(jié)構(gòu)。
[0031]其中,所述凸起部可采用陣列的方式密集排布組成漫反射結(jié)構(gòu),從而將由所述芯片射入所述透明基板的光完全反射出所述透明基板。
[0032]進(jìn)一步的,還可在所述透明基板的第二面設(shè)置用以將由所述半導(dǎo)體發(fā)光芯片射入所述透明基板的光反射出所述透明基板的反光結(jié)構(gòu),例如業(yè)界已知的各種反光膜層等。
[0033]在一較佳實施案例中,還可使其中一個以上凸起部的一端自所述透明基板的第一面穿出,并與相應(yīng)半導(dǎo)體發(fā)光芯片的電極區(qū),特別是N電極區(qū)電性接觸,即,以所述凸出部取代所述芯片的電極,從而還可簡化器件的結(jié)構(gòu)。
[0034]其中,所述半導(dǎo)體發(fā)光芯片可正裝于所述透明基板上。
[0035]又及,在本發(fā)明中,可以采用業(yè)界已知的多種方案將所述凸起部嵌入所述透明基板,例如,可采用諸如機(jī)械加工、激光刻蝕、干法或濕法刻蝕等各種適用的物理、化學(xué)方法在所述透明基板上形成槽孔,并將金屬等高導(dǎo)熱材料以直接填充、物理或化學(xué)沉積等方式加入所述槽孔而形成所述凸起部。
[0036]在本發(fā)明中,所述芯片可以是LED芯片等,且不限于此。
[0037]其中,所述芯片可以包括透明襯底和形成于透明襯底上的外延層等。
[0038]而對于諸如晶圓級LED等器件而言,其中透明襯底可直接作為所述透明基板,因而所述反光機(jī)構(gòu)可直接安裝于所述透明襯底上。
[0039]在本發(fā)明中,所述透明基板的材質(zhì)至少可選自玻璃、藍(lán)寶石、碳化硅、有機(jī)透明體中的任一種,但不限于此,其中,有機(jī)透明體包括PC (聚碳酸酯)、PMMA (聚甲基丙烯酸甲酯)
坐寸。
[0040]以下結(jié)合附圖及若干實施例對本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的解釋說明。
[0041]參閱圖1-2,在本發(fā)明的一實施例中所涉及的一種LED器件包括:
透明基板2,
安裝于所述透明基板的第一面上的一個以上LED芯片1 (如下簡稱芯片),
以及,安裝在所述透明基板上的反光機(jī)構(gòu)3,所述反光機(jī)構(gòu)包括陣列排布的復(fù)數(shù)個凸起部31,所述凸起部31可以由銅、鋁等金屬形成,并呈錐臺狀,其一端插入所述透明基板,并與所述LED芯片接近,并且所述凸起部的外壁和上端面均具有反光結(jié)構(gòu),當(dāng)LED芯片發(fā)出的光射入透明基板后,將在所述凸起部的外壁和上端面發(fā)生反射(光線行經(jīng)路徑如圖1中箭頭所示),繼而從透明基板中射出,從而使該LED器件的出光率提升,同時,因芯片與凸起部之間的距離較短,使芯片產(chǎn)生的熱量能被更快的轉(zhuǎn)移,從而還可大幅改善器件的散熱性能,參閱圖3,在本發(fā)明的另一實施例中亦涉及一種LED器件,其主體結(jié)構(gòu)與前述實施例基本相同,但其中凸起部32呈錐狀,且彼此密集排布,形成漫反射結(jié)構(gòu),其一方面可將由所述LED芯片射入所述透明基板的光反射出所述透明基板(光線行經(jīng)路徑可如圖中箭頭所示),提高光效,同時還使該器件發(fā)出的光更為均勻柔和,另一方面也可以更佳的提升器件的散熱性能。
[0042]進(jìn)一步的,前述錐形結(jié)構(gòu)或錐臺結(jié)構(gòu)的錐角優(yōu)選在45°以上,以實現(xiàn)更高的反射效率。
[0043]再請參閱圖4,在本發(fā)明的又一實施例中所涉及的LED器件結(jié)構(gòu)與前述實施例亦相近似,但其中有一個以上凸出部33的頂端從透明基材一端面穿出,并與相應(yīng)LED芯片的電極區(qū),例如N電極區(qū)電性接觸,如此可省略部分電極的加工,從而簡化器件的結(jié)構(gòu)及加工工藝,降低生產(chǎn)成本。
[0044]又及,在所述反光機(jī)構(gòu)中,還可設(shè)置一導(dǎo)熱基板,所述導(dǎo)熱基板可由Cu、Al、Ni等金屬制備,且與所述凸出部另一端固定連接,以更好的實現(xiàn)器件所產(chǎn)生熱量的轉(zhuǎn)移。優(yōu)選的,所述導(dǎo)熱基板可與所述凸出部一體設(shè)置。
[0045]最后還需要說明的是,術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含,從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素,而且還包括沒有明確列出的其他要素,或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設(shè)備所固有的要素。
【主權(quán)項】
1.一種基于透明基板的半導(dǎo)體發(fā)光器件封裝結(jié)構(gòu),其特征在于包括: 透明基板, 安裝于所述透明基板的第一面上的一個以上半導(dǎo)體發(fā)光芯片, 以及,安裝在所述透明基板上的、主要由導(dǎo)熱材料組成的反光機(jī)構(gòu),所述反光機(jī)構(gòu)包括一個以上凸起部,所述凸起部一端伸入所述透明基板,其中至少一凸起部一端還與相應(yīng)半導(dǎo)體發(fā)光芯片接近,并且至少所述凸起部的局部表面具有用以將由所述半導(dǎo)體發(fā)光芯片射入所述透明基板的光反射出所述透明基板的反光結(jié)構(gòu)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于透明基板的半導(dǎo)體發(fā)光器件封裝結(jié)構(gòu),其特征在于所述凸起部一端自所述透明基板的第二面伸入所述透明基板,所述第二面與第一面相背。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于透明基板的半導(dǎo)體發(fā)光器件封裝結(jié)構(gòu),其特征在于所述凸起部為錐形結(jié)構(gòu),且所述錐形結(jié)構(gòu)的外壁具有反光結(jié)構(gòu);或者,所述凸起部為錐臺結(jié)構(gòu),且所述凸起部的外壁和/或上端面具有反光結(jié)構(gòu)。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于透明基板的半導(dǎo)體發(fā)光器件封裝結(jié)構(gòu),其特征在于所述錐形結(jié)構(gòu)或錐臺結(jié)構(gòu)的錐角在45°以上。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于透明基板的半導(dǎo)體發(fā)光器件封裝結(jié)構(gòu),其特征在于至少一凸起部的一端自所述透明基板的第一面穿出,并與相應(yīng)半導(dǎo)體發(fā)光芯片的電極區(qū)電性接觸。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述基于透明基板的半導(dǎo)體發(fā)光器件封裝結(jié)構(gòu),其特征在于所述半導(dǎo)體發(fā)光芯片正裝于所述透明基板上。7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項所述基于透明基板的半導(dǎo)體發(fā)光器件封裝結(jié)構(gòu),其特征在于所述反光機(jī)構(gòu)包括復(fù)數(shù)個凸起部,該復(fù)數(shù)個凸起部密集分布形成漫反射結(jié)構(gòu)。8.根據(jù)權(quán)利1-6中任一項所述基于透明基板的半導(dǎo)體發(fā)光器件封裝結(jié)構(gòu),其特征在于用以組成所述凸起部的材料至少選自鋁、銀、N1、Cr、Cu中的任一種或兩種以上的組合。9.根據(jù)權(quán)利1-6中任一項所述基于透明基板的半導(dǎo)體發(fā)光器件封裝結(jié)構(gòu),其特征在于所述反光機(jī)構(gòu)還包括導(dǎo)熱基板,所述凸起部另一端與所述導(dǎo)熱基板固定連接。10.根據(jù)權(quán)利1-6中任一項所述基于透明基板的半導(dǎo)體發(fā)光器件封裝結(jié)構(gòu),其特征在于所述導(dǎo)熱基板與所述凸起部一體設(shè)置。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種基于透明基板的半導(dǎo)體發(fā)光器件封裝結(jié)構(gòu),包括:透明基板,安裝于該透明基板的第一面上的至少一半導(dǎo)體發(fā)光芯片,以及,安裝在該透明基板上的、主要由導(dǎo)熱材料組成的反光機(jī)構(gòu),該反光機(jī)構(gòu)包括一個或多個凸起部,所述凸起部一端伸入該透明基板,其中至少一凸起部一端還與相應(yīng)半導(dǎo)體發(fā)光芯片接近,并且至少所述凸起部的局部表面具有用以將由所述半導(dǎo)體發(fā)光芯片射入該透明基板的光反射出所述透明基板的反光結(jié)構(gòu)。藉由前述設(shè)計,使得本發(fā)明具有如下優(yōu)點:既可有效提升器件的出光效率,同時還可有效縮短器件的導(dǎo)熱途徑,使器件在工作過程中產(chǎn)生的熱量能更為快捷有效的被轉(zhuǎn)移,從而保障器件的工作穩(wěn)定性,并延長其使用壽命。
【IPC分類】H01L25/075, H01L33/48, H01L33/60, H01L33/64
【公開號】CN105280628
【申請?zhí)枴緾N201410345992
【發(fā)明人】梁秉文
【申請人】中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
【公開日】2016年1月27日
【申請日】2014年7月21日
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