半導(dǎo)體芯片CHP2中，沿長邊LS2形成有輸出用突起電極0ΒΜΡ，在與所述輸出用突起電極OBMP平面重合的下層形成有輸出保護(hù)電路4。換句話說就是，與輸出用突起電極OBMP —樣，輸出保護(hù)電路4也是沿長邊LS2配置。在與輸出保護(hù)電路4相鄰的半導(dǎo)體芯片CHP2中的中央部形成有SRAM2a?2c、控制部I以及輸入保護(hù)電路3a?3c。S卩，在實施方式I的半導(dǎo)體芯片CHP2中，輸出保護(hù)電路4形成在沿著長邊LS2的上段塊；SRAM2a?2c、控制部I以及輸入保護(hù)電路3a?3c形成在與所述上段塊相鄰的中央塊。換句話說就是，在圖1所示的構(gòu)成一般的LCD驅(qū)動器的半導(dǎo)體芯片CHPl中，輸出保護(hù)電路4、SRAM2a、SRAM 2b、控制部I以及輸入保護(hù)電路3，分上段塊、中央塊以及下段塊三段配置。與此相反，在實施方式I的構(gòu)成LCD驅(qū)動器的半導(dǎo)體芯片CHP2中，包括輸出保護(hù)電路4、SRAM2a?2c、控制部I以及輸入保護(hù)電路3a?3c分上段塊和中央塊兩段配置的區(qū)域。以上是半導(dǎo)體芯片CHP2和半導(dǎo)體芯片CHPl的不同之處。下面重點(diǎn)分析一下控制部I和輸入保護(hù)電路3c的配置區(qū)域，一般認(rèn)為輸出保護(hù)電路4、控制部I和輸入保護(hù)電路3c由三段構(gòu)成。但是，如果考慮SRAM2a?2c的短邊方向的長度作為中央塊的短邊方向的長度，則控制部I和輸入保護(hù)電路3c合在一起的短邊方向的長度，要比SRAM2a?2c的短邊方向的長度短。所以可以認(rèn)為:控制部I和輸入保護(hù)電路3c，實質(zhì)上形成在由SRAM2a?2c的短邊方向的長度所決定的中央塊的范圍內(nèi)。因此，在實施方式I中，在平面配置方案如圖4所示的情況下，也表述為:輸出保護(hù)電路4、SRAM2a?2c、控制部I以及輸入保護(hù)電路3a?3c分上段塊和中央塊兩段配置?；蛘?，考慮到控制部I和輸入保護(hù)電路3c的配置區(qū)域可被看成分三段配置，也可以說，在實施方式I中，輸出保護(hù)電路4、SRAM2a?2c、控制部I以及輸入保護(hù)電路3a?3c的一部分分上段塊和中央塊兩段配置。
[0183]如上所述，實施方式I中的構(gòu)成IXD驅(qū)動器的半導(dǎo)體芯片CHP2的特征為:輸出保護(hù)電路4、SRAM2a?2c、控制部I以及輸入保護(hù)電路3a?3c不是分上段塊、中央塊以及下段塊三段配置，而是只分上段塊和中央塊兩段配置。換句話說就是，實施方式I的特征是:不是將輸入保護(hù)電路3a?3c沿著長邊LSl配置在下段塊，而是配置在配置有SRAM2a?2c、控制部I的中央段的一部分中。因此，可通過實施方式I中的半導(dǎo)體芯片CHP2來縮短短邊方向的長度。也就是說，圖1所示的構(gòu)成一般的IXD驅(qū)動器的半導(dǎo)體芯片CHPl中，沿短邊方向配置上段塊、中央塊以及下段塊，短邊方向的長度由上段塊、中央塊以及下段塊這三段的占有面積決定。對此，根據(jù)圖4所示的實施方式I中的半導(dǎo)體芯片CHP2中，沿短邊方向配置上段塊、中央塊，短邊方向的長度由上段塊、中央塊這兩段的占有面積決定。即，在圖4所示的半導(dǎo)體芯片CHP2中，不存在圖1所示的半導(dǎo)體芯片CHPl中的下段塊。因此，在圖4所示的半導(dǎo)體芯片CHP2中，可縮短短邊方向的長度，縮短的尺寸等于下段塊所要占有的長度。結(jié)果是，在實施方式I的半導(dǎo)體芯片CHP2中，獲得了可縮短短邊方向的長度這一顯著效果。
[0184]在實施方式I中，通過對輸入保護(hù)電路3a?3c的配置位置做改進(jìn)，以縮短半導(dǎo)體芯片CHP2的短邊方向的長度。具體地說就是，如圖4所示，輸入保護(hù)電路3a?3c不是沿著排列有輸入用突起電極IBMP的長邊LSl配置。例如，輸入保護(hù)電路3a形成在SRAM2a和SRAM2c之間；輸入保護(hù)電路3b形成在SRAM2b和SRAM2c之間；輸入保護(hù)電路3c形成在控制部I和長邊LSl之間。結(jié)果是，輸入保護(hù)電路3a?3c全部不再形成于與輸入用突起電極IBMP平面重合的下層。也就是說，在實施方式I中，如圖4所示，輸入保護(hù)電路3a?3c和SRAM2a?2c形成在沿長邊LSl配置的輸入用突起電極IBMP的下層。因此，在實施方式I中，輸入保護(hù)電路3a?3c配置在多個輸入用突起電極IBMP中的一部分輸入用突起電極IBMP的下層。另一方面，配置在多個輸入用突起電極IBMP中的另一部分輸入用突起電極IBMP下層的是SRAM2a?2c (內(nèi)部電路)，而不是輸入保護(hù)電路3a?3c。特別是，在實施方式I中，下層配置有輸入保護(hù)電路3a?3c的一部分輸入用突起電極IBMP的數(shù)量，比下層未配置有輸入保護(hù)電路3a?3c的另一部分輸入用突起電極IBMP的數(shù)量少。
[0185]如果用其他的表述方式來說明實施方式I的特征，則可以說，輸入保護(hù)電路3a、3b的一部分配置在由形成有多個輸入用突起電極IBMP的區(qū)域和形成有多個輸出用突起電極OBMP的區(qū)域夾著的內(nèi)部區(qū)域里。而且，既可以說輸入保護(hù)電路3a?3c的一部分形成在不與多個輸入用突起電極IBMP平面重合的區(qū)域，也可以說輸入保護(hù)電路3a、3b的一部分形成在長邊方向上的與SRAM2a?2c相鄰的區(qū)域里。另外，與多個輸入用突起電極IBMP中的一部分突起電極電連接的多個輸入保護(hù)電路3a、3b中的一部分輸入保護(hù)電路，配置在與一部分輸入用突起電極平面重合的位置；與多個輸入用突起電極IBMP中的另一部分輸入用突起電極電連接的多個輸入保護(hù)電路3a、3b中的另一部分輸入保護(hù)電路，配置在和與另一部分輸入用突起電極平面重合的位置不同的位置。
[0186]在實施方式I中，將輸入保護(hù)電路3a、輸入保護(hù)電路3b配置在SRAM2a?2c彼此之間的間隔里。但問題是，在SRAM2a?2c之間的間隔里是否存在這樣的只配置輸入保護(hù)電路3a和輸入保護(hù)電路3b的空間。這是因為，一般情況下，為了縮小半導(dǎo)體芯片CHP2的尺寸，半導(dǎo)體芯片CHP2的長邊方向的長度是不會留出多余的空間的。但實際上，在SRAM2a?2c之間確實存在可插入輸入保護(hù)電路3a和輸入保護(hù)電路3b的空間的。以下說明其理由。
[0187]雖然也要盡量縮短半導(dǎo)體芯片CHP2的長邊方向的長度，但所述長邊方向的長度由沿長邊LS2配置的輸出用突起電極OBMP決定。也就是說，半導(dǎo)體芯片CHP2的長邊方向的長度，并不是由沿長邊方向排列的SRAM2a?2c和控制部I決定，而是由輸出用突起電極OBMP的數(shù)量決定。例如，從縮短半導(dǎo)體芯片CHP2的長邊方向的長度的觀點(diǎn)出發(fā)，可以考慮盡量縮小沿長邊方向排列的SRAM2a?2c和控制部I的形成區(qū)域。具體地說就是，盡量縮小SRAM2a?2c之間的空間及控制部I之間的空間。但是，如果不能將沿著半導(dǎo)體芯片CHP2的長邊LS2配置的輸出用突起電極OBMP全部配置，那么即使將SRAM2a?2c和控制部I的形成區(qū)域配置得非常緊湊以縮短半導(dǎo)體芯片CHP2的長邊方向的長度，也是沒有意義的。因此，半導(dǎo)體芯片CHP2的長邊方向的長度，至少還有能夠配置所有的輸出用突起電極OBMP的長度。也就是說，要從能配置所有的輸出用突起電極OBMP的觀點(diǎn)出發(fā)，來決定半導(dǎo)體芯片CHP2的長邊方向的長度。
[0188]但這樣一來，又將面臨例如沿長邊方向排列的SRAM2a?2c、控制部I在長邊方向上的長度和沿長邊LS2配置的輸出用突起電極OBMP的總長度的大小關(guān)系的問題等。而實際上，輸出用突起電極OBMP的總長度，比起將SRAM2a?2c和控制部I排列起來的長度更長。因此，如果決定出一個能夠配置所有輸出用突起電極OBMP的半導(dǎo)體芯片CHP2的長邊方向的長度，就需要在將SRAM2a?2c和控制部I排列起來的區(qū)域中存在多余的空間。由此可知，例如，確保在SRAM2a?2c之間存在可以插入輸入保護(hù)電路3a、輸入保護(hù)電路3b的空間。因此，在實施方式I中，例如，將輸入保護(hù)電路3a和輸入保護(hù)電路3b插入SRAM2a?2c之間，便可縮短半導(dǎo)體芯片CHP2的短邊方向的長度。
[0189]其次，在半導(dǎo)體芯片CHP2中，除了輸入保護(hù)電路3a?3c外，還存在輸出保護(hù)電路4。所述輸入保護(hù)電路3a?3c和輸出保護(hù)電路4具有保護(hù)內(nèi)部電路免遭靜電等破壞的靜電保護(hù)電路的功能。從都具有的靜電保護(hù)電路功能的觀點(diǎn)考慮，輸入保護(hù)電路3a?3c和輸出保護(hù)電路4具有同樣的構(gòu)成。因此，可考慮的做法是:在沿長邊方向排列SRAM2a?2c和控制部I時所產(chǎn)生的空間里插入輸出保護(hù)電路4，而不是插入輸入保護(hù)電路3a、3b。此時，如果能夠?qū)⑤敵霰Ｗo(hù)電路4全部插入產(chǎn)生于SRAM2a?2c之間和控制部I之間的多余空間里，就可縮短半導(dǎo)體芯片CHP2的短邊方向的長度。但是，在實施方式I中，并沒有改變輸出保護(hù)電路4的配置方案，而僅改變了輸入保護(hù)電路3a?3c的配置方案。下面對其理由進(jìn)行說明。
[0190]如圖4所示，輸出用突起電極OBMP的數(shù)量比輸入用突起電極IBMP的數(shù)量多得多。因為輸出信號從各個輸出用突起電極OBMP輸出，所以需要對各個輸出用突起電極OBMP設(shè)置輸出保護(hù)電路4。這樣將會導(dǎo)致輸出保護(hù)電路4的數(shù)量非常龐大。另一方面，輸入用突起電極IBMP的數(shù)量比輸出用突起電極OBMP的數(shù)量少，而且，也不需要在所有的輸入用突起電極IBMP上都連接輸入保護(hù)電路3a?3c。輸入用突起電極IBMP中只有連接有輸入保護(hù)電路3a?3c的突起電極才是將輸入信號(輸入數(shù)據(jù))輸入的突起電極。因此，輸入保護(hù)電路3a?3c的數(shù)量比輸出保護(hù)電路4的數(shù)量少。這意味著:輸入保護(hù)電路3a?3c整體的占有面積比輸出保護(hù)電路4整體的占有面積少。也就是說，插入輸入保護(hù)電路3a?3c的空間比插入輸出保護(hù)電路4的空間小。
[0191]在這里，沿長邊方向上排列SRAM2a?2c和控制部I時所產(chǎn)生的空間并不太大。也就是說，沿長邊方向上排列SRAM2a?2c和控制部I時所產(chǎn)生的空間，不足以將輸出保護(hù)電路4整體插入。S卩，由于沿長邊方向上排列SRAM2a?2c和控制部I時無法獲得較大的空間，所以不將輸出保護(hù)電路4插入上述空間，而是插入輸入保護(hù)電路3a?3c。
[0192]接下來，說明實施方式I中的第二特征點(diǎn)。即，如圖4所示，不是將輸入保護(hù)電路3a?3c集中配置在一處，而是分散配置在半導(dǎo)體芯片CHP2的長邊方向上。例如，也可將沿長邊方向上排列SRAM2a?2c和控制部I時所產(chǎn)生的空間集中在一處，并在該處集中配置輸入保護(hù)電路3a?3c。由此可縮小半導(dǎo)體芯片的尺寸。但是，如圖4所示，分散配置輸入保護(hù)電路3a?3c效果會更好。下面說明其理由。
[0193]例如，需要在輸入用突起電極IBMP和內(nèi)部電路之間將輸入保護(hù)電路3a?3c電連接。此時，例如，在圖1所示的構(gòu)成一般的LCD驅(qū)動器的半導(dǎo)體芯片CHPl中，由于輸入保護(hù)電路3形成在與輸入用突起電極IBMP平面重合的下層，所以能夠利用從輸入用突起電極IBMP朝向下層的多層布線將輸入用突起電極IBMP和輸入保護(hù)電路3電連接。這意味著:在將輸入用突起電極IBMP和輸入保護(hù)電路3電連接時，不需要使用在半導(dǎo)體芯片CHPl的平面方向上延伸的回繞布線。
[0194]但是，在實施方式I中，輸入保護(hù)電路3a?3c形成在不與輸入用突起電極IBMP平面重合的區(qū)域內(nèi)。因此，在實施方式I中，在將輸入用突起電極IBMP和輸入保護(hù)電路3a?3c連接時，需要使用在半導(dǎo)體芯片CHP2的平面方向上延伸的回繞布線。以此為前提，如果將輸入保護(hù)電路3a?3c集中配置在一處，則需要利用在半導(dǎo)體芯片CHP2的平面方向上延伸的回繞布線，將集中配置的輸入保護(hù)電路3a?3c和配置在半導(dǎo)體芯片CHP2的長邊方向上的輸入用突起電極IBMP連接。此時，如果將輸入保護(hù)電路3a?3c集中在一處，回繞布線的平面配置結(jié)構(gòu)就會變得很復(fù)雜。
[0195]因此，在實施方式I中，以輸入保護(hù)電路3a?3c形成在不與輸入用突起電極IBMP平面重合的區(qū)域內(nèi)為前提，將輸入保護(hù)電路3a?3c分散配置。由此，配置在半導(dǎo)體芯片CHP2的長邊方向上的輸入用突起電極IBMP便能夠與分散配置的輸入保護(hù)電路3a?3c中距離最近的一個輸入保護(hù)電路連接。這意味著:能夠減少連接輸入用突起電極IBMP和輸入保護(hù)電路3a?3c的回繞布線，而且，與將輸入保護(hù)電路3a?3c集中在一處的情況相比，更能簡化回繞布線的平面配置結(jié)構(gòu)。因此，根據(jù)實施方式I，通過第一特征點(diǎn)即將輸入保護(hù)電路3a?3c配置于在沿長邊方向排列SRAM2a?2c和控制部I時所產(chǎn)生的空間里，便可縮短構(gòu)成LCD驅(qū)動器的半導(dǎo)體芯片CHP2的短邊方向的長度。根據(jù)第一特征點(diǎn)，輸入保護(hù)電路3a?3c形成于不與輸入用突起電極IBMP平面重合的區(qū)域內(nèi)，但借助第二特征點(diǎn)，能夠簡化電連接輸入用突起電極IBMP和輸入保護(hù)電路3a?3c的回繞布線的平面配置結(jié)構(gòu)。所述第二特征點(diǎn)為不將輸入保護(hù)電路3a?3c集中配置于一處，而是分散配置在半導(dǎo)體芯片CHP2的長邊方向上。
[0196]此外，最好與實施方式I 一樣同時具備第一特征點(diǎn)和第二特征點(diǎn)。但是，即使是只具備第一特征點(diǎn)的結(jié)構(gòu)，也能夠充分實現(xiàn)本申請發(fā)明的目的，即:縮短半導(dǎo)體芯片CHP2的短邊方向的長度。
[0197]接下來，通過放大圖說明是如何利用實施方式I的半導(dǎo)體芯片CHP2，來縮短半導(dǎo)體芯片CHP2的短邊方向的長度。圖5所示的是將構(gòu)成一般的IXD驅(qū)動器的半導(dǎo)體芯片CHPl的長邊LSl附近區(qū)域放大后的圖。在圖5中，X方向表示半導(dǎo)體芯片CHPl的長邊LSl延伸的長邊方向，Y方向表示半導(dǎo)體芯片CHPl的短邊方向。如圖5所示，兩個輸入用突起電極IBMPUIBMP2沿半導(dǎo)體芯片CHPl的長邊LSl排列配置。而且，在輸入用突起電極IBMPl的下層形成有最上層布線TMl、TM3、TM4。同樣地，在輸入用突起電極IBMP2的下層形成有最上層布線TM2、TM3、TM4。此時，僅在輸入用突起電極IBMPl的下層形成有最上層布線TMl，僅在輸入用突起電極IBMP2的下層形成有最上層布線TM2。另一方面，最上層布線TM3、TM4從輸入用突起電極IBMPl的下層一直形成到輸入用突起電極IBMP2的下層，且在長邊方向(X方向)上延伸。
[0198]通過將導(dǎo)電材料埋入開口部CNTl而使輸入用突起電極IBMPl和最上層布線TMl電連接。而且，最上層布線TMl經(jīng)由形成在下層的多層布線與輸入保護(hù)電路3A連接。同樣地，輸入用突起電極IBMP2和最上層布線TM2通過將導(dǎo)電材料埋入開口部CNT2而電連接。而且，最上層布線TM2經(jīng)由形成在下層的多層布線與輸入保護(hù)電路3B連接。如前所述，在構(gòu)成一般的IXD驅(qū)動器的半導(dǎo)體芯片CHPl中，輸入保護(hù)電路3A、3B形成在輸入用突起電極IBMPUIBMP2的下層。因此，為了使內(nèi)部電路IU與輸入用突起電極IBMPUIBMP2不為平面重合，而將內(nèi)部電路IU配置在比輸入用突起電極IBMPUIBMP2還靠內(nèi)的內(nèi)側(cè)(比長邊LSl還遠(yuǎn)的區(qū)域)，。因此，內(nèi)部電路IU與半導(dǎo)體芯片CHPl的長邊之間的距離成為距離Y1。
[0199]對此，圖6所示的是實施方式I中的IXD驅(qū)動器即半導(dǎo)體芯片CHP2的長邊LSl附近區(qū)域放大后的圖。在圖6中，X方向表示半導(dǎo)體芯片CHP2的長邊LSl延伸的長邊方向，Y方向表示半導(dǎo)體芯片CHP2的短邊方向。如圖6所示，兩個輸入用突起電極IBMP1、IBMP2沿半導(dǎo)體芯片CHP2的長邊LSl排列配置。而且，在輸入用突起電極IBMPl的下層形成有最上層布線TM1、TM3、TM4。同樣地，在輸入用突起電極IBMP2的下層形成有最上層布線TM2、TM3、TM4。此時，僅在輸入用突起電極IBMPl的下層形成有最上層布線TMl，僅在輸入用突起電極IBMP2的下層形成有最上層布線TM2。另一方面，最上層布線TM3和最上層布線TM4，從輸入用突起電極IBMPl的下層一直形成到輸入用突起電極IBMP2的下層，且在長邊方向(X方向)上延伸。
[0200]輸入用突起電極IBMPl和最上層布線TMl，通過將導(dǎo)電材料埋入開口部CNTl而電連接。但是，在實施方式I中，輸入保護(hù)電路未形成在最上層布線TMl的下層。同樣地，輸入用突起電極IBMP2和最上層布線TM2是通過將導(dǎo)電材料埋入開口部CNT2而電連接。但是，在實施方式I中，輸入保護(hù)電路未形成在最上層布線TM2的下層。在實施方式I中，輸入保護(hù)電路(圖6中未示出)形成在與輸入用突起電極IBMPUIBMP2不為平面重合的區(qū)域內(nèi)。如前所述在實施方式I的半導(dǎo)體芯片CHP2中，由于輸入保護(hù)電路不形成在輸入用突起電極IBMP1、IBMP2的下層，所以內(nèi)部電路的一部分形成在與輸入用突起電極IBMP1、IBMP2平面重合的下層。結(jié)果是，內(nèi)部電路IU與半導(dǎo)體芯片CHP2的長邊LSl之間的距離成為距離Y2。
[0201]對圖5所示的距離Yl和圖6所示的距離Υ2做比較后可知:圖6所示的距離Υ2比圖5所示的距離Yl小。這意味著:與圖5所示的半導(dǎo)體芯片CHPl相比，圖6所示的半導(dǎo)體芯片CHP2能夠縮短短邊方向的長度。也就是說，與一般的半導(dǎo)體芯片CHPl相比，實施方式I中半導(dǎo)體芯片CHP2縮短了短邊方向的長度。
[0202]此外，圖6中的輸入用突起電極IBMPl部分與后述的實施方式5中的圖13相對應(yīng)，沿圖13的A?A線剖開的剖面圖與后述的實施方式5中的圖14相對應(yīng)。在后述實施方式5中，將參考剖面圖對實施方式I中的器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0203]在實施方式I中，列出了在輸入用突起電極ΙΒΜΡ1、ΙΒΜΡ2的下層，有多條最上層布線ΤΜ3、ΤΜ4通過的例子。但并不限于此，在至少有一條最上層布線通過的情況下，也可獲得同樣