的在25°C的溫度條件下的壓縮彈性模量M2分別表不在表1中。
[0315]利用在25°C的淵度條件下保存的密封片來講行密封的時(shí)間T:36小時(shí)
[0316] 比較例1~比較例7
[0317] 將從制得B階段的密封片（使密封片實(shí)現(xiàn)B階段化）之后到密封（埋設(shè)）了LED 和引線之前的這段時(shí)間T從1分鐘更改為36小時(shí)，除此以外，與實(shí)施例1~實(shí)施例5、實(shí)施 例7以及實(shí)施例8同樣地進(jìn)行了處理。
[0318] 將比較例1~比較例7中的、密封（埋設(shè)）了LED和引線之際的B階段的密封片 的在25°C的溫度條件下的壓縮彈性模量M3分別表不在表1中。
[0319]利用在40°C的淵度條件下保存的密封片來講行密封的時(shí)間T:24小時(shí)
[0320] 實(shí)施例18~實(shí)施例23
[0321] 將從制得B階段的密封片（使密封片實(shí)現(xiàn)B階段化）之后到密封（埋設(shè)）了LED 和引線之前的這段時(shí)間T從1分鐘更改為24小時(shí)且將輸送區(qū)域中的溫度自室溫（25°C)更 改為40°C，除此以外，與實(shí)施例1~實(shí)施例6同樣地進(jìn)行了處理。
[0322] 將實(shí)施例18~實(shí)施例23中的、密封（埋設(shè)）了LED和引線之際的B階段的密封 片的在25°C的溫度條件下的壓縮彈性模量M4分別表不在表1中。
[0323]利用在40°C的淵度條件下保存的密封片來講行密封的時(shí)間T:36小時(shí)
[0324] 比較例8~比較例13
[0325] 將從制得B階段的密封片（使密封片實(shí)現(xiàn)B階段化）之后到密封（埋設(shè)）了LED 和引線之前的這段時(shí)間T從1分鐘更改為36小時(shí)且將輸送區(qū)域中的溫度自室溫（25°C)更 改為40°C，除此以外，與實(shí)施例1~實(shí)施例6同樣地進(jìn)行了處理。
[0326] 將比較例8~比較例13中的、密封（埋設(shè)）了LED和引線之際的B階段的密封片 的在25°C的溫度條件下的壓縮彈性模量M5分別表不在表1中。
[0327]利用在-15°C的淵度條件下保存的密封片來講行密封的時(shí)間T:24小時(shí)
[0328] 實(shí)施例24~實(shí)施例30
[0329] 將從制得B階段的密封片（使密封片實(shí)現(xiàn)B階段化）之后到密封（埋設(shè)）了LED 和引線之前的這段時(shí)間T從1分鐘更改為24小時(shí)且將輸送區(qū)域中的溫度自室溫（25°C)更 改為-15°C，除此以外，與實(shí)施例1~實(shí)施例5、實(shí)施例7以及實(shí)施例9同樣地進(jìn)行了處理。
[0330] 將實(shí)施例24~實(shí)施例30中的、密封（埋設(shè)）了LED和引線之際的B階段的密封 片的在25°C的溫度條件下的壓縮彈性模量M6分別表不在表1中。
[0331]利用在-15°C的淵度條件下保存的密封片來講行密封的時(shí)間T:36小時(shí)
[0332] 比較例14~比較例20
[0333] 將從制得B階段的密封片（使密封片實(shí)現(xiàn)B階段化）之后到密封（埋設(shè)）了LED 和引線之前的這段時(shí)間T從1分鐘更改為36小時(shí)且將輸送區(qū)域中的溫度自室溫（25°C)更 改為-15°C，除此以外，與實(shí)施例1~實(shí)施例5、實(shí)施例7以及實(shí)施例9同樣地進(jìn)行了處理。
[0334] 將比較例14~比較例20中的、密封（埋設(shè)）了LED和引線之際的B階段的密封 片的在25°C的溫度條件下的壓縮彈性模量M7分別表不在表1中。
[0335]評(píng)價(jià)
[0336] 引線有無變形
[0337] 觀察了實(shí)施例1~實(shí)施例30和比較例1~比較例20中的引線，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在比較 例6、比較例7、比較例12、比較例13以及比較例20中發(fā)現(xiàn)了引線的變形。
[0338] 另一方面，在實(shí)施例1~實(shí)施例30和比較例1~比較例5、比較例8~比較例11 以及比較例14~比較例19中，沒有發(fā)現(xiàn)引線的變形。
[0339] 在表1中示出制造例、實(shí)施例以及比較例的物性和評(píng)價(jià)結(jié)果。
[0340]表 1
[0341]
[0342] 表的說明
[0343] 表1的縱欄示出了保存并使用利用制造例制造出來的密封片的實(shí)施例和/或比較 例，并記載了利用左端欄所記載的條件保存后的壓縮彈性模量。
[0344]分析 1
[0345] (1)密封片的壓縮彈性模量和引線的變形
[0346] (1 - 1)壓縮彈性模量的上限值
[0347] 由實(shí)施例1~實(shí)施例30和比較例1~比較例20的評(píng)價(jià)結(jié)果可知：若密封（埋設(shè)） 了LED之際的B階段的密封片的壓縮彈性模量（Ml~M7)超過0. 160MPa(比較例6、比較例 7、比較例12、比較例13以及比較例20)，則引線會(huì)產(chǎn)生變形，若壓縮彈性模量（Ml~M7)為 0. 160MPa以下（實(shí)施例1~實(shí)施例30以及比較例1~比較例5、比較例8~比較例11和 比較例14~比較例19)，則引線不會(huì)產(chǎn)生變形。
[0348] 因而，可知：能夠在不使引線產(chǎn)生變形的情況下進(jìn)行密封的、將密封（埋設(shè)）了 LED之際的B階段的密封片的壓縮彈性模量（Ml~M7)的上限值為0. 160MPa。
[0349] (1一2)壓縮彈性模量的下限值
[0350] 可知：制造例1的剛制造出來的B階段的密封片的在25°C的溫度條件下的壓縮彈 性模量M0為0. 040MPa，若壓縮彈性模量低于該壓縮彈性模量M0,則不能確保密封片的形 狀。這樣一來，可知：在實(shí)施例1中，具體而言，將制造例1的剛制造出來的B階段的密封片 在常溫下保存1分鐘，之后，密封（埋設(shè)）了LED之際的密封片的在25°C的溫度條件下的壓 縮彈性模量（M2)的下限值為0. 040MPa。
[0351] (2)剛制造出來的密封片的壓縮彈性模量
[0352] 在實(shí)施例11~實(shí)施例17中，密封（埋設(shè)）了LED之際的B階段的密封片的壓縮 彈性模量（M2)在0. 055MPa~0. 160MPa的范圍內(nèi)，即使使用該密封片來密封LED，引線也不 會(huì)產(chǎn)生變形。
[0353] 在各實(shí)施例11~實(shí)施例17中，將剛制造出來的B階段的密封片的壓縮彈性模量 (M0)在0. 040MPa~0. 145MPa的范圍內(nèi)的制造例1~制造例8各自的密封片在25°C的溫 度條件下保存24小時(shí)之后，利用該B階段的密封片來密封了LED。
[0354] 因而，可知：若將剛制造出來的B階段的密封片的壓縮彈性模量（M0)設(shè)定為 0. 040MPa~0. 145MPa的范圍內(nèi)，則在制造后，將該密封片以常溫保存24小時(shí)，之后，即使利 用該密封片來密封LED4，也能夠防止引線的變形。
[0355] (3)快固化性的密封片
[0356] 實(shí)施例11的進(jìn)行了密封（埋設(shè)）之際的B階段的密封片的壓縮彈性模量（M2)比 制造例1的剛制造出來的B階段的密封片的壓縮彈性模量（M0)高0. 015MPa(AM=M2- M0)。也就是說，通過在25°C的溫度條件下將制造出來的密封片保存24小時(shí)，從而使其壓縮 彈性模量上升〇. 〇15MPa(AM)。
[0357] 另一方面，實(shí)施例17的進(jìn)行了密封（埋設(shè)）之際的B階段的密封片的壓縮 彈性模量（M2)0. 160MPa比制造例1的剛制造出來的B階段的密封片的壓縮彈性模量 (M0) 0. 040MPa高0. 120MPa。這樣一來，若考慮到能夠在不使引線產(chǎn)生變形的情況下進(jìn)行密 封的、密封（埋設(shè)）了LED之際的B階段的密封片的壓縮彈性模量（M2)的上限為0. 160MPa， 則也能夠選擇剛制造出來的壓縮彈性模量（M0)為0.040MPa(制造例1)且進(jìn)行了密封（埋 設(shè)）之際的壓縮彈性模量（M2)為0. 160MPa(實(shí)施例17)那樣的快固化性的密封片。換言 之，可知：能夠在不使引線產(chǎn)生變形的情況下進(jìn)行密封的、在25°C的溫度條件下將利用片 制造工序制造出來的快固化性的密封片保存了 24小時(shí)之際的、25°C的溫度條件下的壓縮 彈性模量的增加量的上限值為〇. 120MPa。
[0358] (4)使用快固化性的密封片時(shí)的LED裝置的制造效率
[0359] 在使用25°C的溫度條件下的壓縮彈性模量的增加量AM為0.120MPa的快固化性 的密封片的情況下，利用下述式計(jì)算出利用150°C的加熱條件用于實(shí)現(xiàn)C階段的時(shí)間為15 分鐘。
[0360] 2(小時(shí)）X0? 015 (MPa/兩小時(shí)）/0? 120 (MPa/兩小時(shí)）=0? 25(小時(shí)）（=15分 鐘）
[0361]因此，在密封片為快固化性的情況下，能夠?qū)?shí)現(xiàn)C階段所花費(fèi)的時(shí)間縮短8倍 (=2 (小時(shí)）/0. 25 (小時(shí)））。也就是說，可知：通過縮短實(shí)現(xiàn)C階段所花費(fèi)的時(shí)間，能夠大 幅提尚LED裝置的制造效率。
[0362] 伸冷卻了的密封片返回宰淵
[0363] 參考例1
[0364] 將剛制造出來的制造例1的密封片容納于圖6所示的帶蓋容器17,該帶蓋容器17 在上下方向上堆積5層，將這些帶蓋容器17容納于鋁制的袋（保存袋）。之后，在-15°C的 冷凍庫中將該袋保存了 3. 5小時(shí)。之后，將該袋自冷凍庫取出，接著，將該袋在20°C、相對(duì)濕 度37%的氣氛下的不銹鋼臺(tái)之上載置規(guī)定時(shí)間。也就是說，使密封片返回了室溫。另外，對(duì) 此時(shí)的、袋內(nèi)的密封片的表面溫度進(jìn)行了測定。
[0365] 將密封片的表面溫度與將帶蓋容器載置在不銹鋼臺(tái)上之后的經(jīng)過時(shí)間之間的關(guān) 系表示在圖11中。
[0366] MM.
[0367] 由圖11可知，使冷卻了的袋內(nèi)的密封片的表面溫度返回到室溫所需的時(shí)間為3小 時(shí)。
[0368] 另外，沒有在表面溫度返回到室溫的密封片的表面上觀察到結(jié)露。
[0369] 參考例2
[0370] 從自冷凍庫取出的袋中取出帶蓋容器17,將該容納器原封不動(dòng)地在20°C、相對(duì)濕 度37%的氣氛下的不銹鋼臺(tái)之上載置了 3小時(shí)，除此以外，與參考例1同樣地進(jìn)行了處理。 [037i]
[0372] 在表面溫度返回到室溫的密封片的表面上觀察到了結(jié)露。
[0373]分析 2
[0374] 自冷凍狀態(tài)起返回到室溫為止的時(shí)間
[0375] 可知：在使被在冷凍庫中冷卻了的密封片的表面溫度以不產(chǎn)生結(jié)露的方式返回到 室溫（也就是說，供給至密封工序時(shí)的溫度）時(shí)，需要以"容納在袋內(nèi)的狀態(tài)"在室溫條件 下保存密封片。
[0376] 并且，可知：使容納在袋內(nèi)的密封片的表面溫度返回到室溫所需的時(shí)間為"3小 時(shí)"。也就是說，可知：LED裝置的制造效率顯著降低。
[0377] 此外，雖然作為本發(fā)明的例示的實(shí)施方式提供了所述發(fā)明，但這僅僅是例示，不應(yīng) 做限定性解釋。本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠明確的本發(fā)明的變形例是包括在本發(fā)明的權(quán)利要求書 的范圍內(nèi)的。
[0378] 產(chǎn)業(yè)h的可利用件
[0379] 光半導(dǎo)體裝置的制造方法被用作LED裝置、LD裝置的制造方法。
[0380] 附圖標(biāo)iP,說明
[0381] 1、密封片；4、LED ;5、LED裝置；61、密封層。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種光半導(dǎo)體裝置的制造方法，在該光半導(dǎo)體裝置的制造方法中，利用密封層來密 封光半導(dǎo)體元件而制造光半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 該光半導(dǎo)體裝置的制造方法包括密封層制造工序和密封工序，在該密封層制造工序中 制造所述密封層，在該密封工序中利用所述密封層來密封所述光半導(dǎo)體元件， 從在所述密封層制造工序中制得所述密封層之后到在所述密封工序中利用所述密封 層來密封了所述光半導(dǎo)體元件之前的這段時(shí)間為24小時(shí)以下。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 在室溫條件下輸送利用所述密封層制造工序制造出來的所述密封層并將所述密封層 供給至所述密封工序。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 在該光半導(dǎo)體裝置的制造方法中，利用B階段的密封片來密封所述光半導(dǎo)體元件而制 造所述光半導(dǎo)體裝置， 所述密封層制造工序是制造B階段的所述密封片的片制造工序， 在所述密封工序中，利用B階段的所述密封片來密封所述光半導(dǎo)體元件， 從在所述片制造工序中制得B階段的所述密封片之后到在所述密封工序中利用B階段 的所述密封片來密封了所述光半導(dǎo)體元件之前的這段時(shí)間為24小時(shí)以下。4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的光半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 利用所述片制造工序制造出來的B階段的所述密封片的在25°C的溫度條件下的壓縮 彈性模量為〇. 〇40MPa~0. 145MPa。5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的光半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 在25°C的溫度條件下將利用所述片制造工序制造出來的B階段的所述密封片保存了 24小時(shí)之際的、25°C的溫度條件下的壓縮彈性模量的增加量為0. 015MPa~0. 120MPa。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于， 在該光半導(dǎo)體裝置的制造方法中，利用A階段的密封層來密封所述光半導(dǎo)體元件而制 造所述光半導(dǎo)體裝置， 在所述密封層制造工序中，制造A階段的所述密封層， 在所述密封工序中，利用A階段的所述密封層來密封所述光半導(dǎo)體元件， 從在所述密封層制造工序中制得A階段的所述密封層之后到在所述密封工序中利用A 階段的所述密封層來密封了所述光半導(dǎo)體元件之前的這段時(shí)間為24小時(shí)以下。
【專利摘要】利用密封片(1)來密封LED(4)而制造LED裝置(5)的LED裝置(5)的制造方法，其包括片制造工序和密封工序，在該片制造工序中制造密封片(1)，在該密封工序中利用密封片(1)來密封LED(4)，從在片制造工序中制得密封片(1)之后到在密封工序中利用密封片(1)來密封了LED(4)之前的這段時(shí)間T為24小時(shí)以內(nèi)。
【IPC分類】H01L33/56
【公開號(hào)】CN105051922
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201480016977
【發(fā)明人】二宮明人, 伊藤久貴, 大藪恭也, 梅谷榮弘, 三谷宗久
【申請(qǐng)人】日東電工株式會(huì)社
【公開日】2015年11月11日
【申請(qǐng)日】2014年3月10日
【公告號(hào)】WO2014148286A1