[0068] 表4 :具有共享源極線的實(shí)例性n-溝道陣列的選定狀態(tài)及未選定狀態(tài)的寫入、擦 除及讀取的實(shí)例性偏置條件。
[0069]
[0070] 雖然已在本發(fā)明中詳細(xì)描述所揭示的實(shí)施例，但應(yīng)了解，可在不背離本發(fā)明的精 神及范圍的情況下對(duì)所述實(shí)施例做出各種改變、取代及變更。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器EEPROM單元，其包括： 襯底，其包含至少一個(gè)作用區(qū)域； 浮動(dòng)?xùn)艠O，其鄰近于所述襯底； 寫入/擦除柵極，其界定用于執(zhí)行所述單元的寫入及擦除操作的寫入/擦除路徑；及 讀取柵極，其界定用于執(zhí)行所述單元的讀取操作的讀取路徑，其中所述讀取路徑不同 于所述寫入/擦除路徑。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的EEPROM單元，其中： 所述寫入/擦除柵極形成在所述浮動(dòng)?xùn)艠O上；且 所述讀取柵極橫向地形成在所述浮動(dòng)?xùn)艠O及寫入/擦除柵極鄰近處。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的EEPROM單元，其包括： 浮動(dòng)?xùn)艠O氧化物，其介于所述浮動(dòng)?xùn)艠O與所述襯底之間；及 讀取柵極氧化物，其介于所述讀取柵極與所述襯底之間； 其中所述讀取柵極氧化物比所述浮動(dòng)?xùn)艠O氧化物薄。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的EEPROM單元，其中： 由所述寫入/擦除柵極界定的所述寫入/擦除路徑經(jīng)配置以用于高電壓寫入及擦除操 作；及 由所述讀取柵極界定的所述讀取路徑經(jīng)配置以用于低電壓讀取操作。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的EEPROM單元，其中： 所述讀取柵極橫向地形成在所述浮動(dòng)?xùn)艠O鄰近處；及 所述襯底的作用區(qū)域與所述讀取柵極自對(duì)準(zhǔn)。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的EEPROM單元，其中所述讀取柵極包含形成在所述浮動(dòng)?xùn)艠O的 相對(duì)側(cè)上的第一部分及第二部分，使得所述浮動(dòng)?xùn)艠O布置在所述讀取柵極的所述第一部分 與所述第二部分之間。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的EEPROM單元，其包括可獨(dú)立控制的第一讀取柵極及第二讀取 柵極。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的EEPROM單元，其中： 所述第一讀取柵極形成在所述浮動(dòng)?xùn)艠O的第一橫向側(cè)鄰近處；且 所述第二讀取柵極形成在所述浮動(dòng)?xùn)艠O的第二橫向側(cè)鄰近處。9. 一種操作電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器EEPROM單元的方法，所述EEPROM單元具有包 含至少一個(gè)摻雜阱的襯底、形成在所述襯底上的浮動(dòng)?xùn)艠O、由讀取柵極界定的低電壓讀取 路徑及由不同于所述至少一個(gè)讀取柵極的寫入/擦除柵極界定的單獨(dú)高電壓寫入/擦除路 徑，所述方法包括： 執(zhí)行寫入操作以通過在所述寫入/擦除柵極與所述至少一個(gè)摻雜阱之間產(chǎn)生高電壓 差動(dòng)而給所述浮動(dòng)?xùn)艠O充電；及 執(zhí)行讀取操作以通過在所述讀取柵極與所述至少一個(gè)摻雜阱之間產(chǎn)生低電壓差動(dòng)而 讀取所述浮動(dòng)?xùn)艠O上的電荷。10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其進(jìn)一步包括：執(zhí)行擦除操作以通過在所述至少一個(gè) 摻雜阱與所述寫入/擦除柵極之間產(chǎn)生高電壓差動(dòng)而使所述浮動(dòng)?xùn)艠O放電。11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述EEPROM單元為包括至少一個(gè)P-阱的n-溝 道單元，且所述方法包括： 執(zhí)行所述讀取操作以通過將低讀取電壓偏置施加到所述寫入/擦除柵極同時(shí)使所述 至少一個(gè)P-阱接地而讀取所述浮動(dòng)?xùn)艠O上的電荷； 執(zhí)行所述寫入操作以通過將高寫入電壓偏置施加到所述寫入/擦除柵極同時(shí)使所述 至少一個(gè)P-阱接地而給所述浮動(dòng)?xùn)艠O充電；及 執(zhí)行擦除操作以通過將高擦除電壓偏置施加到所述至少一個(gè)P-阱同時(shí)使所述寫入/ 擦除柵極接地而使所述浮動(dòng)?xùn)艠O放電，其中所述高擦除電壓偏置可為與所述高寫入電壓偏 置相同或不同的電壓。12. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述EEPROM單元為包括至少一個(gè)n-阱的P-溝 道單元，且所述方法包括： 執(zhí)行所述讀取操作以通過將低讀取電壓偏置施加到所述至少一個(gè)n-阱同時(shí)使所述寫 入/擦除柵極接地而讀取所述浮動(dòng)?xùn)艠O上的所述電荷； 執(zhí)行所述寫入操作以通過將高寫入電壓偏置施加到所述至少一個(gè)n-阱同時(shí)使所述寫 入/擦除柵極接地而給所述浮動(dòng)?xùn)艠O充電；及 執(zhí)行擦除操作以通過將高擦除電壓偏置施加到所述寫入/擦除柵極同時(shí)使所述至少 一個(gè)n-阱接地而使所述浮動(dòng)?xùn)艠O放電，其中所述高擦除電壓偏置可為與所述高寫入電壓 偏置相同或不同的電壓。13. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述EEPROM單元包含第一讀取柵極及第二讀取 柵極，且其中所述方法包括：使所述第一讀取柵極及所述第二讀取柵極獨(dú)立偏置。14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述第一讀取柵極及所述第二讀取柵極包括位 于所述浮動(dòng)?xùn)艠O的相對(duì)橫向側(cè)上的多晶硅間隔物。15. -種存儲(chǔ)器單元陣列，其包括： 多個(gè)電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器EEPROM單元，其布置在陣列中，每一 EEPROM單元包 括： 襯底，其包含至少一個(gè)作用區(qū)域； 浮動(dòng)?xùn)艠O，其鄰近于所述襯底； 寫入/擦除柵極，其界定用于執(zhí)行所述單元的寫入及擦除操作的寫入/擦除路徑；及 讀取柵極，其界定用于執(zhí)行所述單元的讀取操作的讀取路徑，其中所述讀取路徑不同 于所述寫入/擦除路徑。16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的存儲(chǔ)器單元陣列，其中： 所述EEPROM單元的陣列包括多個(gè)單元行；且 至少兩個(gè)單元行共享共用源極線。17. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的存儲(chǔ)器單元陣列，其中對(duì)于每一 EEPROM單元： 所述寫入/擦除柵極形成在所述浮動(dòng)?xùn)艠O上；且 所述讀取柵極橫向地形成在所述浮動(dòng)?xùn)艠O及所述寫入/擦除柵極鄰近處。18. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的存儲(chǔ)器單元陣列，其中每一 EEPROM單元包括： 浮動(dòng)?xùn)艠O氧化物，其介于所述浮動(dòng)?xùn)艠O與所述襯底之間；及 讀取柵極氧化物，其介于所述讀取柵極與所述襯底之間； 其中所述讀取柵極氧化物比所述浮動(dòng)?xùn)艠O氧化物薄。19. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的存儲(chǔ)器單元陣列，其中對(duì)于每一 EEPROM單元： 由所述寫入/擦除柵極界定的所述寫入/擦除路徑經(jīng)配置以用于高電壓寫入及擦除操 作；且 由所述讀取柵極界定的所述讀取路徑經(jīng)配置以用于低電壓讀取操作。20. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的存儲(chǔ)器單元陣列，每一EEPROM單元包含可獨(dú)立控制的第一 讀取柵極及第二讀取柵極。
【專利摘要】本發(fā)明揭示一種電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器EEPROM單元，其可包含：襯底，其包含至少一個(gè)作用區(qū)域；浮動(dòng)?xùn)艠O，其鄰近于所述襯底；寫入/擦除柵極，其界定用于執(zhí)行高電壓寫入及擦除操作的寫入/擦除路徑；及讀取柵極，其界定用于執(zhí)行低電壓讀取操作的讀取路徑，其中所述讀取路徑不同于所述寫入/擦除路徑。這允許更小讀取柵極氧化物，因此允許減小單元大小。此外，所述EEPROM單元可包含兩個(gè)可獨(dú)立控制的讀取柵極，借此界定允許更好編程電壓隔離的兩個(gè)獨(dú)立晶體管。這允許使用共用源極而非需要其自身源極線的每一列EEPROM單元來(lái)牽引存儲(chǔ)器陣列。此使陣列更可縮放，這是因?yàn)閱卧膞尺寸將另外受限于需要兩個(gè)金屬1間距的每一列。
【IPC分類】G11C16/04, H01L29/66, H01L29/788, H01L29/423, G11C11/56
【公開號(hào)】CN105051903
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201480015495
【發(fā)明人】肯特·休依特, 杰克·王, 博米·陳, 索努·達(dá)里亞納尼, 杰弗里·A·沙爾德, 丹尼爾·歐法利茲, 梅爾·海馬斯
【申請(qǐng)人】密克羅奇普技術(shù)公司
【公開日】2015年11月11日
【申請(qǐng)日】2014年3月13日
【公告號(hào)】US20140269102, WO2014151781A1