,以便用于晶硅電池的電流匹 配；
[0112] (8)串聯(lián)鈣鈦礦電池，引出正負極；
[0113] 第二步：開始疊層，按要求放置背板鋼化玻璃。
[0114] 第三步：在背板鋼化玻璃上鋪設(shè)EVA，厚度控制在I. 5mm ;
[0115] 第四步：在EVA上排布擺列多晶硅電池片，選擇156多晶硅電池片面積為 243. 36cm2,多晶娃電池片數(shù)為12片，串聯(lián)晶娃電池片，弓丨出正負極，弓丨導(dǎo)線；
[0116] 第五步：在串聯(lián)多晶硅電池片上面鋪設(shè)EVA，厚度控制在0. 4mm ;
[0117] 第六步：把在第一步制造好的串聯(lián)鈣鈦礦電池鋪設(shè)在EVA上，其中玻璃基板面朝 上，f丐欽礦電池和晶娃電池串聯(lián)焊接好，引出正負極；
[0118] 第七步：最后，用層壓機把整個電池層壓封裝在一起，至此，完成半透明鈣鈦礦晶 體娃串列置層太陽能電池的制造，如圖4中所不。
[0119] 通過以上制造方法，使得太陽能電池的光吸收率更高，在AMI. 5G模擬太陽光測 試疊層太陽能電池的光伏性能如表3所示，鈣鈦礦多晶硅疊層電池組件效率可以達到 19. 3%，比多晶硅電池的光電轉(zhuǎn)換效率相對高48%。
[0120] 表3本實施例疊層太陽能電池的光伏性能與晶體硅電池片和鈣鈦礦電池片的性 能對比
[0121]
[0122] 實施例4
[0123] 如圖1-3中所示，本實施例提供的半透明鈣鈦礦晶體硅串列疊層太陽能電池與 實施例1不同的是，第一透明導(dǎo)電膜和第二透明導(dǎo)電膜為鋁摻雜氧化鋅AZO透明導(dǎo)電 膜；電子運輸層為110 2;鈣鈦礦吸收層為CH 3NH3MX3，其中M為Sn，X為Br，空穴傳輸層為 Spiro-OMeTAD0
[0124] 該半透明鈣鈦礦晶體硅串列疊層太陽能電池的制備方法如下：
[0125] 第一步：在玻璃基板上制備鈣鈦礦電池；
[0126] (1)通過磁控濺射在玻璃基板上沉積AZO導(dǎo)電膜，導(dǎo)電膜膜厚控制為100nm，電阻 為60 Ω，透射率為82 %，完成AZO導(dǎo)電膜的制造；
[0127] (2)把制備好的1102凝膠溶液噴涂到AZO導(dǎo)電膜上，TiO J莫厚為300nm，燒結(jié) 550°C，完成電子輸運層的制造；
[0128] (3)把制備好的含有SnBr2/DMF(溴化錫/無水N，N-二甲基甲酰胺）溶液和含有 CH3NH3Br/IPA (溴化甲胺/無水異丙醇）共同噴涂在TiOJl上，制備鈣鈦礦吸收層，膜厚為 350nm，清洗，烘干，完成鈣鈦礦吸收層的制造；
[0129] (4)把制備好具有空穴傳輸特性的空穴材料Spiro-OMeTAD溶液噴涂于鈣鈦礦吸 收層上，完成空穴傳輸層的制造；
[0130] (5)通過磁控濺射在空穴傳輸層上沉積AZO導(dǎo)電膜，AZO膜厚為150nm，至此完成 鈣鈦礦電池制造；
[0131] (6)在AMI. 5G模擬太陽光下測試鈣鈦礦電池的光伏性能；
[0132] (7)通過激光刻劃鈣鈦礦電池面積大小為280cm2,以便用于晶硅電池的電流匹 配；
[0133] (8)串聯(lián)鈣鈦礦電池，引出正負極，引導(dǎo)線。
[0134] 第二步：開始疊層，按要求放置背板鋼化玻璃；
[0135] 第三步：在背板鋼化玻璃上鋪設(shè)EVA，厚度控制在1.0 mm ;
[0136] 第四步：在EVA上排布擺列多晶硅電池片，選擇156單晶硅電池片面積為150cm2， 單晶硅電池片數(shù)為12片，串聯(lián)晶硅電池片，引出正負極，引導(dǎo)線；
[0137] 第五步：在串聯(lián)多晶硅電池片上面鋪設(shè)EVA，厚度控制在0. 5mm ;
[0138] 第六步：把在第一步制造好的串聯(lián)鈣鈦礦電池鋪設(shè)在EVA上，其中玻璃基板面朝 上，f丐欽礦電池和晶娃電池串聯(lián)焊接好，引出正負極；
[0139] 第七步：用層壓機把整個電池層壓封裝在一起。至此，完成半透明鈣鈦礦晶體硅串 列疊層太陽能電池的制造，如圖4中所示。
[0140] 通過以上制造方法，使得太陽能電池的光吸收率更高，在AMI. 5G模擬太陽光測 試疊層太陽能電池的光伏性能如表4所示，鈣鈦礦多晶硅疊層電池組件效率可以達到 16. 2%，比單晶硅電池的光電轉(zhuǎn)換效率相對高47%。
[0141] 表4本實施例疊層太陽能電池的光伏性能與晶體硅電池片和鈣鈦礦電池片的性 能對比
[0142]
[0143] 實施例5
[0144] 如圖1-4中所示，本實施例提供的半透明鈣鈦礦晶體硅串列疊層太陽能電池的結(jié) 構(gòu)與實施例1相同。
[0145] 本實施例提供的半透明鈣鈦礦晶體硅串列疊層太陽能電池的制備方法與實施例1 不同的是：第一步的步驟（7)中刻劃鈣鈦礦電池片面積為300cm 2，第四步中選擇的晶硅電 池為125單晶硅電池片面積為154. 83cm2，串聯(lián)單晶硅電池片數(shù)為12片，在AMI. 5G模擬太 陽能光測試疊層太陽能電池光伏性能如表5所示。半透明鈣鈦礦單晶硅疊層電池組件效率 可以達到16. 5%，比多晶硅電池的光電轉(zhuǎn)換效率相對高37. 5%。
[0146] 表5本實施例疊層太陽能電池的光伏性能與晶體硅電池片和鈣鈦礦電池片的性 能對比
[0147]
[0148] 以上所述，僅為本發(fā)明的最佳技術(shù)實施方案，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此， 任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換， 都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應(yīng)該以權(quán)利要求的保護范圍為 準。
【主權(quán)項】
1. 一種半透明鈣鈦礦晶體硅串列疊層太陽能電池，其特征是：該太陽能電池從下至上 依次包括背板鋼化玻璃、第一 EVA層、串連晶體硅電池片組、第二EVA層和串連鈣鈦礦電池 片組，其中所述的串連晶體硅電池片組與所述的串連鈣鈦礦電池片組相串連連接。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半透明鈣鈦礦晶體硅串列疊層太陽能電池，其特征是：所述 的串連晶體硅電池片組與所述的串連鈣鈦礦電池片組根據(jù)電流匹配原則相串連連接。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半透明鈣鈦礦晶體硅串列疊層太陽能電池，其特征是：所述 的串連鈣鈦礦電池片組中每個鈣鈦礦電池片從上至下包括玻璃基板、第一透明導(dǎo)電膜、電 子運輸層、鈣鈦礦吸收層、空穴傳輸層和第二透明導(dǎo)電膜。4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的半透明鈣鈦礦晶體硅串列疊層太陽能電池，其特征是：所 述的第一透明導(dǎo)電膜和第二透明導(dǎo)電膜為摻氟氧化錫FTO、摻錫氧化銦ITO、鋁摻雜氧化 鋅AZO或金屬網(wǎng)絡(luò)透明導(dǎo)電膜；所述的電子運輸層為Ti0 2、ZnO或TiO2AnO混合層；所述 的鈣鈦礦吸收層為CH3NH 3MX3，其中M為Pb或Sn, X為I、Cl或Br ;所述的空穴傳輸層為 Spiro-OMeTAD05. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的半透明鈣鈦礦晶體硅串列疊層太陽能電池，其特征是所述的 串連鈣鈦礦電池片組通過包括以下步驟的方法制備獲得： (1) 選取玻璃基板，在玻璃基板上制備第一透明導(dǎo)電膜； (2) 在第一透明導(dǎo)電膜上設(shè)置電子運輸層； (3) 在電子運輸層上設(shè)置鈣鈦礦吸收層； (4) 在鈣鈦礦吸收層上設(shè)置空穴傳輸層； (5) 在空穴傳輸層上設(shè)置第二透明導(dǎo)電膜，即制得鈣鈦礦電池片； (6) 將制得的鈣鈦礦電池片激光刻劃成多個，將刻劃后的多個鈣鈦礦電池片相串連，并 引出正、負電極，制得串連鈣鈦礦電池片組。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半透明鈣鈦礦晶體硅串列疊層太陽能電池，其特征是：所述 的串連晶體硅電池片組中每個晶體硅電池片從上至下至少包括硅基體正面電極、硅基體和 硅基體背面電極。7. 權(quán)利要求書1-6任一項所述的半透明鈣鈦礦晶體硅串列疊層太陽能電池的制備方 法，其特征是包括以下步驟： (1) 選取背板鋼化玻璃，在背板鋼化玻璃上設(shè)置第一 EVA層； (2) 在第一 EVA層上設(shè)置多個晶體硅電池片，然后將多個晶體硅電池片相串連，并引出 正、負電極，制得串連晶體硅電池片組； (3) 在串連晶體硅電池片組上設(shè)置第二EVA層； (4) 在第二EVA層上設(shè)置串連鈣鈦礦電池片組，并將串連鈣鈦礦電池片組與串連晶體 硅電池片組相串連，并引出正、負電極； (5) 經(jīng)包括層壓工序，制成半透明鈣鈦礦晶體硅串列疊層太陽能電池。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種半透明鈣鈦礦晶體硅串列疊層太陽能電池，該太陽能電池從下至上依次包括背板鋼化玻璃、第一EVA層、串連晶體硅電池片組、第二EVA層和串連鈣鈦礦電池片組，其中所述的串連晶體硅電池片組與所述的串連鈣鈦礦電池片組相串連連接。該疊層太陽能電池結(jié)合鈣鈦礦和晶體硅這兩種太陽能電池對太陽能光吸收的特性做成疊層太陽能電池，可以明顯提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。本發(fā)明還公開了上述半透明鈣鈦礦晶體硅串列疊層太陽能電池的制備方法。
【IPC分類】H01L51/42, H01L51/48, H01L51/46
【公開號】CN105047823
【申請?zhí)枴緾N201510358392
【發(fā)明人】高進偉, 容齊坤, 韓兵, 李若朋, 彭強, 陳曉鵬, 周國富
【申請人】華南師范大學(xué), 深圳市國華光電科技有限公司
【公開日】2015年11月11日
【申請日】2015年6月24日