一種薄膜晶體管、其制作方法、陣列基板及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤指一種薄膜晶體管、其制作方法、陣列基板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]通常，薄膜晶體管(Thin-film Transistor，TFT)在陣列基板中起到具有十分重要的作用。
[0003]目前，在薄膜晶體管的制作工藝中，具體包括:步驟一、如圖1a所示，在襯底基板01上依次形成柵極02的圖形、柵絕緣層薄膜03、有源層薄膜04、歐姆接觸層薄膜05、源漏極金屬層薄膜06以及光刻膠層薄膜07，對(duì)光刻膠層薄膜07進(jìn)行曝光顯影，得到光刻膠完全去除區(qū)域a、光刻膠部分保留區(qū)域b和光刻膠完全保留區(qū)域C，光刻膠完全去除區(qū)域a對(duì)應(yīng)于除待形成有源層圖形的區(qū)域之外的區(qū)域，光刻膠部分保留區(qū)域b對(duì)應(yīng)于待形成的溝道區(qū)域，光刻膠完全保留區(qū)域c對(duì)應(yīng)于待形成源極、漏極圖形的區(qū)域，其中光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠可以避免對(duì)應(yīng)于待形成的溝道區(qū)域的有源層薄膜04在下一步刻蝕工藝中受損；步驟二、如圖1b所示，在濕刻設(shè)備中，通過(guò)濕法刻蝕工藝將光刻膠完全去除區(qū)域a的源漏極金屬層薄膜06刻蝕掉，此時(shí)源漏極金屬層薄膜06經(jīng)過(guò)了一次濕法刻蝕，但并未形成源極、漏極的圖形；步驟三、如圖1c所示，在干刻設(shè)備中分別對(duì)光刻膠完全去除區(qū)域a的歐姆接觸層薄膜05和有源層薄膜04進(jìn)行干法刻蝕，對(duì)光刻膠部分保留區(qū)域b的光刻膠進(jìn)行灰化，以及對(duì)光刻膠部分保留區(qū)域b的源漏極金屬層薄膜06和歐姆接觸層薄膜05進(jìn)行干法刻蝕，得到有源層041、源極061、漏極062、歐姆接觸層051等圖形，此時(shí)源漏極金屬層薄膜06又經(jīng)過(guò)了一次干法刻蝕，才形成源極、漏極的圖形；步驟四、如圖1d所示，將剩余的光刻膠進(jìn)行剝離。
[0004]在現(xiàn)有的TFT陣列基板制作工藝的上述步驟中，源漏極金屬層薄膜經(jīng)過(guò)了一次濕法刻蝕和一次干法刻蝕，其中在干法刻蝕工藝中對(duì)于與溝道區(qū)域?qū)?yīng)的源漏極金屬層進(jìn)行刻蝕的時(shí)候有著各種弊端，例如干刻設(shè)備對(duì)金屬層的刻蝕較困難，且刻蝕不均勻，設(shè)備損耗大，出現(xiàn)良率低的問(wèn)題，難于適用于量產(chǎn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供一種薄膜晶體管、其制作方法、陣列基板及顯示裝置，只通過(guò)利用濕法刻蝕對(duì)源漏極金屬層進(jìn)行刻蝕，刻蝕均勻，提高了產(chǎn)能。
[0006]因此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種薄膜晶體管的制作方法，包括:在襯底基板上依次形成柵極的圖形、柵極絕緣層薄膜、有源層薄膜和歐姆接觸層薄膜；
[0007]在所述歐姆接觸層薄膜上位于待形成的溝道區(qū)域內(nèi)形成第一刻蝕阻擋模塊；
[0008]在形成所述第一刻蝕阻擋模塊的襯底基板上形成源漏極金屬層薄膜；
[0009]利用所述第一刻蝕阻擋模塊遮擋對(duì)應(yīng)于待形成的溝道區(qū)域的有源層薄膜和歐姆接觸層薄膜，通過(guò)濕法刻蝕工藝在所述源漏極金屬層薄膜形成包括源極和漏極的圖形；
[0010]通過(guò)干法刻蝕工藝在所述歐姆接觸層薄膜形成歐姆接觸層的圖形，以及在所述有源層薄膜形成有源層的圖形。
[0011 ] 在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管的制作方法中，在所述歐姆接觸層薄膜上位于待形成的溝道區(qū)域內(nèi)形成第一刻蝕阻擋模塊，具體包括:
[0012]在所述歐姆接觸層薄膜上形成第一光刻膠層薄膜，對(duì)所述第一光刻膠層薄膜進(jìn)行曝光顯影，得到光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域；
[0013]所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于待形成的溝道區(qū)域，所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于除所述溝道區(qū)域以外的其他區(qū)域；
[0014]所述第一光刻膠層薄膜的光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠為第一刻蝕阻擋模塊。
[0015]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管的制作方法中，利用所述第一刻蝕阻擋模塊遮擋對(duì)應(yīng)于待形成的溝道區(qū)域的有源層薄膜和歐姆接觸層薄膜，通過(guò)濕法刻蝕工藝在所述源漏極金屬層薄膜形成包括源極和漏極的圖形，具體包括:
[0016]在所述源漏極金屬層薄膜上對(duì)應(yīng)待形成源極和漏極圖形的區(qū)域形成第二刻蝕阻擋豐吳塊；
[0017]以所述第二刻蝕阻擋模塊為掩膜，利用所述第一刻蝕阻擋模塊遮擋對(duì)應(yīng)于待形成的溝道區(qū)域的有源層薄膜和歐姆接觸層薄膜，對(duì)所述源漏極金屬層進(jìn)行一次濕法刻蝕工藝，形成包括源極和漏極的圖形。
[0018]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管的制作方法中，在所述源漏極金屬層薄膜上對(duì)應(yīng)待形成源極和漏極圖形的區(qū)域形成第二刻蝕阻擋模塊，具體包括:
[0019]在所述源漏極金屬層薄膜上形成第二光刻膠層薄膜，對(duì)所述第二光刻膠層薄膜進(jìn)行曝光顯影，得到光刻膠完全保留區(qū)域和光刻膠完全去除區(qū)域；
[0020]所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于待形成源極和漏極圖形的區(qū)域，所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于除待形成源極和漏極圖形的區(qū)域以外的其他區(qū)域；
[0021]所述第二光刻膠層薄膜的光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠為第二刻蝕阻擋模塊。
[0022]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管的制作方法中，通過(guò)干法刻蝕工藝在所述歐姆接觸層薄膜形成歐姆接觸層的圖形，以及在所述有源層薄膜形成有源層的圖形，具體包括:
[0023]以所述第一刻蝕阻擋模塊和第二刻蝕阻擋模塊為掩膜，通過(guò)一次干法刻蝕工藝刻蝕掉除對(duì)應(yīng)于待形成溝道區(qū)域、源極和漏極圖形的區(qū)域以外的歐姆接觸層薄膜；
[0024]去除掉所述第一刻蝕阻擋模塊；
[0025]以所述第二刻蝕阻擋模塊為掩膜，通過(guò)一次干法刻蝕工藝刻蝕掉對(duì)應(yīng)于待形成溝道區(qū)域的歐姆接觸層薄膜，以及刻蝕掉除對(duì)應(yīng)于待形成溝道區(qū)域、源極和漏極圖形的區(qū)域以外的有源層薄膜，在所述歐姆接觸層薄膜形成歐姆接觸層的圖形，以及在所述有源層薄膜形成有源層的圖形。
[0026]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管的制作方法中，去除掉第一刻蝕阻擋模塊，具體包括:
[0027]對(duì)所述第一刻蝕阻擋模塊進(jìn)行灰化處理。
[0028]在一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管的制作方法中，在所述歐姆接觸層薄膜形成歐姆接觸層的圖形，以及在所述有源層薄膜形成有源層的圖形之后，還包括:
[0029]對(duì)所述第二刻蝕阻擋模塊進(jìn)行剝離。
[0030]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種薄膜晶體管，所述薄膜晶體管使用本發(fā)明實(shí)施例提供的上述制作方法制作。
[0031]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管。
[0032]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板。
[0033]本發(fā)明實(shí)施例的有益效果包括: