避開標(biāo)記m。雖然于圖示中，第一導(dǎo)電圖案3700覆蓋絕緣層3301，然而第一導(dǎo)電圖案3700也可以被絕緣層3301所覆蓋，本發(fā)明并不加以限制。
[0114]還有第一保護(hù)層3900，形成于基板3100上，且形成于薄膜晶體管3300、標(biāo)記m、位于周邊線路區(qū)3113的絕緣層3301與第一開口 3800上。第一保護(hù)層3900的介電常數(shù)大于絕緣層3301的介電常數(shù)。其中，第一保護(hù)層3900的材料可選自前述實(shí)施例中所述的第一保護(hù)層1900的材料。因此，如圖9B所示，于基板3100的邊緣310E的剖切線bb’所對應(yīng)的部分剖面示意圖中，基板3100上的第一保護(hù)層3900于絕緣層3301的第一開口 3800處與基板3100相接觸，而于第一開口 3800以外的部分，第一保護(hù)層3900不接觸基板3100的上表面。
[0115]而如圖9C所示，于標(biāo)記m處的剖切線cc’所對應(yīng)的部分剖面示意圖中，基板3100上有第一導(dǎo)電圖案3700，以及其上的絕緣層3301。于絕緣層3301的上覆蓋有第一保護(hù)層3900 ο
[0116]于某些實(shí)施例中，請回到圖8，標(biāo)記m位于像素陣列基板3000的四個(gè)角落，第一開口 3800至少具有兩個(gè)第一部分3801、3803與一個(gè)第二部分3805，各第一部分鄰近基板3100的邊緣310E，第二部分3805分別連通第一部分3801與第一部分3803，且第二部分3805鄰近標(biāo)記m，但不鄰接于基板3100的邊緣310E。此時(shí)，第二部分3805不與標(biāo)記m連通，而切割后的標(biāo)記m的投影形狀可為L型或其它合適的形狀。其中，各第一部分的側(cè)壁380E與基板的邊緣310E投影于一平面時(shí)，前述二者(即第一部分3801的側(cè)壁380E與基板的邊緣310E以及第一部分3083的側(cè)壁380E與基板的邊緣310E)之間的距離d大于O。
[0117]而如圖9D所示，于標(biāo)記m旁第一開口 3800的第二部分3805處的剖切線dd’所對應(yīng)的部分剖面示意圖中。于剖切線bb’所對應(yīng)的部分剖面示意圖中，基板3100上的第一保護(hù)層3900覆蓋絕緣層3301，并覆蓋了第一開口 3800的側(cè)壁，一直延伸覆蓋基板3100的上表面3101直到邊緣310E處。通過第一開口 3800，介電常數(shù)較低的絕緣層3301因?yàn)楸唤殡姵?shù)較高的第一保護(hù)層3900包覆，并不會直接暴露于空氣中。雖然于標(biāo)記m處，也就是剖切線cc’處的絕緣層3301會暴露于空氣，然而通過第一開口 3800的第二部分3805，于圖9D中左側(cè)(圖8中dd’剖切線遠(yuǎn)離標(biāo)記m的部分)的絕緣層3301與右側(cè)(圖8中dd’剖切線靠近標(biāo)記m的部分)的絕緣層3301并不會相連。因此即使靠近標(biāo)記m的絕緣層3301吸收了空氣中的水氣，靠近顯示區(qū)的絕緣層3301并不會吸收到水氣，從而使得水氣影響顯示區(qū)的元件的機(jī)率下降，延長了面板的壽命。同理，前述實(shí)施例像素陣列基板及其母板中相關(guān)位置上的第一開口 1800，通過第一開口 1800，介電常數(shù)較低的絕緣層1301因?yàn)楸唤殡姵?shù)較高的第一保護(hù)層1900包覆，并不會在切割后直接暴露于空氣中來吸收水氣，從而使得水氣影響顯示區(qū)的元件的機(jī)率下降，延長了面板的壽命。
[0118]于另一實(shí)施例中，請參照圖10，其是依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的像素陣列基板俯視圖。如圖10所示，相較于圖8的實(shí)施例，本實(shí)施例的標(biāo)記m不位于像素陣列基板3000的四個(gè)角落，而可位于四個(gè)角落之外的位置，且第一開口 3800至少具有兩個(gè)第一部分3801、3807與第二部分3809，各第一部分鄰接于邊緣310E，第二部分3809分別連通第一部分3801與第一部分3807，且鄰近標(biāo)記m，但不鄰接于邊緣310E，可視為第二部分3809不與標(biāo)記m連通。假設(shè)每個(gè)顯示單元1110具有多個(gè)邊，則每個(gè)邊上會具有至少一個(gè)圖10所示的標(biāo)記m，且標(biāo)記m的投影形狀以實(shí)質(zhì)上為直線形為范例，但不限于此，例如，標(biāo)記m的投影形狀可為曲線或其它合適的投影形狀。于其它實(shí)施例，圖10中也可包含圖8所示的標(biāo)記m。同理，圖8中也可包含圖10所示的標(biāo)記m，則在角落與非角落處皆有標(biāo)記m。其中，各第一部分的側(cè)壁與基板的邊緣310E投影于一平面時(shí)，前述二者(即第一部分3081的側(cè)壁與基板的邊緣310E以及第一部分3087的側(cè)壁與基板的邊緣310E)之間的距離d’大于0，而圖10中所示的剖面線aa’、bb’、cc’、dd’與ee’的剖面結(jié)構(gòu)可參閱圖9A?9D與圖11?14。通過距離d或d’大于0，可以保證切割完的面板中，絕緣層3301并不會直接暴露于空氣，于絕緣層3301與空氣之間，必然有第一保護(hù)層3900將絕緣層3301隔絕于空氣。
[0119]于另一實(shí)施例中，請參照圖11，其是依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例中圖8的剖切線cc’的部分剖面示意圖。如圖11所示，于本實(shí)施例中，在標(biāo)記m所在位置的部分剖面結(jié)構(gòu)中，與圖9C的實(shí)施例的差異在于，本實(shí)施例中的像素陣列基板3000更具有第二導(dǎo)電圖案3710。部分的第二導(dǎo)電圖案3710位于周邊線路區(qū)3113。第二導(dǎo)電圖案3710與第一導(dǎo)電圖案3700重疊，而標(biāo)記m是由位于周邊線路區(qū)3113的絕緣層3301、第一導(dǎo)電圖案3700與第二導(dǎo)電圖案3710重疊而構(gòu)成。并且標(biāo)記m的部分中，絕緣層3301夾設(shè)于第一導(dǎo)電圖案3700與第二導(dǎo)電圖案3710之間。
[0120]于再一實(shí)施例中，請參照圖12A至圖12D，其中圖12A是依據(jù)本發(fā)明再一實(shí)施例中的像素陣列基板對應(yīng)于剖切線aa’的部分剖面示意圖，而圖12B是依據(jù)本發(fā)明再一實(shí)施例中的像素陣列基板對應(yīng)于剖切線bb’的部分剖面示意圖，圖12C是依據(jù)本發(fā)明再一實(shí)施例中的像素陣列基板對應(yīng)于剖切線cc’的部分剖面示意圖，圖12D是依據(jù)本發(fā)明再一實(shí)施例中的像素陣列基板對應(yīng)于剖切線dd’的部分剖面示意圖。如圖12A至圖12D所示，于本實(shí)施例中的母板3000相較于圖9A至圖9D的實(shí)施例而言，更具有第二保護(hù)層3910，第二保護(hù)層3910形成于基板3100的上，且形成于薄膜晶體管3300、標(biāo)記m與位于周邊線路區(qū)3113的絕緣層3301上，其中，第二保護(hù)層3910夾設(shè)于絕緣層3301與第一保護(hù)層3900之間，第二保護(hù)層3910具有對應(yīng)于第一開口 3800的第二開口 3810，以暴露出基板3100的部分上表面3101 (可稱為內(nèi)表面，因?yàn)榛?100的上表面3101的其余部分是被各材料層所覆蓋而不外露)，且第一保護(hù)層3900形成于薄膜晶體管3300、標(biāo)記m、位于周邊線路區(qū)3113上的絕緣層3301、第二保護(hù)層3910、第一開口 3800與第二開口 3810上。此外，第一保護(hù)層3900的介電常數(shù)可大于第二保護(hù)層3910的介電常數(shù)。舉例而言第二保護(hù)層3910的介電常數(shù)可選擇性的小于6而大于1，其材料可選自于上述實(shí)施例中的絕緣層或其它合適的材料。
[0121]此外，同樣參照圖12A至圖12D，于某些實(shí)施例中的像素陣列基板3000可以更具有介電層3920，而于另一些實(shí)施例中則可以不存在介電層3920。介電層3920形成于基板3100上，且形成于薄膜晶體管3300、標(biāo)記m與位于周邊線路區(qū)3113的絕緣層3301上。其中，介電層3920夾設(shè)于第二保護(hù)層3910與第一保護(hù)層3900之間，介電層3920具有對應(yīng)于第二開口 3810的第三開口 3820，以暴露出基板3100的部分上表面3101，且第一保護(hù)層3900形成于薄膜晶體管3300、標(biāo)記m、位于周邊線路區(qū)3113的絕緣層3301、第二保護(hù)層3910、介電層3920、第一開口 3800、第二開口 3810與第三開口 3820上。
[0122]于另一實(shí)施例中，請參照圖13，其是依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例中的像素陣列基板對應(yīng)于剖切線cc’的部分剖面示意圖。如圖13所示，相較于圖12C的實(shí)施例，本實(shí)施例的介電層3920具有第四開口 3830。第四開口 3830位于標(biāo)記m的上方，第一保護(hù)層3900形成于第四開口 3830上，且第四開口 3830可選擇性不與第一開口 3800、第二開口 3810及第三開口 3820連通。于其它實(shí)施例中，第四開口 3830可與第一開口 3800、第二開口 3810及第三開口 3820連通。
[0123]于另一實(shí)施例中，以前述的像素陣列基板制作的顯示面板，請參照圖14，其是依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的顯示面板的剖面示意圖。請參閱圖14與圖8或圖14與圖10所示，顯示面板4000中有如前述任一實(shí)施例的像素陣列基板3000、對向基板4100、框膠4200、顯示介質(zhì)層4300與光間隙物4400。其中框膠4200設(shè)置于像素陣列基板3000與對向基板4100之間?？蚰z4200位于第一開口 3800與顯示區(qū)3111之間，框膠4200環(huán)繞顯示區(qū)3111以構(gòu)成空間(space)，此空間中填中有顯示介質(zhì)層4300。光間隙物(photo spacer) 4400設(shè)置于對向基板4100與像素陣列基板3000之間，且對應(yīng)于第一開口 3800的側(cè)壁與基板3100的邊緣310E之間的區(qū)域，而光間隙物4400的厚度可選擇性地小于或?qū)嵸|(zhì)上等于顯示介質(zhì)層4300的厚度。在本實(shí)施例中，光間隙物4400可存于對應(yīng)于至少一部分標(biāo)記m的位置上，且設(shè)置于該對向基板與該基板之間；或者是光間隙物4400可存于對應(yīng)于部分的第一開口 3800(例如兩個(gè)第一部分3801和3805或3801和3807)的位置上，且設(shè)置于該對向基板與該基板之間；或者是光間隙物4400可存于對應(yīng)于至少一部分標(biāo)記m與部分的第一開口 3800(例如兩個(gè)第一部分3801和3805或3801和3807)的位置上，且設(shè)置于該對向基板與該基板之間。再者，上述圖12B、12C及/或圖13所述的剖面圖，亦可選擇性的包含圖14所述的光間隙物4400及其相關(guān)描述，并可很清楚的明白相對位置與配套關(guān)是。然而于某些實(shí)施例中，切割母板的程序合宜不太影響切割妥善率，則可以對應(yīng)于母板的預(yù)切割區(qū)的位置上不存在光間隙物 4400。
[0124]由前述多個(gè)實(shí)施例所公開的像素陣列基板及其母板，由于在母板的預(yù)切割區(qū)部分，有開口直接將基板暴露，而由第一保護(hù)層于此處直接覆蓋開口及基板，且開口也避開標(biāo)記。因此當(dāng)切割母板得到像素陣列基板時(shí)，直接暴露于空氣的只有第一保護(hù)層及基板。換句話說，其余各層、各元件被第一保護(hù)層所保護(hù)并隔絕空氣。由于第一保護(hù)層的介電常數(shù)較高，水氣易被第一保護(hù)層阻擋于第一保護(hù)層之外，因此在第一保護(hù)層之內(nèi)的各層材料不易吸收水氣，從而使得其中氧化物半導(dǎo)體因?yàn)槲账踊臋C(jī)率降低。再者，切割后的面板，其標(biāo)記所在的區(qū)域雖然有比第一保護(hù)層較低的介電常