實施例中的母板對應于剖切線AA’的部分剖面示意圖。
[0048]圖5B是依據(jù)本發(fā)明再一實施例中的母板對應于剖切線BB’的部分剖面示意圖。
[0049]圖5C是依據(jù)本發(fā)明再一實施例中的母板對應于剖切線CC’的部分剖面示意圖。
[0050]圖6是依據(jù)本發(fā)明另一實施例中的母板對應于剖切線CC’的部分剖面示意圖。
[0051]圖7是依據(jù)本發(fā)明另一實施例的面板母板的部分剖面示意圖。
[0052]圖8是對應于圖1中的母板被切分得到的像素陣列基板俯視圖。
[0053]圖9A是對應于圖8中剖切線aa’的部分剖面示意圖。
[0054]圖9B是對應于圖8中剖切線bb’的部分剖面示意圖。
[0055]圖9C是對應于圖8中剖切線cc’的部分剖面示意圖。
[0056]圖9D是對應于圖8中剖切線dd’的部分剖面示意圖。
[0057]圖10是依據(jù)本發(fā)明另一實施例的像素陣列基板俯視圖。
[0058]圖11是依據(jù)本發(fā)明另一實施例中圖8的剖切線cc’的部分剖面示意圖。
[0059]圖12A是依據(jù)本發(fā)明再一實施例中的像素陣列基板對應于剖切線aa’的部分剖面示意圖。
[0060]圖12B是依據(jù)本發(fā)明再一實施例中的像素陣列基板對應于剖切線bb’的部分剖面示意圖。
[0061]圖12C是依據(jù)本發(fā)明再一實施例中的像素陣列基板對應于剖切線cc’的部分剖面示意圖。
[0062]圖12D是依據(jù)本發(fā)明再一實施例中的像素陣列基板對應于剖切線dd’的部分剖面示意圖。
[0063]圖13是依據(jù)本發(fā)明另一實施例中的像素陣列基板對應于剖切線cc’的部分剖面示意圖。
[0064]圖14是依據(jù)本發(fā)明另一實施例的顯示面板的剖面示意圖。
[0065]其中，附圖標記說明如下:
[0066]1000 母板
[0067]1100、3100 基板
[0068]110U3101 上表面
[0069]31OE 邊緣
[0070]1110 顯示單元
[0071]111U3111 顯示區(qū)
[0072]1113、3113周邊線路區(qū)
[0073]1130預切割區(qū)
[0074]1300、3300薄膜晶體管
[0075]130G、330G 柵極
[0076]130S、330S 源極
[0077]130D、330D 漏極
[0078]1301、3301 絕緣層
[0079]1400、1500、3400、3500 信號線
[0080]1600、3600 像素電極
[0081]1700、1710、3700、3710 導電圖案
[0082]1800 ?1830、3800 ?3830 開口
[0083]1801、1803、1807、3801、3803、3807 第一部分
[0084]1805、1809、3805、3809 第二部分
[0085]380E 側(cè)壁
[0086]1900^1910^3900^3910 保護層
[0087]1920、3920 介電層
[0088]2000面板母板
[0089]3000像素陣列基板
[0090]4000 顯示面板
[0091]2100、4100 對向基板
[0092]2200、4200 框膠
[0093]2300^4300顯示介質(zhì)層
[0094]2400、4400 光間隙物
[0095]AA’、BB’、CC’、DD’ 剖切線
[0096]aa，、bb，、cc，、dd’ 剖切線
【具體實施方式】
[0097]以下在實施方式中詳細敘述本發(fā)明的詳細特征以及優(yōu)點，其內(nèi)容足以使任何熟習相關技藝者了解本發(fā)明的技術內(nèi)容并據(jù)以實施，且根據(jù)本說明書所公開的內(nèi)容、申請專利范圍及附圖，任何本領域普通技術人員可輕易地理解本發(fā)明相關的目的及優(yōu)點。以下的實施例是進一步詳細說明本發(fā)明的觀點，但非以任何觀點限制本發(fā)明的范疇。
[0098]請參照圖1至第2C圖，其中圖1是依據(jù)本發(fā)明一實施例的像素陣列基板母板俯視圖，第2A圖是對應于圖1中剖切線AA’的部分剖面示意圖，而第2B圖是對應于圖1中剖切線BB’與DD’的部分剖面示意圖，第2C圖是對應于圖1中剖切線CC’的部分剖面示意圖。而如圖1、第2A圖與第2B圖所示，本發(fā)明一實施例中的母板1000具有基板1100?；?100具有多個顯示單元1110，顯示單元之間定義出至少一預切割區(qū)1130。各顯示單元1110包括一具有多個像素區(qū)(未標示)的顯示區(qū)1111與相鄰于顯示區(qū)1111的至少一周邊線路區(qū)1113，本發(fā)明的實施例是以環(huán)繞顯示區(qū)1113的至少一周邊線路區(qū)1113為實施范例，但不限于此。必需要說明的是，每個顯示單元1110被切割下來后，就是一個顯示面板的像素陣列基板或顯示面板。
[0099]而如第2A圖所示，在顯示區(qū)1111內(nèi)的至少部分的像素區(qū)(未標示)內(nèi)，于基板1100的上表面設置有薄膜晶體管1300。薄膜晶體管1300中有柵極130G、漏極130D、源極130S、絕緣層1301與氧化物半導體層1300。絕緣層1301位于柵極130G與氧化物半導體層1300之間，且源極130S與漏極130D與氧化物半導體層1300接觸，即源極130S與漏極130D皆會與氧化物半導體層1300部分重疊，而絕緣層1301還延伸至所屬顯示單元1110的周邊線路區(qū)1113，其中絕緣層1301的介電常數(shù)小于6，大于I。于特別的實施例中，絕緣層1301的介電常數(shù)小于5，大于I。其中，絕緣層1301的材料可以是二氧化硅、碳硅氧化物、氮氧化硅、碳化硅、硅基高分子、旋涂玻璃(SOG)或其它合適的材料，且前述材料的物性或化性可參閱物質(zhì)安全數(shù)據(jù)表，而氮氧化硅的氮原子百分比要實質(zhì)上小于30%大于0%，氧原子大于氮原子的百分比，硅原子百分比實質(zhì)上小于氮與氧原子總和，且氮與氧原子總和小于67%大于62%，其中，氮、氧、硅原子總和為100%，且氮氧化硅的折射率大于1.45小于
1.75，而其制造方法可為化學氣相沈積法、濺鍍法或其它合適的方法。本發(fā)明以絕緣層1301的材料為二氧化硅為范例，但不限于此。于某些實施例中，絕緣層1301中只有柵極絕緣層，而于另一些實施例中，絕緣層1301由多層絕緣材料堆迭而成，例如絕緣層1301是由柵極絕緣層與蝕刻終止層的堆迭膜層構(gòu)成。雖然于本實施例中，柵極130G位于氧化物半導體層1300的下，即底閘型薄膜晶體管為范例，但不限于此。于其它實施例中，柵極130G亦位于氧化物半導體層1300的上，即頂閘型薄膜晶體管，或是柵極130G位于氧化物半導體層1300其它位置上，即其它類型的薄膜晶體管亦可適用的。氧化物半導體可為單層或多層結(jié)構(gòu)，且其材料包含銦鎵鋅氧化物(IGZO)、銦鋅氧化物(IZO)、銦鎵氧化物(IGO)、氧化錫(ZnO)、氧化鎘?氧化鍺(Cd02.Ge02)、氧化鎳鈷(NiCo204)、氧化鋅(ZnO)、鋁鋅氧化物(AZO)、鎵鋅氧化物(GZO)或其它合適的材料。
[0100]此外，于薄膜晶體管1300上還設有第一信號線1400、第二信號線1500與像素電極1600。第一信號線1400連接于柵極130G，則第一信號線1400可視為掃描線或柵極線、第二信號線1500連接于源極130S，則第二信號線1500可視為數(shù)據(jù)線，而像素電極1600連接于漏極130D。其中，第一信號線1400、第二信號線1500與像素電極1600皆為簡略地描繪。此外，于基板1100上還有第一導電圖案1700，第一導電圖案1700設置于一部分預切割區(qū)1130，且部分的第一導電圖案1700位于周邊線路區(qū)1113，其中，位于周邊線路區(qū)1113的絕緣層1301與第一導電圖案1700重疊以構(gòu)成圖1中的標記M。絕緣層1301具有第一開口1800，基板1100的部分上表面1101(或可稱為內(nèi)表面)經(jīng)由第一開口 1800暴露出來，且第一開口 1800位于周邊線路區(qū)1113上且環(huán)繞顯示區(qū)1111，并避開標記M。雖然于圖示中，第一導電圖案1700覆蓋絕緣層1301，然而第一導電圖案1700也可以被絕緣層1301所覆蓋，本發(fā)明并不加以限制。
[0101]還有第一保護層1900，形成于基板1100上，且形成于薄膜晶體管1300、標記M、位于周邊線路區(qū)1113的絕緣層1301與第一開口 1800上。第一保護層1900的介電常數(shù)大于絕緣層1301的介電常數(shù)。其中，第一保護層1900的材料可以是氮化硅、氮氧化硅、氧化鉭(tantalum oxide)、氧化招、氧化鈦、氧化給(HfO)或其它合適的材料，且前述材料的物性或化性可參閱物質(zhì)安全數(shù)據(jù)表，而氮氧化硅的氮原子百分比要實質(zhì)上大于等于30%小于58%，氧原子小于氮原子的百分比且大于0%，硅原子百分比實質(zhì)上小于氮與氧原子百分比總和，且氮與氧原子百分比總和小于等于62%大于57%，其中，氮、氧、硅原子總和為100%，且氮氧化硅的折射率大于等于1.75小于2.0，而其制造方法可為化學氣相沈積法、濺鍍法或其它合適的方法。本發(fā)明以第一保護層1900的材料為氮化硅為范例，但不限于此。因此，如第2B圖所示，于預切割區(qū)1130處的剖切線BB’所對應的部分剖面示意圖中，基板1100上的第一保護層1900于絕緣層1301的第一開口 1800處與基板1100相接觸，而于第一開口 1800以外的部分，第一保護層1900不接觸基板1100的上表面。
[0102]而如第2C圖所示，于標記M處的剖切線CC’所對應的部分剖面示意圖中，基板1100上有第一導電圖案1700，以及其上的絕緣層1301。于絕緣層1301的上覆蓋有第一保護層1900。
[0103]于某些實施例中，請回到圖1，標記M位于環(huán)繞顯示單元1110的預切割區(qū)1130的四個角落，則在每個角落處的第一開口 1800具有兩個第一部分1801、1803與一個第二部分1805、，各第一部分與預切割區(qū)1130重疊，第二部分1805分別連通第一部分1801與第一部分1803，且第二部分1805鄰近標記M，但不與預切割區(qū)1130重疊，可視為第二部分1805不與標記M連通。本實施例中，標記M可作為對位及/或切割標記，且標記M的投影形狀以實