像素陣列基板、顯示面板及其母板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示面板技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種應(yīng)用薄膜晶體管技術(shù)的像素陣列基板、顯示面板及其母板。
【背景技術(shù)】
[0002]以薄膜晶體管工藝制作的像素陣列基板被廣泛的用于顯示面板的領(lǐng)域中。由于薄膜晶體管可以將集成電路實(shí)現(xiàn)于玻璃基板上，因此可以用來生產(chǎn)高整合度的顯示面板。
[0003]然而，薄膜晶體管技術(shù)所制作的顯示面板于長(zhǎng)時(shí)間使用后，往往于邊緣處有色偏的現(xiàn)象。究其原因，因?yàn)榄h(huán)境中的水汽從顯示面板的像素陣列基板邊緣處進(jìn)入像素陣列基板，使得部分的薄膜晶體管中的氧化物半導(dǎo)體吸收水汽而使得特性劣化。因此，如何阻止水汽進(jìn)入像素陣列基板以提高所生產(chǎn)的顯示面板的壽命，是一個(gè)亟待解決的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于以上的問題，本發(fā)明提出一種像素陣列基板、顯示面板及其母板設(shè)計(jì)，用以降低了水汽使內(nèi)部電路劣化的機(jī)率。
[0005]本發(fā)明所公開的像素陣列基板，具有基板、薄膜晶體管、第一信號(hào)線、第二信號(hào)線、像素電極、第一導(dǎo)電圖案與第一保護(hù)層。基板具有顯示區(qū)與至少一周邊線路區(qū)，顯示區(qū)具有多個(gè)像素區(qū)。薄膜晶體管設(shè)置于基板上且位于至少一部分的像素區(qū)上，薄膜晶體管具有柵極、源極、漏極、絕緣層與氧化物半導(dǎo)體層，其中，絕緣層位于柵極與氧化物半導(dǎo)體層之間，且源/漏極與氧化物半導(dǎo)體層接觸，而絕緣層延伸至周邊線路區(qū)。第一信號(hào)線，設(shè)置于基板上且位于部分像素區(qū)上，并連接?xùn)艠O。第二信號(hào)線設(shè)置于基板上且位于部分像素區(qū)上，并連接源極。像素電極設(shè)置于基板上且位于部分像素區(qū)上，并連接漏極。第一導(dǎo)電圖案設(shè)置于周邊線路區(qū)且鄰近基板的邊緣，其中，位于周邊線路區(qū)的絕緣層與第一導(dǎo)電圖案層重疊以構(gòu)成標(biāo)記，絕緣層具有第一開口，暴露出基板的內(nèi)表面，且第一開口位于周邊線路區(qū)上且環(huán)繞顯示區(qū)，并避開標(biāo)記。第一保護(hù)層形成于基板上，且形成于薄膜晶體管、標(biāo)記、位于周邊線路區(qū)上的絕緣層與第一開口上，其中第一保護(hù)層的介電常數(shù)大于絕緣層的介電常數(shù)，且絕緣層的介電常數(shù)小于6，大于I。
[0006]于一實(shí)施例中，還包含一第二導(dǎo)電圖案層設(shè)置于所述多個(gè)周邊線路區(qū)中，其中，該第二導(dǎo)電圖案層與該第一導(dǎo)電圖案層重疊，且位于該周邊線路區(qū)上的該絕緣層、該第一導(dǎo)電圖案層與該第二導(dǎo)電圖案層重疊以構(gòu)成該標(biāo)記。
[0007]于一實(shí)施例中，在標(biāo)記中的該絕緣層夾設(shè)于該第一導(dǎo)電圖案層與該第二導(dǎo)電圖案層之間。
[0008]于一實(shí)施例中，還包含一第二保護(hù)層，形成于該基板上，且形成于該薄膜晶體管、該標(biāo)記與位于該周邊線路區(qū)上的該絕緣層上，其中，該第二保護(hù)層夾設(shè)于該絕緣層與該第一保護(hù)層之間，該第二保護(hù)層具有一第二開口對(duì)應(yīng)于該第一開口，以暴露出該基板的內(nèi)表面，且該第一保護(hù)層形成該薄膜晶體管、該標(biāo)記、位于該周邊線路區(qū)上的該絕緣層、該第二保護(hù)層、該第一開口與該第二開口上。
[0009]于一實(shí)施例中，該第一保護(hù)層的介電常數(shù)大于該第二保護(hù)層的介電常數(shù)，且該第二保護(hù)層的介電常數(shù)與該絕緣層的介電常數(shù)小于6，大于I。
[0010]于一實(shí)施例中，還包含一介電層，形成于該基板上，且形成于該薄膜晶體管、該標(biāo)記與位于該周邊線路區(qū)上的該絕緣層上，其中，該介電層夾設(shè)于該第二保護(hù)層與該第一保護(hù)層之間，該第二保護(hù)層具有一第三開口對(duì)應(yīng)于該第二開口，以暴露出該基板的內(nèi)表面，且該第一保護(hù)層形成該薄膜晶體管、該標(biāo)記、位于該周邊線路區(qū)上的該絕緣層、該第二保護(hù)層、該第一開口、該第二開口與該第三開口上。
[0011 ] 于一實(shí)施例中，該介電層具有一第四開口，位于該標(biāo)記的上方，該第一保護(hù)層形成于該第四開口上，且該第四開口不與該第一開口、該第二開口及該第三開口連通。
[0012]于一實(shí)施例中，該絕緣層的介電常數(shù)小于5，大于I。
[0013]于一實(shí)施例中，該標(biāo)記位于該基板的四個(gè)角落，該第一開口具有兩個(gè)第一部分與一第二部分，各該第一部分暴露出該基板邊緣且其與該基板邊緣具有大于O的距離，該第二部分分別連通各該第一部分，且鄰近該標(biāo)記，但不與該基板邊緣重疊。
[0014]于一實(shí)施例中，該標(biāo)記不位于該預(yù)切割區(qū)的四個(gè)角落，該第一開口具有二第一部分與一第二部分，各該第一部分暴露出該基板邊緣且其與該基板邊緣具有大于O的距離，該第二部分分別連通各該第一部分，且鄰近該標(biāo)記，但不與該基板邊緣重疊。
[0015]于一實(shí)施例中，該絕緣層包含一柵極絕緣層或該柵極絕緣層與一蝕刻終止層的堆迭膜層。
[0016]本發(fā)明所公開的一種顯示面板，包含:
[0017]如上任一所述的一種像素陣列基板；
[0018]一對(duì)向基板；
[0019]一框膠，設(shè)置于該像素陣列基板與該對(duì)向基板之間，其中，該框膠環(huán)繞該顯示區(qū)以構(gòu)成一空間，且該框膠位于該第一開口與該顯示區(qū)之間；以及
[0020]一顯示介質(zhì)層，形成于該空間內(nèi)。
[0021]于一實(shí)施例中，還包含至少一光間隙物設(shè)置于該對(duì)向基板與該像素陣列基板之間，且對(duì)應(yīng)于該第一開口與該基板邊緣具有大于O的距離的處。
[0022]本發(fā)明所公開的母板，具有基板、薄膜晶體管、第一信號(hào)線、第二信號(hào)線、像素電極、第一導(dǎo)電圖案與第一保護(hù)層?；寰哂卸鄠€(gè)顯示單元，顯示單元之間定義出預(yù)切割區(qū)，各顯示單元包括顯示區(qū)與周邊線路區(qū)，其中顯示區(qū)具有多個(gè)像素區(qū)。薄膜晶體管設(shè)置于基板上且位于至少一部分的像素區(qū)上，薄膜晶體管具有柵極、源極、漏極、絕緣層與氧化物半導(dǎo)體層，其中，絕緣層位于柵極與氧化物半導(dǎo)體層之間，且源/漏極與氧化物半導(dǎo)體層接觸，而絕緣層延伸至各顯示單元的周邊線路區(qū)上。第一信號(hào)線設(shè)置于基板上且位于至少一部分像素區(qū)上，并連接?xùn)艠O。第二信號(hào)線設(shè)置于基板上且位于至少一部分像素區(qū)上，并連接源極。像素電極設(shè)置于基板上且位于至少一部分像素區(qū)上，并連接漏極。第一導(dǎo)電圖案設(shè)置于一部分預(yù)切割區(qū)上，且一部分第一導(dǎo)電圖案位于周邊線路區(qū)中，其中，位于周邊線路區(qū)上的絕緣層與第一導(dǎo)電圖案重疊以構(gòu)成標(biāo)記，絕緣層具有第一開口，暴露出基板的內(nèi)表面，且第一開口位于周邊線路區(qū)上且環(huán)繞顯示區(qū)，并避開標(biāo)記。第一保護(hù)層形成于基板上，且形成于薄膜晶體管、標(biāo)記、位于周邊線路區(qū)上的絕緣層與第一開口上，其中，第一保護(hù)層的介電常數(shù)大于絕緣層的介電常數(shù)，且絕緣層的介電常數(shù)小于6，大于I。
[0023]于一實(shí)施例中，還包含一第二導(dǎo)電圖案層設(shè)置于一部分該預(yù)切割區(qū)上，且一部分該第二導(dǎo)電圖案層位于所述多個(gè)周邊線路區(qū)中，其中，該第二導(dǎo)電圖案層與該第一導(dǎo)電圖案層重疊，位于該周邊線路區(qū)上的該絕緣層、該第一導(dǎo)電圖案層與該第二導(dǎo)電圖案層重疊以構(gòu)成該標(biāo)記。
[0024]于一實(shí)施例中，在標(biāo)記中的該絕緣層夾設(shè)于該第一導(dǎo)電圖案層與該第二導(dǎo)電圖案層之間。
[0025]于一實(shí)施例中，還包含一第二保護(hù)層，形成于該基板上，且形成于該薄膜晶體管、該標(biāo)記與位于該周邊線路區(qū)上的該絕緣層上，其中，該第二保護(hù)層夾設(shè)于該絕緣層與該第一保護(hù)層之間，該第二保護(hù)層具有一第二開口對(duì)應(yīng)于該第一開口，以暴露出該基板的內(nèi)表面，且該第一保護(hù)層形成該薄膜晶體管、該標(biāo)記、位于該周邊線路區(qū)上的該絕緣層、該第二保護(hù)層、該第一開口與該第二開口上。
[0026]于一實(shí)施例中，該第一保護(hù)層的介電常數(shù)大于該第二保護(hù)層的介電常數(shù)，且該第二保護(hù)層的介電常數(shù)與該絕緣層的介電常數(shù)小于6，大于I。
[0027]于一實(shí)施例中，還包含一介電層，形成于該基板上，且形成于該薄膜晶體管、該標(biāo)記與位于該周邊線路區(qū)上的該絕緣層上，其中，該介電層夾設(shè)于該第二保護(hù)層與該第一保護(hù)層之間，該第二保護(hù)層具有一第三開口對(duì)應(yīng)于該第二開口，以暴露出該基板的內(nèi)表面，且該第一保護(hù)層形成該薄膜晶體管、該標(biāo)記、位于該周邊線路區(qū)上的該絕緣層、該第二保護(hù)層、該第一開口、該第二開口與該第三開口上。
[0028]于一實(shí)施例中，該介電層具有一第四開口，位于該標(biāo)記的上方，該第一保護(hù)層形成于該第四開口上，且該第四開口不與該第一開口、該第二開口及該第三開口連通。
[0029]于一實(shí)施例中，該絕緣層的介電常數(shù)小于5，大于I。
[0030]于一實(shí)施例中，該標(biāo)記位于該預(yù)切割區(qū)的四個(gè)角落，該第一開口具有兩個(gè)第一部分與一第二部分，各該第一部分與該預(yù)切割區(qū)重疊，該第二部分分別連通各該第一部分，且鄰近該標(biāo)記，但不與該預(yù)切割區(qū)重疊。
[0031 ] 于一實(shí)施例中，該標(biāo)記不位于該預(yù)切割區(qū)的四個(gè)角落，該第一開口具有兩個(gè)第一部分與一第二部分，各該第一部分與該預(yù)切割區(qū)重疊，該第二部分分別連通各該第一部分，且鄰近該標(biāo)記，但不與該預(yù)切割區(qū)重疊。
[0032]于一實(shí)施例中，該絕緣層包含一柵極絕緣層或該柵極絕緣層與一蝕刻終止層的堆迭膜層。
[0033]本發(fā)明所公開的顯示面板母板包含:
[0034]如上任一所述的一種母板；
[0035]一對(duì)向基板；
[0036]一框膠，設(shè)置于各該顯示單元的該基板與該對(duì)向基板之間，其中，該框膠環(huán)繞各該顯示單元的該顯示區(qū)以構(gòu)成一空間，且該框膠位于該第一開口與各該顯示單元的該顯示區(qū)之間；以及
[0037]一顯示介質(zhì)層，形成于該空間內(nèi)。
[0038]于一實(shí)施例中，還包含至少一光間隙物設(shè)置于該對(duì)向基板與該基板之間，且對(duì)應(yīng)于該預(yù)切割區(qū)。
[0039]綜上所述，本發(fā)明所公開的像素陣列基板及其母板，由于介電常數(shù)較低的材料(例如絕緣層)的阻水能力有限，而介電常數(shù)較高的材料(第一保護(hù)層)適合用于隔絕外界環(huán)境水氣，并配合開口的相關(guān)設(shè)計(jì)，因此不易于加工的過程中及使用的過程中吸收水汽，從而提高了像素陣列基板及其母板的良率與壽命。
[0040]以上的關(guān)于本
【發(fā)明內(nèi)容】
的說明及以下的實(shí)施方式的說明是用以示范與解釋本發(fā)明的精神與原理，并且提供本發(fā)明的專利申請(qǐng)范圍更進(jìn)一步的解釋。
【附圖說明】
[0041]圖1是依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的像素陣列基板母板俯視圖。
[0042]圖2A是對(duì)應(yīng)于圖1中剖切線AA’的部分剖面示意圖。
[0043]圖2B是對(duì)應(yīng)于圖1中剖切線BB’與DD’的部分剖面示意圖。
[0044]圖2C是對(duì)應(yīng)于圖1中剖切線CC’的部分剖面示意圖。
[0045]圖3是依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的母板俯視圖。
[0046]圖4是依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例中圖1的剖切線CC’的部分剖面示意圖。
[0047]圖5A是依據(jù)本發(fā)明再一