曝光（例如紫外射線等）（曝光工藝），并且對光致抗蝕劑進行顯影。因此，只有 與掩模圖案對應的光致抗蝕劑層保留。在這種情況下，通過例如干蝕刻過程移除層的沒有 保留光致抗蝕劑的部分的材料，由此層的僅保留光致抗蝕劑的部分被保留。
[0072] 通過上述過程可以在相關(guān)層上形成與相關(guān)掩模的圖案對應的圖案。通過掩模沒有 紫外射線曝光的部分形成為圖案的類型為正型。相對地，曝光的部分（光穿透部分）形成 為圖案的類型為負型。
[0073] 在下文中，通過光刻工藝在預定層上形成圖案將被稱為"沉積、曝光（光）和蝕刻 的過程"。
[0074] 在步驟S405中被圖案化為柵極金屬圖案的示例可以包括TFT區(qū)中的柵電極515、 有源區(qū)中的柵極線（未示出）、非有源區(qū)中的柵極焊盤、公共電極線（Vcom線）等。然而，在 本說明書所限定的鈍化孔區(qū)中沒有形成在S405中被圖案化的柵極金屬圖案。
[0075] 柵極金屬圖案可以由選自具有低電阻的金屬中的一種或更多種材料例如銅（Cu)、 銅合金、鋁（Al)、鋁合金（AlNd)、鉬（Mo)以及鉬合金（MoTi)形成，但不限于此。
[0076] 在如上所述形成柵極金屬圖案之后，在柵極金屬圖案上形成GI 520。在步驟S410 中，GI 520可以由例如氮化硅（SiNx)、氧化硅（SiO2)等材料形成為幾千1的厚度，并且可 以通過經(jīng)由化學氣相沉積（CVD)法沉積正硅酸四乙酯（TEOS)或中溫氧化物（MTO)來形成。
[0077] 在步驟S415中，在GI 520上沉積半導體層。半導體層用于在源電極542和漏電 極544之間形成溝道，并且可以稱為有源層。半導體層可以由非晶硅（a-Si)和N +摻雜層 形成，或者可以由鉬鈦（MoTi)和N+摻雜層形成。
[0078] 在步驟S420中，在半導體層上沉積S/D金屬層，并且使用源極掩模通過光刻工藝 和濕蝕刻工藝來形成具有預定圖案的S/D金屬圖案。
[0079] 如圖5A至圖5E所示，S/D金屬圖案可以包括在有源區(qū)中的源電極542和漏電極 544,并且如圖5A的右部所示，在非有源區(qū)的鈍化孔區(qū)中S/D金屬圖案形成為S/D金屬圖案 540 〇
[0080] 與柵極金屬層的情況一樣，S/D金屬層可以由選自具有低電阻的金屬例如銅 (Cu)、銅合金、鋁（Al)、鋁合金（AlNd)、鉬（Mo)以及鉬合金（MoTi)中的一種或更多種材料 形成，但不限于此。
[0081] 如圖5A至圖5E所示，S/D金屬圖案可包括在有源區(qū)中的源電極542和漏電極544 以及在非有源區(qū)中的S/D金屬圖案540，并且，盡管未示出，S/D金屬圖案還可包括在有源區(qū) 中的數(shù)據(jù)線、在非有源區(qū)中的數(shù)據(jù)焊盤等。
[0082] 上述源極掩?？梢詾榘肷{(diào)掩?；蜓苌溲谀?。在使用半色調(diào)掩模的情況下，通過 使用一個掩模、光刻工藝和兩個蝕刻工藝，可以圖案化為S/D金屬圖案并且可以在S/D金屬 圖案下圖案化為半導體層圖案。
[0083] 具體地，在步驟S425中，通過S/D金屬層的上述沉積、曝光和濕蝕刻形成S/D金屬 圖案之后，可以通過再次干蝕刻半導體層來形成圖5A所示的半導體層圖案。
[0084] 通過圖案化為S/D金屬圖案的過程S420以及圖案化半導體層的過程，如圖5A的 右部所示，在非有源區(qū)的鈍化孔區(qū)中還形成各自具有預定圖案的半導體層圖案530和S/D 金屬圖案540。
[0085] 然而，根據(jù)情形，在非有源區(qū)的鈍化孔區(qū)中可以不形成半導體層圖案530。
[0086] 在步驟S430中，在基板的整個表面上沉積PASl，并且在步驟435中在PASl上沉積 PAC0
[0087] PASl 550可以由無機絕緣材料例如氮化硅（SiNx)形成為幾千蓋的厚度，并且根 據(jù)情形，PASl 550可以由包含硅（Si)、氧（0)和碳（C)的可溶材料或者例如硅化物、硅氧 烷、聚硅氧烷等材料形成。
[0088] PAC 560由具有光硬化特性的有機絕緣材料（例如光丙烯酸類物質(zhì)、苯并環(huán)丁烯 (BCB)等）形成在PASl 550上，并且可以具有約Ιμπι至2 μπι的厚度，但不限于此。
[0089] 通常，PAC比PASl厚，并且PASl的材料具有大電阻從而具有大的電容分量，例如 通過上金屬圖案和下金屬圖案形成的寄生電容等，而作為PAC的材料的光丙烯酸類物質(zhì)不 能使大寄生電容生成。
[0090] 具體地，使用PAC的原因是，有機絕緣材料例如光丙烯酸類物質(zhì)具有相對小的電 阻和相對大的介電常數(shù)，這使寄生電容的生成最小化從而在工藝方面是有利的，即使PAC 由有機絕緣材料形成為比無機鈍化層或無機絕緣膜（PAS)的厚度大的厚度也是如此。工藝 方面的優(yōu)點在于，有機絕緣材料具有光硬化特性從而可以直接使用有機絕緣膜作為有機鈍 化層，其中該有機絕緣膜在剛剛進行有機絕緣材料的曝光、顯影和蝕刻之后保留，無需沉積 單獨的光致抗蝕劑，而對于圖案化，只有在通過對保留的光致抗蝕劑等進行曝光、顯影、蝕 亥IJ、移除來完全移除沉積在無機鈍化層（PAS)上的光致抗蝕劑之后，無機鈍化層（PAS)才能 夠行進至下一步驟。
[0091] 然而，在PAC的情況下，PASl 550用于防止在如下情況中可發(fā)生的溝道的污染和 TFT的特性劣化：上述情況為金屬層（即，S/D金屬層）與位于PAC下方的半導體層之間的 粘合強度降低以及有機絕緣材料與半導體層材料接觸。
[0092] 在上述情況中，可以將PASl 550和PAC 560的雙層結(jié)構(gòu)作為一個元件定義成下鈍 化層。
[0093] 然而，如上所述，本發(fā)明的實施方案不限于下鈍化層包括PASl和PAC的實施方案， 而是還可以包括下鈍化層包括僅一個或更多個無機鈍化層的實施方案。
[0094] 同時，在步驟S435中，沉積PASl 550和PAC 560,并且使用PAC掩模等通過光刻工 藝進行曝光。
[0095] 由于作為PAC 560的材料的光丙烯酸類物質(zhì)具有光硬化特性，所以PAC 560的材 料的通過PAC掩模曝光的部分硬化，并且在步驟S440中，通過在該狀態(tài)下實施干蝕刻來對 PAC 560和位于PAC 560下面的PASl進行圖案化。
[0096] 已經(jīng)描述了沉積PASl和PAC并且然后通過使用一個掩模（即，PAC掩模）以及曝 光和蝕刻工藝對PASl和PAC同時進行圖案化。然而，不言而喻，根據(jù)情形，在對PASl和PAC 進行圖案化時，可以單獨實施掩模工藝以及曝光和蝕刻工藝。具體地，可以單獨實施通過沉 積PAS1、使用PAS掩模的光刻工藝和蝕刻而進行的圖案化PASl的過程以及通過沉積PAC、 使用PAC掩模的光刻工藝和蝕刻而進行的圖案化PAC的過程。
[0097] 如圖5B所示，在經(jīng)過圖案化PAC的過程之后，在有源區(qū)的TFT區(qū)中的漏電極部處 形成有用于漏極接觸孔的第一孔洞565,同時，在非有源區(qū)中形成根據(jù)本發(fā)明的實施方案的 用于鈍化孔的第二孔洞565'。
[0098] 在步驟S450中，在各第一孔洞565和各第二孔洞565 ^上沉積下透明電極層，然后 進行圖案化。
[0099] 可以將本發(fā)明的實施方案應用于在作為下基板的陣列基板上形成有透明像素電 極和透明公共電極的IPS型或FFS型的IXD裝置。FFS型顯示面板的示例包括在基板的最 上部在插入有一個層間絕緣層的情況下形成有透明像素電極的POT型顯示面板以及在基 板的最上部上形成有透明公共電壓電極（Vcom)的VOT型顯示面板。
[0100] 在圖5A至圖5E中，示出了 VOT型顯示面板的示例，但本發(fā)明的實施方案不限于 此。如圖7等所示，本發(fā)明的實施方案還可應用于POT型顯示面板等。
[0101] 因此，在圖5所示的實施方案中，在沉積并形成下透明電極（ITO)層之后，將下透 明電極（ITO)圖案化以在有源區(qū)中形成像素電極570'，并且在露出的S/D金屬圖案上形成 下透明電極圖案570以與非有源區(qū)的鈍化孔區(qū)中的露出的S/D金屬圖案接觸。
[0102] 更具體地，在通過上述的圖案化PASl和圖案化PAC的工藝來形成有源區(qū)中的漏極 接觸孔孔洞565以及鈍化孔孔洞565'的情況下，在基板的整個表面上沉積下透明電極材 料層。然后，在下透明電極材料層的整個表面上涂覆光致抗蝕劑，通過使用其中形成有預定 圖案的下透明電極掩模來使所涂覆的光致抗蝕劑曝光，并且實施濕蝕刻，由此形成下透明 電極圖案570、以及作為下透明電極圖案的像素電極圖案570'。具體地，在有源區(qū)中下透 明電極圖案形成為像素電極（PXL)圖案，并且在非有源區(qū)的鈍化孔區(qū)中下透明電極圖案形 成為作為覆蓋S/D金屬圖案的S/D蓋層的下透明電極圖案570 (步驟S450并且參照圖5C)。
[0103] 在本示例中，下透明電極材料可以為具有相對大的功函數(shù)值的透明導電材料，例 如銦錫氧化物（ITO)或銦鋅氧化物（IZO)，但不限于此。
[0104] 為了方便起見，在本說明書中，透明電極材料或透明電極層將代表性地描述為 ITOo
[0105] 如上所述，與圖2A至圖2D所示的情況不同，在VOT型顯示面板中中的有源區(qū)中圖 案化為像素電極層的下透明電極圖案時，在非有源區(qū)中的鈍化孔區(qū)中也形成下透明電極圖 案。
[0106] 在形成具有圖2A至圖2D所示的結(jié)構(gòu)的鈍化孔的過程中，用于圖案化像素電極層 的掩模在非有源區(qū)的鈍化孔區(qū)中不具有形成在上述掩模中的特定圖案，因而在鈍化孔區(qū)中 沒有形成下透明電極圖案。相對地，在圖5A至圖5E所示的實施方案中，在圖案化下透明電 極期間所使用的下透明電極掩?；蛳袼仉姌O掩模具有與甚至在非有源區(qū)的鈍化孔區(qū)中的 鈍化孔對應的預定圖案，因而使得圖案化能夠?qū)嵤┮栽谏踔练怯性磪^(qū)的鈍化孔區(qū)中形成作 為覆蓋露出的S/D金屬圖案540的蓋層的下透明電極圖案570。
[0107] 在鈍化孔區(qū)中如上形成的下透明電極圖案570用作位于下透明電極圖案下面的 S/D金屬圖案540與位于S/D金屬圖案540上的上鈍化層（PAS2)之間的接合層。因此，可 以解決圖2A至圖2D中的由于S/D金屬圖案與位于S/D金屬圖案上方的上鈍化層的粘合強 度不足而引起的問題。
[0108] 在圖案化像素電極圖案57(V和下透明電極圖案570的過程之后，在基板的整個 表面上對作為上鈍化層的PAS2 580進行圖案化（步驟455并且參照圖f5D)。換言之，沉積 由無機絕緣材料（例如氮化硅（SiNx))形成的層并且使用鈍化層掩模通過光刻工藝和干蝕 刻工藝來形成具有預定圖案的PAS2圖案。
[0109] 在步驟S460中，在PAS2上形成作為上透明電極層的公共電極圖案。具體地，在基 板的整個表面上沉積由透明導電材料（例如銦