與具有不 位于第一通孔104之上的電容器114相比較低的功耗。例如，通過(guò)使用電容器114而沒(méi)有 添加來(lái)自將第一通孔104連接至電容器114的金屬線的電阻，第一電路可以具有較低電阻。 降低的電阻可以導(dǎo)致使用第一電路期間的較低功耗。此外，第一電路的品質(zhì)因數(shù)（Q因數(shù)） 可以高于常規(guī)電路。較高的品質(zhì)因數(shù)指示相對(duì)于所存儲(chǔ)的第一電路能量的較低的能量損耗 率。另外，通過(guò)包括在第一通孔104之上而非其旁邊（或偏離其）的電容器114,第一電路 可以具有較小的尺寸。
[0038] 注意，在本公開(kāi)的特定實(shí)施例中，薄膜沉積工藝（諸如化學(xué)氣相沉積（CVD)、物理 氣相沉積（PVD)(例如，旋涂或蒸鍍）、和/或電鍍）可被用來(lái)形成金屬層和金屬間介電層。 光刻可被用來(lái)形成金屬層的圖案。蝕刻工藝可被執(zhí)行以移除不想要的材料。平坦化工藝 (諸如"回蝕"和化學(xué)機(jī)械拋光（CMP))可被用來(lái)創(chuàng)建平坦表面。
[0039] 還注意到，為了便于解說(shuō)和清楚，僅有限數(shù)量的連接器、電感器、層和其他結(jié)構(gòu)或 器件被顯示在本公開(kāi)的附圖中。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將領(lǐng)會(huì)，在實(shí)踐中，器件1〇〇可主存大 量連接器、電感器、層、和其他結(jié)構(gòu)或器件。
[0040] 參照?qǐng)D2,公開(kāi)了包括在通孔與電容器的極板之間具有電介質(zhì)的電容器的電路的 另一特定解說(shuō)性實(shí)施例。圖2示出了包括第二電路的器件200的一部分的橫截面視圖。
[0041] 器件200包括基板102和第一通孔104。器件200還可包括電容器114。電容器 114包括在第一通孔104與電容器114的第二極板108之間的電介質(zhì)106。如圖2中所解 說(shuō)的，第一通孔104的面對(duì)電介質(zhì)106的表面可以大于第二極板108的表面。例如，第一通 孔104的頂表面可以大于第二極板108的底表面。在另一特定實(shí)施例中，第一通孔104的 表面可以與電容器114的第二極板108的表面大小相同。例如，第一通孔104的頂表面可 以與第二極板108的底表面大小相同。在另一特定實(shí)施例中，第一通孔104的表面可以小 于電容器114的第二極板108的表面。例如，第一通孔104的頂表面可以小于第二極板108 的底表面。
[0042] 第一通孔104的面對(duì)電介質(zhì)106的大于第二極板108的表面對(duì)應(yīng)于使用較大的第 一通孔104。使用較大的第一通孔104減少了第二電路的電阻。結(jié)果，第二電路的品質(zhì)因數(shù) 增加。較高的品質(zhì)因數(shù)指示相對(duì)于所存儲(chǔ)的第二電路能量的較低的能量損耗率。
[0043] 參照?qǐng)D3,公開(kāi)了包括在通孔與電容器的極板之間具有電介質(zhì)的電容器的電路的 另一特定解說(shuō)性實(shí)施例。圖3示出了包括第三電路的器件300的一部分的橫截面視圖。
[0044] 器件300包括基板102和第一通孔104。器件300還可包括電容器114。電容器 114包括在第一通孔104與電容器114的第二極板108之間的電介質(zhì)106。與圖1中可以是 完全金屬填充的第一通孔104相比，圖3中的第一通孔104可包括具有聚合物核302的金 屬結(jié)構(gòu)304。該金屬結(jié)構(gòu)可包括銅（Cu)、鎢（W)、銀（Ag)或金（Au)中的至少一者。聚合物 核可包括聚酰亞胺（PI)、苯并環(huán)丁烯（BCB)、丙烯酸、聚苯并惡唑（PB0)、或光致抗蝕劑（例 如，TMMR?、SU-8、或其他類(lèi)型的光致抗蝕劑）中的至少一者。具有聚合物核302可以使 第一通孔104能向電容器114提供結(jié)構(gòu)性支承，并且與完全用金屬來(lái)填充第一通孔104相 比可以與TGV制造技術(shù)更為兼容。另外，具有聚合物核302可以減少第一通孔104的材料 成本，例如，聚合物材料可能比金屬成本更少。
[0045] 參照?qǐng)D4,公開(kāi)了包括在通孔與電容器的極板之間具有電介質(zhì)的電容器的電路的 另一特定解說(shuō)性實(shí)施例。圖4示出了包括第四電路的器件400的一部分的橫截面視圖。
[0046] 器件400包括基板102和第一通孔104。器件400還可包括電容器414。電容器 414包括在第一通孔104與電容器414的第二極板108之間的電介質(zhì)106。
[0047] 如圖4中所解說(shuō)的，第一通孔104形成電容器414的極板并且可以用作電容器414 的底極板。器件400可包括第一通孔104與電介質(zhì)106之間的第二電介質(zhì)402。
[0048] 與圖2的具有使第一極板120用作底極板的電容器114的第二電路相比，使第一 通孔104用作電容器414的底極板可以減少第四電路的電阻。結(jié)果，第四電路的品質(zhì)因數(shù) 可以改善，從而指示相對(duì)于所存儲(chǔ)的第四電路能量的較低的能量損耗率。另外，與形成可包 括第一極板120 (例如，第一金屬層）的器件200相比，形成器件400可涉及較少的光刻級(jí)， 其中第一通孔104用作電容器414的底極板。與器件200相比，使第一通孔104用作電容 器414的底極板還可以減少器件400的高度。
[0049] 參照?qǐng)D5,公開(kāi)了包括在通孔與電容器的極板之間具有電介質(zhì)的電容器的電路的 另一特定解說(shuō)性實(shí)施例。圖5示出了包括第五電路的晶片的一部分的橫截面視圖。
[0050] 器件500包括基板102和第一通孔104。器件500還可包括電容器514。
[0051] 與圖4中包括兩個(gè)電介質(zhì)層（S卩，電介質(zhì)106和第二電介質(zhì)402)的電容器414相 比，圖5中的電容器514包括第一通孔104與電容器514的第二極板108之間的單個(gè)電介 質(zhì)層（即，第二電介質(zhì)402)。第二電介質(zhì)402可包括二氧化硅（Si02)、氮化硅（Si3N4)、氮氧 化硅（SiOxNy)、五氧化二鉭（Ta205)、氧化鋁（A1203)或氮化鋁（A1N)中的至少一者。
[0052] 與圖4的具有多個(gè)電介質(zhì)層（S卩，電介質(zhì)106和第二電介質(zhì)402)的器件400相 比，在第一通孔104與電容器514的第二極板108之間具有單個(gè)電介質(zhì)層（S卩，第二電介質(zhì) 402)可以減少形成器件500的光刻級(jí)的數(shù)目。結(jié)果，制造器件500的復(fù)雜性和成本可以低 于制造器件400。
[0053] 參照?qǐng)D6,公開(kāi)了包括在通孔與電容器的極板之間具有電介質(zhì)的電容器的電路的 另一特定解說(shuō)性實(shí)施例。圖6示出了包括第六電路的器件600的一部分的橫截面視圖。
[0054] 器件600包括基板102和第一通孔104。器件600還可包括電容器614。電容器 614包括在第一通孔104與電容器614的第二極板108之間的第二電介質(zhì)402。
[0055] 如圖6中所解說(shuō)的，第一通孔104可以部分地穿過(guò)基板102延伸并且第二通孔130 可以部分地穿過(guò)基板102延伸。例如，第一通孔104和第二通孔130可以是在基板102內(nèi) 耦合并且不從基板102的一側(cè)延伸至基板102的另一側(cè)的盲通孔。第一通孔104和第二通 孔130可以在基板102內(nèi)結(jié)合。
[0056] 使第一通孔104和第二通孔130在基板102內(nèi)親合可以減少第六電路的電阻，諸 如當(dāng)?shù)谝煌?04與第二通孔130之間的電阻小于圖5的將第一通孔104與第二通孔130 耦合的第一傳導(dǎo)結(jié)構(gòu)140的電阻時(shí)。結(jié)果，第六電路的品質(zhì)因數(shù)可以改善，從而指示相對(duì)于 第六電路所存儲(chǔ)的能量的較低的能量損耗率。
[0057] 參照?qǐng)D7,描繪了形成包括在通孔與電容器的極板之間具有電介質(zhì)的電容器的電 路的方法的特定解說(shuō)性實(shí)施例的流程圖，并且一般指定為700。
[0058] 方法700包括在702形成至少部分地穿過(guò)器件的基板延伸的通孔。例如，如參照 圖1-6所描述的，第一通孔104可以至少部分地穿過(guò)基板102延伸。在具體實(shí)施例中，形 成第一通孔104可包括對(duì)基板102執(zhí)行各向異性蝕刻過(guò)程。在一特定實(shí)施例中，第一通孔 104可以使用傾斜通孔形成過(guò)程（諸如圖6的第一通孔104)來(lái)形成。在一特定實(shí)施例中， 第一通孔104可以用金屬來(lái)填充，諸如圖1-2和4-6的第一通孔104。在另一特定實(shí)施例 中，第一通孔104可以用金屬和聚合物來(lái)填充，諸如圖3的第一通孔104。第一通孔104可 以使用薄膜沉積工藝（諸如，電鍍、物理氣相沉積（PVD)(例如濺射或蒸發(fā)）或化學(xué)氣相沉 積（CVD))來(lái)填充。導(dǎo)電糊劑（例如，包括銅（Cu)、鎢（W)、銀（Ag)或金（Au)的糊劑）可被 用于填充第一通孔104。平坦化過(guò)程可被用于移除不希望的或過(guò)量的材料并且創(chuàng)建用于后 續(xù)處理的平坦表面。在一特定實(shí)施例中，平坦化工藝可包括化學(xué)機(jī)械拋光（CMP)。在另一特 定實(shí)施例中，平坦化工藝可包括回蝕（etch-back)平坦化工藝。
[0059] 方法700還包括在704形成包括在通孔與電容器的極板之間的電介質(zhì)的電容器。 電容器的極板在該基板以外并且在該器件內(nèi)。例如，電容器可對(duì)應(yīng)于圖1-3的電容器114、 圖4的電容器414、圖5的電容器514、或圖6的電容器614。電容器可包括圖1-4的電介 質(zhì)106、圖4的第二電介質(zhì)402、或這兩者。第二極板108在基板102以外并且在該器件內(nèi)。 例如，第二極板108在圖1的器件100、圖2的器件200、圖3的器件300、圖4的器件400、 圖5的器件500、或圖6的器件600內(nèi)。
[0060] 圖7的方法可由現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列（FPGA)設(shè)備、專(zhuān)用集成電路（ASIC)、處理單元 (諸如中央處理器單元（CPU))、數(shù)字信號(hào)處理器（DSP)、控制器、另一硬件設(shè)備、固件設(shè)備、 或其任何組合來(lái)實(shí)現(xiàn)。作為示例，圖7的方法700可由執(zhí)行指令的處理器來(lái)執(zhí)行，如關(guān)于圖 8所描述的。作為另一示例，圖7的方法700可由制造裝備來(lái)執(zhí)行，諸如執(zhí)行存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器 (例如非瞬態(tài)計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)）處的指令的處理器，如參考圖9進(jìn)一步描述的。
[0061] 參照?qǐng)D8,描繪了無(wú)線通信設(shè)備的特定解說(shuō)性實(shí)施例的框圖并將其一般地標(biāo)示為 800。設(shè)備800包括處理器810 (諸如數(shù)字信號(hào)處理器（DSP))，其耦合于存儲(chǔ)器832 (例如， 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM)、閃存、只讀存儲(chǔ)器（R0M)、可編程只讀存儲(chǔ)器（PR0M)、可擦式可編程 只讀存儲(chǔ)器（EPROM)、電可擦式可編程只讀存儲(chǔ)器（EEPR0