mm(kV/mm)以上。更優(yōu)選使用于接合部61的粘接劑的絕緣破壞強度為2kV/mm以上。還優(yōu)選使用于接合部61的粘接劑的絕緣破壞強度為5kV/mm以上。使用于接合部61的粘接劑的絕緣破壞強度為例如50kV/mm以下。使用于接合部61的粘接劑的耐熱溫度為60°C以上。
由此，即使在高溫流程中使用靜電吸盤110，也能夠使用在保持良好的熱傳遞的同時可保持絕緣的粘接劑。另外，可具有能夠緩解陶瓷電介體基板11的熱膨脹與基座板50的熱膨脹之差的彈性。其結(jié)果，靜電吸盤110的壽命變長。
[0083]如圖2(a)所示，在區(qū)域Al中的端面64與穿通孔15的中心Cl之間的距離d大于第I主面Ila側(cè)的開口部15e的半徑((D4)/2)。由此，不管粘接劑的耐久性如何，都能夠降低接合層60所受的損傷。假設，即使接合層60受損傷，也能夠降低顆粒飛散。
[0084]如圖2(a)及圖2(b)所示，端部63以面63b與陶瓷電介體基板11的第2主面Ilb接觸，而不是以點接觸，以面63c與基座板50的表面57接觸，而不是以點接觸。在圖2(a)所示的模式剖視圖中，端部63與陶瓷電介體基板11的第2主面Ilb接觸的部分的長度(面63b的X方向的長度)D5大于接合層60的厚度tl。在圖2(a)所示的模式剖視圖中，端部63與基座板50的表面57接觸的部分的長度(面63c的X方向的長度)D6大于接合層60的厚度tl。長度D5及長度D6分別為例如約500 μm以上左右。
[0085]由此，由于端部63以面與第2主面Ilb及表面57接觸，而不是以點接觸，因此能夠抑制在接合層60中產(chǎn)生空間。S卩，端部63的外周部即在從端部63觀察時的空間65的相反側(cè)的外周部被樹脂材料所填充。
[0086]如上所述，端部63在相互接合陶瓷電介體基板11與基座板50的工序中在Z方向上被壓扁。端部63被陶瓷電介體基板11所壓扁的面63b與陶瓷電介體基板11的粘接面(第2主面Ilb)位于同一平面上。端部63被基座板50所壓扁的面63c與基座板50的粘接面(表面57)位于同一平面上。
[0087]圖5是表示本實施方式的其他的接合層附近的模式放大圖。
圖5是相當于圖1所示的A部分的部分的模式放大圖。
[0088]圖5所示的接合層60a具有接合部61、端部63a。端部63a例如具有環(huán)狀的形狀?？臻g65側(cè)的接合層60的端面64與陶瓷電介體基板11的第2主面Ilb相交或者接觸。端面64與第2主面Ilb相交的區(qū)域A3 (第I區(qū)域)，與不同于區(qū)域A3的端面64的其他區(qū)域(第2區(qū)域)相比，從穿通孔15的開口部15d遠離或者后退。
[0089]在圖5所示的接合層60a中，相互彼此相對的端部63a(或者端面64)之間的距離D3當從第2主面Ilb在法線方向上遠離時變短。即，端面64具有當從第2主面Ilb在法線方向上遠離時相互彼此相對的端部63a(或者端面64)之間的距離D3變短的傾斜。而且，關于其他的構(gòu)造或各構(gòu)件的材料，如同關于圖1?圖3進行前述的內(nèi)容。
[0090]根據(jù)圖5所示的例子，不管粘接劑的耐久性如何，都能夠降低接合層60所受的損傷。假設，即使接合層60受損傷，也能夠降低顆粒飛散。
[0091]圖6是表示本實施方式的另外其他的接合層附近的模式放大圖。
本實施方式所涉及的靜電吸盤110也可以具備絕緣體塞子70。
[0092]絕緣體塞子70也可以設置于氣體導入路53，氣體導入路53設置于基座板50。絕緣體塞子70嵌入于氣體導入路53的陶瓷電介體基板11側(cè)。如圖6所示，例如在氣體導入路53的陶瓷電介體基板11側(cè)設置有锪孔部53a。以筒狀設置锪孔部53a。也可以通過適當?shù)卦O計锪孔部53a的內(nèi)徑來將絕緣體塞子70嵌合于锪孔部53a。
[0093]絕緣體塞子70具有陶瓷多孔體71。陶瓷多孔體71以筒狀(例如圓筒形)設置，嵌合于锪孔部53a。雖然優(yōu)選絕緣體塞子70的形狀為圓筒形，但是并不限定于圓筒形。陶瓷多孔體71使用具有絕緣性的材料。作為陶瓷多孔體71的材料，例如可以是A1203、Y2O3,Zr02、Mg0、SiC、AlN、Si3N4，或者也可以是S12等的玻璃?；蛘撸沾啥嗫左w71的材料也可以是 Al203-Ti02、
Al2O3-MgO, Al2O3-S12' Al6Ol3Si2' YAG、ZrS14等。
[0094]陶瓷多孔體71的氣孔率為例如30%以上、60%以下。陶瓷多孔體71的密度為例如1.5克/立方厘米(g/cm3)以上、3.0g/cm3以下。由于這樣的氣孔率，所以從氣體導入路53流過來的He等傳遞氣體通過陶瓷多孔體71的多個氣孔而從設置于陶瓷電介體基板11的穿通孔15送入槽14內(nèi)。
[0095]如圖6所示，在區(qū)域Al中端面64與穿通孔15的中心Cl之間的距離d及陶瓷多孔體71的半徑R使以下式成立。
d > R...式(2)
而且，關于其他的構(gòu)造或各構(gòu)件的材料，如同關于圖1?圖3進行前述的內(nèi)容。
[0096]由此，像圖6所示的箭頭A21、箭頭A22、箭頭A23、箭頭A24那樣，能夠在空間65內(nèi)形成使顆粒容易堆積在形成于區(qū)域Al的凹部的傳遞氣體的對流。即，能夠在空間65內(nèi)控制有選擇地使顆粒堆積在形成于區(qū)域Al的凹部的傳遞氣體的對流。因而，假設，即使在產(chǎn)生顆粒時也能夠降低顆粒飛散。另外，由于設置有陶瓷多孔體71，因此在穿通孔15及氣體導入路53中能夠具有較高的耐電壓性。
[0097]圖7是表示本實施方式的另外其他的接合層附近的模式放大圖。
與關于圖6進行前述的靜電吸盤110同樣，圖7所示的靜電吸盤110具備絕緣體塞子70。絕緣體塞子70設置于穿通孔15，穿通孔15設置于陶瓷電介體基板11。絕緣體塞子70嵌入于穿通孔15的基座板50側(cè)。如圖7所示，例如穿通孔15在基座板50側(cè)具有锪孔部15fo锪孔部15f形成穿通孔15的開口部15d。锪孔部15f以筒狀設置。也可以通過適當?shù)卦O計锪孔部15f的內(nèi)徑來將絕緣體塞子70嵌合于锪孔部15f。
[0098]絕緣體塞子70如同關于圖6進行前述的內(nèi)容。即，絕緣體塞子70具有陶瓷多孔體71。氦等傳遞氣體通過氣體導入路53及空間65并介由絕緣體塞子70而通過穿通孔15，而流入設置在對象物W與槽14之間的空間。這樣，在本說明書中稱為“穿通孔”的范圍包含例如像多孔體等這樣的在途中具有氣體流動的路徑且使任意的氣體或流體穿通的孔。
[0099]圖8是表示本實施方式的另外其他的接合層附近的模式放大圖。
與關于圖7進行前述的靜電吸盤110相比，圖8所示的靜電吸盤110還具備加熱器91。加熱器91設置在基座板50與陶瓷電介體基板11之間。由于供給電壓且電流流動，因此加熱器91能夠發(fā)熱而提高或者保持對象物W的溫度。
[0100]加熱器91介由接合層60固定于陶瓷電介體基板11的第2主面lib。另外，加熱器91介由接合層60固定于基座板50的表面57。S卩，接合層60設置在加熱器91與陶瓷電介體基板11之間以及加熱器91與基座板50之間。設置在陶瓷電介體基板11與加熱器91之間的接合層60具有端部63。端部63如同關于圖1?圖4(b)進行前述的內(nèi)容。設置在基座板50與加熱器91之間的接合層60既可以具有端部63也可以不具有端部63。
[0101]如圖8所示，離開氣體導入路53而設置有加熱器91。離開氣體導入路53而設置有設置在基座板50與加熱器91之間的接合層60。在從加熱器91的端部觀察時，設置在陶瓷電介體基板11與加熱器91之間的接合層60的端部63設置于氣體導入路53的相反側(cè)。即，接合層60與氣體導入路53的中心C2之間的最短距離D8大于加熱器91與氣體導入路53的中心C2之間的最短距離D7，接合層60設置在陶瓷電介體基板11與加熱器91之間。如關于圖2(a)進行前述的那樣，具有水平方向長于縱向的截面形狀的空間65連接于具有縱向長于水平方向的截面形狀的穿通孔15。
[0102]圖9是表示本實施方式的另外其他的接合層附近的模式放大圖。
與關于圖8進行前述的靜電吸盤110同樣，圖9所示的靜電吸盤110具備加熱器91。設置在陶瓷電介體基板11與加熱器91之間的接合層60具有端部63。端部63如同關于圖1?圖4(b)進行前述的內(nèi)容。設置在基座板50與加熱器91之間的接合層60既可以具有端部63也可以不具有端部63。
[0103]如圖9所示，加熱器91的端部與氣體導入路53的內(nèi)面大致設置在同一面上。設置在基座板50與加熱器91之間的接合層60的端部與氣體導入路53的內(nèi)面大致設置在同
—面上。
[0104]根據(jù)圖7?圖9所示的靜電吸盤110，不管粘接劑的耐久性如何，都能夠降低接合層60所受的損傷。假設，即使接合層60受損傷，也能夠降低顆粒飛散。另外，由于設置有陶瓷多孔體71，因此在穿通孔15及氣體導入路53中能夠具有較高的耐電壓性。
[0105]圖10是表示本實施方式的另外其他的接合層附近的模式放大圖。
圖11是表示本實施方式的另外其他的接合層附近的模式放大圖。
在圖10及圖11所示的靜電吸盤110中，作