1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB),9, 10- 二 - β -亞萘基蒽(ADN)、4，4’ -雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’-聯(lián)苯(BCzVBi)或8-羥基喹啉鋁(Alq3),發(fā)光層35的厚度可以為5nm?40nm。在一個較優(yōu)的實施例中，發(fā)光層35的材料為Alq3，發(fā)光層35的厚度為29nm。
[0053]在一個實施例中，電子阻擋層30的材料為質(zhì)量比為0.05?0.2:1的鋅化合物和銫鹽之一與空穴傳輸材料的混合物?？昭▊鬏敳牧蠟?，1- 二 [^[Ν,Ν' - 二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’ - (1-萘基)4，^ -二苯基-4，4’_聯(lián)苯二胺?？昭ㄗ钃鯇?0的材料為錸化合物，錸化合物為七氧化二錸、二氧化錸、三氧化二錸或三氧化錸。電子阻擋層30的厚度為1nm?50nm?？昭ㄗ钃鯇?0的厚度為Inm?15nm。電子阻擋層30中，鋅化合物能帶較寬，其功函數(shù)較高，可有效阻擋電子穿越到空穴一邊而造成激子復(fù)合界面的改變，而空穴傳輸材料可提高空穴的傳輸，提高了電子阻擋層30的空穴傳輸速率?？昭ㄗ钃鯇?0中，錸化合物的HOMO能級較低，可阻擋空穴穿越到陰極一端與電子發(fā)生復(fù)合而發(fā)生淬滅，同時，錸化合物熔點較低，因此極易蒸鍍，成膜性較好，可減少載流子陷阱的存在，提高激子的復(fù)合幾率，有利于提高發(fā)光效率。
[0054]在一個實施例中，電子阻擋層30的材料為質(zhì)量比為0.05?0.2:1的鋅化合物和銫鹽之一與空穴傳輸材料的混合物。空穴傳輸材料為1，1- 二 [^[Ν,Ν' - 二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’ - (1-萘基)4，^ -二苯基_4，4’ -聯(lián)苯二胺?？昭ㄗ钃鯇?0的材料為質(zhì)量比為5?10:1的空穴摻雜客體材料與磷光材料的混合物?？昭〒诫s客體材料為2，3，5，6-四氟-7，7，8，8，-四氰基-對苯二醌二甲烷(F4-TCNQ)、4，4，4-三(萘基-1-苯基-銨)三苯胺(IT-NATA)或二萘基-N，N' -二苯基_4，4'-聯(lián)苯二胺(2T-NATA)。磷光材料為雙(4，6- 二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)、二(2-甲基-二苯基喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir (MDQ) 2 (acac))、三(1-苯基-異喹啉)合銥(Ir (piq)3)或三(2-苯基批唳)合銥(Ir (ppy) 3)。電子阻擋層30的厚度為2nm?20nm?？昭ㄗ钃鯇?0的厚度為5nm?20nm。電子阻擋層30中，銫鹽功函數(shù)較高，與發(fā)光層35及空穴傳輸層25的LUMO能級之間形成的勢壘較高，可有效阻擋電子穿越到空穴一邊而造成激子復(fù)合界面的改變，且銫鹽蒸發(fā)溫度較低，可降低加工難度，而摻雜了空穴傳輸材料后，可有效提聞空穴的傳輸，從而提聞激子復(fù)合幾率，而在發(fā)光層的上方，制備空穴阻擋層，由空穴摻雜客體材料與磷光材料組成。空穴阻擋層40中，空穴摻雜客體材料的HOMO能級很低(約-7.5eV)，與一般的有機材料的HOMO能級(一般為_6.0eV)形成了較大的空穴注入能量勢壘，可阻擋空穴穿越到陰極一端與電子發(fā)生復(fù)合而發(fā)生淬滅，磷光材料摻雜后，使空穴阻擋層40與發(fā)光層35的能級降到了最低(發(fā)光材料的能級差別不大)，這可使激子的復(fù)合區(qū)域控制在發(fā)光層與摻雜層的邊緣，使光色穩(wěn)定，提高色純度，提高發(fā)光效率。
[0055]在一個實施例中，電子阻擋層30的材料為質(zhì)量比為1:5?15的噻吩小分子和空穴傳輸材料的混合物。本實施例中，空穴傳輸材料的LUMO能級小于-2.0eV，可以為N，N，N’，N’ -(四甲氧基苯基)-對二氨基聯(lián)苯(MeO-TPD, LUMO能級為-1.9eV)，4，4’，4’ ’ -三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA，LUMO能級為-1.9eV)或1- 二 [4-[N，K - 二(ρ-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC，LUMO能級為-1.9eV)?？昭ㄗ钃鯇?0的材料為質(zhì)量比為5?10:1的空穴摻雜客體材料與磷光材料的混合物?？昭〒诫s客體材料為2，3，5,6-四氟-7，7，8，8，_四氰基-對苯二醌二甲烷(F4-TCNQ)、4，4，4-三(萘基-1-苯基-銨)三苯胺(IT-NATA)或二萘基-N，N' - 二苯基-4，4'-聯(lián)苯二胺(2T-NATA)。磷光材料為雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)、二(2-甲基-二苯基喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir (MDQ)2 (acac))、三(1-苯基-異喹啉)合銥(Ir (piq) 3)或三(2_苯基吡唆)合銥(IHppy)3)。電子阻擋層30的厚度為5nm?20nm。空穴阻擋層40的厚度為5nm?15nm。電子阻擋層30中，空穴傳輸材料的LUMO能級小于-2.0eV,而一般的發(fā)光材料的LUMO能級為-2.3eV，選用小于-2.0eV的空穴傳輸材料，可有效提高發(fā)光層35與電子阻擋層30的電子注入勢壘，從而有效阻擋電子的穿越，而噻吩小分子性質(zhì)穩(wěn)定，鏈段規(guī)整，可提高空穴的傳輸速率?？昭ㄗ钃鯇?0中，酞菁類金屬化合物屬于結(jié)晶性化合物，結(jié)晶后鏈段可對光產(chǎn)生散射，經(jīng)過散射出射的光，可提高光的均勻性，磷光材料摻雜后，可使空穴阻擋層40具備發(fā)光性能，磷光材料的發(fā)光性能較好，光色穩(wěn)定，有利于提高發(fā)光效率。
[0056]在一個實施例中，電子阻擋層30的材料為質(zhì)量比為I?3:1的有機硅小分子與空穴傳輸材料的混合物。空穴傳輸材料為1，1- 二 [4-[N，N, - 二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’ - (1-萘基)州4’-二苯基-4，4’-聯(lián)苯二胺。空穴阻擋層40的材料為質(zhì)量比為3?5:1的酞菁類金屬化合物與鈹配合物的混合物。酞菁類金屬化合物為酞菁銅(CuPc)、酞菁鋅(ZnPc)、酞菁鎂(MgPc)或酞菁釩(VPc)。鈹配合物為吩基吡啶鈹?印巧)、10-羥基苯并喹啉鈹(BeBq2)、8-羥基喹啉鈹(BeqQ2)或2-甲基-8-羥基喹啉鈹(BeMQ2X電子阻擋層30的厚度為1nm?40nm?？昭ㄗ钃鯇?0的厚度為1nm?50nm。電子阻擋層30中，有機娃小分子能級較寬,LUMO能級較高,可有效阻擋電子穿越到空穴一邊而造成激子復(fù)合界面的改變，空穴傳輸材料提高空穴的傳輸速率?？昭ㄗ钃鯇?0中，酞菁類金屬化合物易結(jié)晶，結(jié)晶后鏈段可對光產(chǎn)生散射，提高出光效率；鈹配合物的電子傳輸速率較高，可提高電子傳輸性能，鈹配合物的HOMO能級較低，使得空穴阻擋層40與發(fā)光層35的HOMO能級形成較大的空穴勢壘，阻擋空穴的穿越，限制了空穴與電子的發(fā)光層復(fù)合發(fā)光，提高發(fā)光效率。
[0057]特別需要指出的是，當空穴阻擋層40中含有磷光材料時，磷光材料的選擇與發(fā)光層35選擇的發(fā)光材料的相匹配,即:發(fā)光層35選擇藍光發(fā)光材料時,磷光材料對應(yīng)選擇藍光磷光材料；發(fā)光層35選擇綠光發(fā)光材料時,磷光材料對應(yīng)選擇綠光磷光材料。
[0058]電子傳輸層45的材料可以為電子傳輸材料。電子傳輸層45的厚度可以為40nm?250nm。電子傳輸層材料可以為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物(TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBi)。在一個較優(yōu)的實施例中，電子傳輸層45的材料為TPBi，電子傳輸層45的厚度為125nm。
[0059]電子注入層50的材料為氟化鋰(LiF)、氟化銫(CsF)、碳酸銫(Cs2CO3)或疊氮銫(CsN3)0電子注入層50的厚度為0.5nm?10nm。在一個較優(yōu)的實施例中，電子注入層50的材料為Cs2CO3,電子注入層50的厚度為2nm。
[0060]陰極55的材料為Ag、Al、Pt或Au,陰極55的厚度為80nm?250nm。在一個較優(yōu)的實施例中，陰極55的材料為Ag，陰極55的厚度為llOnm。
[0061]這種有機電致發(fā)光器件的電子阻擋層30由小分子化合物與空穴傳輸材料組成，空穴傳輸材料可提高空穴的傳輸，提高了電子阻擋層的空穴傳輸速率；小分子化合物為鋅化合物、銫鹽、噻吩小分子或有機硅小分子；鋅化合物能帶較寬，功函數(shù)較高，可有效阻擋電子穿越到空穴一邊而造成激子復(fù)合界面的改變；銫鹽功函數(shù)較高，與發(fā)光層及空穴傳輸層的LUMO能級之間形成的勢壘較高，可有效阻擋電子穿越到空穴一邊而造成激子復(fù)合界面的改變，且銫鹽蒸發(fā)溫度較低，可降低加工難度，而摻雜了空穴傳輸材料后，可有效提高空穴的傳輸，從而提高激子復(fù)合幾率；噻吩小分子性質(zhì)穩(wěn)定，鏈段規(guī)整，可提高空穴的傳輸速率；有機硅小分子能級較寬，LUMO能級較高，可有效阻擋電子穿越到空穴一邊而造成激子復(fù)合界面的改變；從而有利于提高發(fā)光效率。
[0062]相對于傳統(tǒng)的有機電致發(fā)光器件，這種有機電致發(fā)光器件發(fā)光效率較高。
[0063]如圖2所示的上述有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括如下步驟:
[0064]S10、對基底10進行表面預(yù)處理。
[0065]基底10為玻璃。一般而言，普通玻璃即可。在特殊的應(yīng)用領(lǐng)域，也可以選用特殊工藝加工制作的特種玻璃。
[0066]表面預(yù)處理的過程具體為:將基底10用蒸餾水和乙醇依次沖洗干凈后，置于異丙醇中浸泡過夜。
[0067]S20、在基底10上磁控濺射制備陽極15。
[0068]陽極15可以為銦錫氧化物薄膜(IT0)、摻鋁的氧化鋅薄膜(AZO)或摻銦的氧化鋅薄膜(IZ0)，陽極15的厚度為50nm?300nm。在一個較優(yōu)的實施例中，陽極15為銦錫氧化物薄膜(IT0)，陽極15的厚度為IlOnm0
[0069]磁控濺射的加速電壓為300V?800V，磁場為50G?200G，功率密度為lW/cm2?40W/cm2。
[0070]S30、在陽極15上依次蒸鍍形成空穴注入層20、空穴傳輸層25、電子阻擋層30、發(fā)光層35、空穴阻擋層40、電子傳輸層45和電子注入層50。
[0071]蒸鍍過程中，工作壓強為2X10_3?5X10_5Pa，有機材料的蒸鍍速率為0.1?lnm/s,金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為I?10nm/s。
[0072]空穴注入層20的材料可以為三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(WO3)或五氧化二釩(V2O5)0空穴注入層20的厚度可以為20nm?80nm。在一個較優(yōu)的實施例中，空穴注入層20的材料為三氧化鑰(MoO3),空穴注入層20的厚度為34nm。
[0073]空穴傳輸層25的材料可以為1，1- 二 [4-[N，N' -二(ρ-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4’，4’’_ 三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或 N，N’ - (1-萘基)-N，N’- 二苯基_4，4’-聯(lián)苯二胺(NPB)，空穴傳輸層25的厚度可以為20nm?60nm。在一個較優(yōu)的實施例中，空穴傳輸層25的材料為NPB，空穴傳輸層25的材料為57nm。
[0074]電子阻擋層30的材料為小分子化合物和空穴傳輸材料的混合物。
[0075]小分子化合物可以為鋅化合物、銫鹽、噻吩小分子或有機硅小分子。
[0076]鋅化合物為市售的氧化鋅(ZnO)、氯化鋅(ZnCl2)或硫化鋅(ZnS)。
[0077]銫鹽為氟化銫(CsF)、碳酸銫(Cs2CO3 )、氯化銫(CsCl)或疊氮銫(CsN3)。
[0078]噻吩類化合物為3-己基噻吩(3HT)、3_甲基噻吩(3AT)、3_辛基噻吩(30T)或3-十二烷基噻吩(3DDT)。
[0079]有機娃小分子可以為二苯基二(O-甲苯基)娃(UGHl)、p_ 二 (三苯基娃)苯(UGH2)、1，3-雙(三苯基硅)苯(UGH3)或ρ-雙(三苯基硅)苯(UGH4)。
[0080]發(fā)光層35的材料可以為4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H