一種制作方法、陣列基板及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示裝置的制作領(lǐng)域，特別是一種制作方法、陣列基板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在IXD(液晶顯示器)或OLED(有機(jī)發(fā)光二極管)顯示器中，每個(gè)像素點(diǎn)都是由集成在像素點(diǎn)后面的TFT (Thin Film Transistor，薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管)來(lái)驅(qū)動(dòng)，從而可以做到高速度、高亮度、高對(duì)比度的顯示屏幕信息。在現(xiàn)在的生產(chǎn)技術(shù)中，多采用多晶硅或非晶硅來(lái)制造TFT。多晶硅的載流子迀移率為10-200cm2/V，明顯高于非晶硅的載流子迀移率(lcm2/V)，所以多晶硅相對(duì)于非晶硅具有更高的電容性和存儲(chǔ)性。對(duì)于IXD和0LED，TFT —般形成于玻璃基板上，由于玻璃的熱力學(xué)限制，多晶硅TFT的結(jié)晶特性及離子注入后退火的過(guò)程往往不能得到有效的恢復(fù)，則在反偏電壓的情況下會(huì)出現(xiàn)較大的漏極電流，影響TFT的正常使用。
[0003]為了抑制TFT的漏極電流，一般在源極、漏極上分別設(shè)置輕摻雜區(qū)和重?fù)诫s區(qū)，輕摻雜區(qū)可承受部分電壓，能夠抵消一部分漏極電流。
[0004]目前，實(shí)現(xiàn)LDD —般是在現(xiàn)有基礎(chǔ)上增加一道離子注入工藝。即在柵極金屬刻蝕后，先利用柵極進(jìn)行輕摻雜，隨后在增加一次mask的基礎(chǔ)上，再利用PR(反轉(zhuǎn)光刻膠)作為掩膜進(jìn)行重?fù)诫s?？梢?jiàn)，現(xiàn)有技術(shù)的制作方法至少需要兩次離子注入工藝，而離子注入工藝耗時(shí)長(zhǎng)，成本高，制約了陣列基板的大規(guī)模生產(chǎn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種制作方法、陣列基板及顯示裝置，能夠通過(guò)I次離子注入工藝形成包括輕摻雜區(qū)以及重?fù)诫s區(qū)的薄膜晶體管的源極、漏極。
[0006]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板的制作方法，包括:
[0007]在襯底基板上依次形成不同層設(shè)置的半導(dǎo)體圖形、柵極和第一絕緣圖形，所述半導(dǎo)體圖形與所述柵極相互絕緣；所述半導(dǎo)體圖形在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述第一絕緣圖形在所述襯底基板上的正投影，所述第一絕緣圖形在所述襯底基板上的正投影覆蓋所述柵極在所述襯底基板上的正投影；
[0008]以所述第一絕緣圖形和所述柵極為掩膜，通過(guò)一次離子注入工藝對(duì)所述半導(dǎo)體圖形進(jìn)行處理，形成有源層、重?fù)诫s源極區(qū)、輕摻雜源極區(qū)、重?fù)诫s漏極區(qū)、輕摻雜漏極區(qū)；
[0009]其中，在所述離子注入工藝處理后，所述有源層在所述襯底基板上的正投影與所述柵極在所述襯底基板上的正投影重合，所述輕摻雜源極區(qū)和所述輕摻雜漏極區(qū)在所述襯底基板上的正投影與所述第一絕緣圖形在所述襯底基板上的正投影重合但不與所述柵極在所述襯底基板上的正投影重合，所述重?fù)诫s源極區(qū)和重?fù)诫s漏極區(qū)在所述襯底基板上的正投影與所述第一絕緣圖形在所述襯底基板上的正投影、所述柵極在所述襯底基板上的正投影均不重合。
[0010]其中，所述制作方法還包括:
[0011]形成存儲(chǔ)電容的步驟，所述存儲(chǔ)電容包括上極板、下極板以及間隔所述上極板和所述下極板的第二絕緣圖形；
[0012]其中，所述下極板與所述柵極為同層同材料形成，所述第一絕緣圖形與所述第二絕緣圖形為同層同材料形成。
[0013]其中，所述制作方法具體包括:
[0014]在襯底基板上形成半導(dǎo)體圖形；
[0015]在形成有半導(dǎo)體圖形的襯底基板上，形成第一絕緣層；
[0016]在形成有第一絕緣層的襯底基板上，形成由同一材料層構(gòu)成的柵極以及下極板；
[0017]在形成有所述柵極和所述上極板的襯底基板上，形成由第二絕緣層構(gòu)成的第一絕緣圖形以及第二絕緣圖形，所述第一絕緣圖形覆蓋所述柵極，所述第二絕緣圖形覆蓋所述下極板；
[0018]以所述第一絕緣圖形和所述柵極為掩膜，通過(guò)一次離子注入工藝對(duì)所述半導(dǎo)體圖形進(jìn)行處理，形成有源層，以及具有重?fù)诫s區(qū)和輕摻雜區(qū)的源極、漏極；
[0019]在所述第二絕緣圖形上形成所述上極板。
[0020]其中，形成所述第一絕緣圖形和所述第二絕緣圖形的構(gòu)圖工藝與形成所述上極板的構(gòu)圖工藝為采用同一掩膜板。
[0021]其中，所述柵極的材料包括鉬和/或鋁，且厚度為1000埃?5000埃；
[0022]所述絕緣圖形的材料包括氧化硅和/或氮化硅，且厚度為500埃?2000埃。
[0023]其中，所述離子注入工藝的注入介質(zhì)為含硼元素和/或含磷元素的氣體，注入能量范圍為10-200keV，注入劑量范圍為I X 111-1 X 102°atoms/cm3。
[0024]此外，本發(fā)明的另一實(shí)施例還提供一種采用上述制作方法制得的陣列基板，所述陣列基板包括襯底基板，以及形成在襯底基板上的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵極、源極、漏極和有源層；所述源極包括重?fù)诫s源極區(qū)和輕摻雜源極區(qū)，所述漏極包括重?fù)诫s漏極區(qū)和輕摻雜漏極區(qū)；其中，所述陣列基板還包括:
[0025]設(shè)置在所述柵極上方的第一絕緣圖形，其在所述襯底基板上的正向投影覆蓋所述柵極在所述襯底基板上的正向投影；
[0026]其中，所述有源層在所述襯底基板上的正投影與所述柵極在所述襯底基板上的正投影重合，所述輕摻雜源極區(qū)和所述輕摻雜漏極區(qū)在所述襯底基板上的正投影與所述第一絕緣圖形在所述襯底基板上的正投影重合但不與所述柵極在所述襯底基板上的正投影重合，所述重?fù)诫s源極區(qū)和重?fù)诫s漏極區(qū)在所述襯底基板上的正投影與所述第一絕緣圖形在所述襯底基板上的正投影、所述柵極在所述襯底基板上的正投影均不重合。
[0027]其中，所述陣列基板還包括:
[0028]形成在所述襯底基板上的存儲(chǔ)電容，所述存儲(chǔ)電容包括上極板、下極板以及間隔所述上極板和所述下極板的第二絕緣圖形；
[0029]所述下極板與所述柵極為同層同材料形成，所述第一絕緣圖形與所述第二絕緣圖形為同層同材料形成。
[0030]此外，本發(fā)明的另一實(shí)施例還提供一種包括上述陣列基板的顯示裝置。
[0031]本發(fā)明的上述技術(shù)方案的有益效果如下:
[0032]本發(fā)明的方案只需要I次離子注入工藝即可在薄膜晶體管的源極、漏極上形成輕摻雜區(qū)以及重?fù)诫s區(qū)。由于離子注入次數(shù)降低，故可以減少制造時(shí)間，進(jìn)而降低制造成本，并且薄膜晶體管的源極、漏極在設(shè)置有重?fù)诫s區(qū)和輕摻雜區(qū)后，可降漏極電流，從而提顯示裝置工作的穩(wěn)定性。
【附圖說(shuō)明】
[0033]圖1和圖2為本發(fā)明的制作陣列基板的流程不意圖；
[0034]圖3A-圖3F為本發(fā)明的制作陣列基板的詳細(xì)流程圖；
[0035]圖4為本發(fā)明的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0036]圖5為本發(fā)明的陣列基板的另一結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0037]為使本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0038]參考圖1和圖2，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板的制作方法，包括:
[0039]在襯底基板I上依次形成不同層設(shè)置的半導(dǎo)體圖形2、柵極4和第一絕緣圖形5，所述半導(dǎo)體圖形2與所述柵極4相互絕緣；所述半導(dǎo)體圖形2在所述襯底基板I上的正投影C覆蓋所述第一絕緣圖形5在所述襯底基板I上的正投影B，所述第一絕緣圖形5在所述襯底基板I上的正投影B覆蓋所述柵極4在所述襯底基板I上的正投影A ;
[0040]以所述第一絕緣圖形5和所述柵極4為掩膜，通過(guò)一次離子注入工藝對(duì)所述半導(dǎo)體圖形2進(jìn)行處理，形成有源層2C、重?fù)诫s源極區(qū)2A、輕摻雜源極區(qū)2B、重?fù)诫s漏極區(qū)2D、輕摻雜漏極區(qū)2E ；
[0041]其中，在所述離子注入工藝處理后，所述有源層2C在所述襯底基板I上的正投影A與所述柵極4在所述襯底基板I上的正投影重合，所述輕摻雜源極區(qū)2B和所述輕摻雜漏極區(qū)2D在所述襯底基板I上的正投影E1、E2與所述第一絕緣圖形5在所述襯底基板上的正投影B重合但不與所述柵極4在所述襯底基板上I的正投影A重合，所述重?fù)诫s源極區(qū)2A和重?fù)诫s漏極區(qū)2E在所述襯底基板I上的正投影D1、D2與所述第一絕緣圖形5在所述襯底基板上的正投影B、所述柵極在所述襯底基板上的正投影A均不重合。
[0042]本實(shí)施例的制作方法只通過(guò)I次離子注入工藝即可形成具有輕摻雜、重?fù)诫s的源漏極。由于離子注入次數(shù)少，故可以減少制造時(shí)間，進(jìn)而降低制造成本。此外，具有輕摻雜、重?fù)诫s的源漏極可降低漏極電流，從而提高顯示面板工作的穩(wěn)定性。
[0043]具體地，針對(duì)低溫多晶硅薄膜晶體管的陣列基板，還需要在制作過(guò)程中，設(shè)置存儲(chǔ)電容(Storing Capacity，簡(jiǎn)稱Cs)來(lái)滿足液晶的驅(qū)動(dòng)要求。存儲(chǔ)電容包括上極板、下極板以及絕緣所述上極板和所述下極板的第二絕緣圖形；目前，存儲(chǔ)電容的下極板也需要離子注入后形成，由于薄膜晶體管的半導(dǎo)體圖形與存儲(chǔ)電容的下極板區(qū)域不同，現(xiàn)有技術(shù)需分別采用兩次離子注入工藝，每個(gè)離子注入工藝對(duì)應(yīng)有不同的掩膜板，且工藝時(shí)間較長(zhǎng)。為提高制作效率，并降低成本，下面本發(fā)明具體提供一種能夠在上述唯一的離子注入工藝中，進(jìn)一步制作存儲(chǔ)電容下極板的方法。
[0044]下面結(jié)合圖3，對(duì)本實(shí)施例具體的制造方法進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0045]如圖3所示，低溫多晶硅薄膜晶體管的陣列基板的詳細(xì)制作步驟包括:
[0046]步驟1:如圖3A所示，在襯底基板I上形成半導(dǎo)體圖形2 ;半導(dǎo)體圖形2的厚度為100埃?3000埃，優(yōu)選厚度為500埃?1000埃。在執(zhí)行本步驟中，可先通過(guò)PECVD (等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法)、LPCVD (低壓力化學(xué)氣相沉積法)或者濺射方法在襯底基板I沉積出半導(dǎo)體圖形的材料層，之后通過(guò)構(gòu)圖工藝得到半導(dǎo)體圖形2。
[0047]當(dāng)然作為優(yōu)選方案，可先在襯底基板I上沉積一緩沖層后，在形成半導(dǎo)體圖形2。緩沖層用于阻擋襯底基板I中所含的雜質(zhì)擴(kuò)散進(jìn)入薄膜晶體管的有源層中，防止薄膜晶體管的閾值電壓和漏電流等特性發(fā)生變化。
[0048]步驟2:如圖3B所示，在形成有半導(dǎo)體圖形2的襯底基板I上，形成第一絕緣層3 ;其中，第一絕緣層3可采用單層的氧化硅、氮化硅或者二者的疊層，厚度為500埃?2000埃，優(yōu)選厚度為600埃?1500埃(可根據(jù)具體的設(shè)計(jì)需要選擇合適的厚度)。
[0049]步驟3:如圖3C所示，在形成有第一絕緣層3的襯底基板I上，形成由同一材料層構(gòu)成的柵極4以及下極板4* ;其中，柵極4和下極板4*可為單層、兩層或兩層以上的結(jié)構(gòu)，材料可以是金屬或金屬合金，如鉬、鋁、鉬鎢等構(gòu)成，厚度在1000埃?5000埃范圍內(nèi)，優(yōu)選厚度