技術(shù)編號：9201745
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。在IXD(液晶顯示器)或OLED(有機發(fā)光二極管)顯示器中，每個像素點都是由集成在像素點后面的TFT (Thin Film Transistor，薄膜場效應(yīng)晶體管)來驅(qū)動，從而可以做到高速度、高亮度、高對比度的顯示屏幕信息。在現(xiàn)在的生產(chǎn)技術(shù)中，多采用多晶硅或非晶硅來制造TFT。多晶硅的載流子迀移率為10-200cm2/V，明顯高于非晶硅的載流子迀移率(lcm2/V)，所以多晶硅相對于非晶硅具有更高的電容性和存儲性。對于IXD和0LED，TFT —般形成于玻...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。