沉積反射膜生產(chǎn)工藝的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池片生產(chǎn)領(lǐng)域，具體涉及沉積反射膜生產(chǎn)工藝。
【背景技術(shù)】
[0002] 在現(xiàn)階段的太陽(yáng)能電池片生產(chǎn)工藝中，電池的生產(chǎn)需要經(jīng)過(guò)沉積反射膜工藝來(lái)提 高電池的質(zhì)量。在傳統(tǒng)的沉積反射膜工藝中主要是需要經(jīng)過(guò)：進(jìn)爐一升溫及穩(wěn)定一預(yù)沉 積一沉積Si xNy-出爐，在現(xiàn)階段的"升溫及穩(wěn)定"步與"預(yù)沉積"步分立開(kāi)，增加了不必要的 工藝時(shí)間，給企業(yè)的生產(chǎn)帶來(lái)不便。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提出了一種沉積反射膜生產(chǎn)工藝，以達(dá)到優(yōu)化生產(chǎn) 工藝、節(jié)省生產(chǎn)時(shí)間和提高生產(chǎn)效率的目的。
[0004] 為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案如下：
[0005] 一種沉積反射膜生產(chǎn)工藝，其工藝步驟如下：
[0006] (1).將硅片插入到石墨舟中，同時(shí)將石墨舟送入加熱爐內(nèi)；
[0007] (2).對(duì)加熱爐進(jìn)行升溫，并且在升溫的過(guò)程中通入氨氣加射頻，進(jìn)行預(yù)沉積工 乙；
[0008] (3).通入氨氣和硅烷，進(jìn)行沉積工藝；
[0009] (4).將沉積后的硅片取出，完成整個(gè)生產(chǎn)工藝。
[0010] 作為優(yōu)選的，所述步驟（2)中的爐溫控制在450° ±5°。
[0011] 作為優(yōu)選的，所述步驟⑵中升溫時(shí)間為6分鐘。
[0012] 作為優(yōu)選的，所述步驟（2)中氨氣通入時(shí)間為6分鐘。
[0013] 通過(guò)上述技術(shù)方案，本發(fā)明通過(guò)在對(duì)加熱爐升溫的同時(shí)進(jìn)行預(yù)沉積工藝，達(dá)到優(yōu) 化生產(chǎn)工藝、節(jié)省生產(chǎn)時(shí)間和提高生產(chǎn)效率的目的。
【具體實(shí)施方式】
[0014] 下面對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。
[0015] 本發(fā)明提供了一種沉積反射膜生產(chǎn)工藝，其工作原理是通過(guò)在對(duì)加熱爐升溫的同 時(shí)進(jìn)行預(yù)沉積工藝，達(dá)到優(yōu)化生產(chǎn)工藝、節(jié)省生產(chǎn)時(shí)間和提高生產(chǎn)效率的目的。
[0016] 下面結(jié)合實(shí)施例和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。
[0017] -種沉積反射膜生產(chǎn)工藝，工藝步驟如下：
[0018] (1).將硅片插入到石墨舟中，同時(shí)將石墨舟送入加熱爐內(nèi)；
[0019] (2).對(duì)加熱爐進(jìn)行升溫，并且在升溫的過(guò)程中通入氨氣加射頻，進(jìn)行預(yù)沉積工 乙；
[0020] (3).通入氨氣和硅烷，進(jìn)行沉積工藝；
[0021] (4).將沉積后的硅片取出，完成整個(gè)生產(chǎn)工藝。
[0022] 值得注意的是，所述步驟（2)中的爐溫控制在450° ±5°。
[0023] 值得注意的是，所述步驟（2)中升溫時(shí)間為6分鐘。
[0024] 值得注意的是，所述步驟（2)中氨氣通入時(shí)間為6分鐘。
[0025] 下表是傳統(tǒng)工藝和本發(fā)明的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)對(duì)比：
[0026] 同樣生產(chǎn)7200片，工藝對(duì)比如下表：
[0027]
[0028] 從上述時(shí)間對(duì)比可以看出，在生產(chǎn)同樣數(shù)量的產(chǎn)品情況下，本發(fā)明所用時(shí)間比較 少，節(jié)省了生產(chǎn)時(shí)間，提高了生產(chǎn)效率。
[0029] 通過(guò)以上的方式，本發(fā)明所提供的沉積反射膜生產(chǎn)工藝，實(shí)現(xiàn)了在對(duì)加熱爐升溫 的同時(shí)進(jìn)行預(yù)沉積工藝，達(dá)到優(yōu)化生產(chǎn)工藝、節(jié)省生產(chǎn)時(shí)間、提高生產(chǎn)效率和促進(jìn)企業(yè)發(fā)展 的目的。
[0030] 以上所述的僅是本發(fā)明所公開(kāi)的沉積反射膜生產(chǎn)工藝的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指 出，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明創(chuàng)造構(gòu)思的前提下，還可以做出若干 變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種沉積反射膜生產(chǎn)工藝，其特征在于，工藝步驟如下： (1) .將硅片插入到石墨舟中，同時(shí)將石墨舟送入加熱爐內(nèi)； (2) .對(duì)加熱爐進(jìn)行升溫，并且在升溫的過(guò)程中通入氨氣加射頻，進(jìn)行預(yù)沉積工藝； (3) .通入氨氣和硅烷，進(jìn)行沉積工藝； (4) .將沉積后的硅片取出，完成整個(gè)生產(chǎn)工藝。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積反射膜生產(chǎn)工藝，其特征在于，所述步驟（2)中的爐溫控 制在450° ±5°，射頻功率為6280W。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積反射膜生產(chǎn)工藝，其特征在于，所述步驟（2)中升溫時(shí)間 為6分鐘。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的沉積反射膜生產(chǎn)工藝，其特征在于，所述步驟（2)中氨氣通入 時(shí)間為6分鐘，。
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種沉積反射膜生產(chǎn)工藝，其工藝步驟如下:(1).將硅片插入到石墨舟中,同時(shí)將石墨舟送入加熱爐內(nèi)；(2).對(duì)加熱爐進(jìn)行升溫，并且在升溫的過(guò)程中通入氨氣加射頻，進(jìn)行預(yù)沉積工藝；(3).通入氨氣和硅烷，進(jìn)行沉積工藝；(4).將沉積后的硅片取出，完成整個(gè)生產(chǎn)工藝。通過(guò)在對(duì)加熱爐升溫的同時(shí)進(jìn)行預(yù)沉積工藝,達(dá)到優(yōu)化生產(chǎn)工藝和提高生產(chǎn)效率的目的。
【IPC分類】C23C16/34, H01L31/0216, C23C16/02
【公開(kāi)號(hào)】CN104882493
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510202476
【發(fā)明人】樊選東, 郭建東, 楊冬生, 錢明星, 錢小芳
【申請(qǐng)人】中建材浚鑫科技股份有限公司
【公開(kāi)日】2015年9月2日
【申請(qǐng)日】2015年4月24日