進(jìn)行說明。圖4為用于對(duì)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置100的制造方法進(jìn)行說明的流程圖。圖5?圖13為示意性地表示本實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置100的制造工序的剖視圖。
[0098]如圖5所示，注入N型的雜質(zhì)，以在半導(dǎo)體基板10中形成成為第二雜質(zhì)區(qū)域40的第一部分41的雜質(zhì)區(qū)域41a以及成為第三雜質(zhì)區(qū)域44的第三部分45的雜質(zhì)區(qū)域45a (SI)。具體而言，雜質(zhì)區(qū)域41a、45a通過光刻法以及雜質(zhì)(銻)的注入(離子注入)而被形成。雜質(zhì)在被注入后，例如被進(jìn)行熱擴(kuò)散。
[0099]如圖6所示，注入P型的雜質(zhì)，以在半導(dǎo)體基板10中形成成為第五雜質(zhì)區(qū)域36的第五部分37的雜質(zhì)區(qū)域37a (S2)。具體而言，雜質(zhì)區(qū)域37a通過光刻法以及雜質(zhì)(硼)的注入而被形成。雜質(zhì)在被注入后，例如被進(jìn)行熱擴(kuò)散。
[0100]如圖7所示，注入P型的雜質(zhì)，以在雜質(zhì)區(qū)域41a中形成成為第一雜質(zhì)區(qū)域30的雜質(zhì)區(qū)域30a，并在雜質(zhì)區(qū)域45a中形成成為第四雜質(zhì)區(qū)域32的雜質(zhì)區(qū)域32a(S3)。具體而言，雜質(zhì)區(qū)域30a、32a通過光刻法以及雜質(zhì)(硼)的注入而被形成。雜質(zhì)在被注入后，例如被進(jìn)行熱擴(kuò)散。
[0101]此外，形成雜質(zhì)區(qū)域37a的工序(S2)與形成雜質(zhì)區(qū)域30a、32a的工序(S3)可以在同一工序中被進(jìn)行。
[0102]如圖8所示，使外延層(單晶硅薄膜)20氣相生長(zhǎng)(外延生長(zhǎng))在半導(dǎo)體基板10上，而形成第一雜質(zhì)區(qū)域30、第二雜質(zhì)區(qū)域40的第一部分41、第三雜質(zhì)區(qū)域44的第三部分45、第四雜質(zhì)區(qū)域32、第五雜質(zhì)區(qū)域36的第五部分37 (S4)。具體而言，通過使外延層20外延生長(zhǎng)在半導(dǎo)體基板10上，從而雜質(zhì)區(qū)域30a、32a、37a、41a、45a向外延層20擴(kuò)散，通過隨后的熱處理從而分別成為雜質(zhì)區(qū)域30、32、第五部分37、第一部分41、第三部分45。例如，作為P型的雜質(zhì)的硼與作為N型的雜質(zhì)的銻相比熱擴(kuò)散中的擴(kuò)散速度較大。
[0103]通過上述的工序(SI)?工序(S4)，從而能夠在外延生長(zhǎng)于半導(dǎo)體基板10上的外延層20中形成雜質(zhì)區(qū)域30、32、第二雜質(zhì)區(qū)域40的第一部分41、第三雜質(zhì)區(qū)域44的第三部分45以及第五雜質(zhì)區(qū)域36的第五部分37。雜質(zhì)區(qū)域30、32以與外延層20相比雜質(zhì)濃度較高的方式而被形成。
[0104]如圖9所示，注入N型的雜質(zhì)，以在外延層20中形成第六阱56 (S5)。具體而言，第六阱56通過光刻法以及雜質(zhì)(磷)的注入而被形成。雜質(zhì)在被注入后，例如被進(jìn)行熱擴(kuò)散。
[0105]接下來，向外延層20中注入N型的雜質(zhì)，以形成第二雜質(zhì)區(qū)域40的第二部分42以及第三雜質(zhì)區(qū)域44的第四部分46(S6)。第二部分42以及第四部分46例如通過光刻法以及雜質(zhì)(磷)的離子注入而被形成。雜質(zhì)在被注入后，例如被進(jìn)行熱擴(kuò)散。
[0106]此外，形成第六阱56的工序(S5)與形成第二部分42以及第三部分45的工序(S6)的順序并不特別受此限定。
[0107]如圖10所示，在外延層20上形成絕緣層22 (S7)。絕緣層22例如通過LOCOS法而被形成。
[0108]如圖11所示，注入P型的雜質(zhì)以及N型的雜質(zhì)，以在第一雜質(zhì)區(qū)域30上的外延層20中形成阱51、52、53、54、55 (S8)。例如，既可以首先形成N型的阱51、52，接著再形成P型的阱53、54、55，也可以首先形成P型的阱53、54、55，接著再形成N型的阱51、52。在形成N型的阱51、52的情況下，例如作為雜質(zhì)而注入磷。在形成P型的阱53、54、55的情況下，例如作為雜質(zhì)而注入硼。阱51、52、53、54、55例如通過光刻法以及雜質(zhì)的離子注入而被形成。雜質(zhì)在被注入后，例如被進(jìn)行熱擴(kuò)散。
[0109]如圖12所示，注入P型的雜質(zhì)，以在外延層20中形成第五雜質(zhì)區(qū)域36的第六部分38(S9)。具體而言，第六部分38通過光刻法以及雜質(zhì)(硼)的注入而被形成。雜質(zhì)在被注入后，例如被進(jìn)行熱擴(kuò)散。
[0110]此外，第五雜質(zhì)區(qū)域36的第六部分38例如也可以與講53、54、55在同一工序中被形成。
[0111]如圖13所示，注入P型的雜質(zhì)，以在第六阱56中形成體區(qū)57 (SlO)。具體而言，體區(qū)57通過光刻法以及雜質(zhì)(硼)的注入而被形成。雜質(zhì)在被注入后，例如被進(jìn)行熱擴(kuò)散。
[0112]如圖1所示，在阱51、52、53、54、55、56以及體區(qū)57上形成柵極絕緣膜80 (Sll)。柵極絕緣膜80例如通過氧化法而被形成。
[0113]接下來，在柵極絕緣膜80上形成柵電極82 (S12)。柵電極82通過CVD (ChemicalVapor Deposit1n，化學(xué)氣象沉積)法而成膜多晶娃層(未圖示)，并通過光刻法以及蝕刻對(duì)該多晶硅層進(jìn)行圖案形成，從而被形成。
[0114]接下來，注入P型的雜質(zhì)，以在阱51、52中形成雜質(zhì)區(qū)域60、62，并在阱53、54、55、體區(qū)57以及第五雜質(zhì)區(qū)域36的第六部分38中形成雜質(zhì)區(qū)域6 (S13)。具體而言，雜質(zhì)區(qū)域6、60、62通過光刻法以及雜質(zhì)(硼)的注入而被形成。雜質(zhì)在被注入后，例如被進(jìn)行熱擴(kuò)散。雜質(zhì)區(qū)域6與雜質(zhì)區(qū)域60、62也可以在同一工序中被形成。
[0115]接下來，注入N型的雜質(zhì)，以在阱53、54、55中形成雜質(zhì)區(qū)域70、72，在第六阱56中形成雜質(zhì)區(qū)域72，在體區(qū)57中形成雜質(zhì)區(qū)域70，在阱51、52、第二雜質(zhì)區(qū)域40的第二部分42以及第三雜質(zhì)區(qū)域44的第四部分46中形成雜質(zhì)區(qū)域7(S14)。具體而言，雜質(zhì)區(qū)域7、70、72通過光刻法以及雜質(zhì)(磷)的注入而被形成。雜質(zhì)在被注入后，例如被進(jìn)行熱擴(kuò)散。雜質(zhì)區(qū)域7與雜質(zhì)區(qū)域70、72也可以在同一工序中被形成。
[0116]通過上述的工序(SlO)?工序(S14)，從而能夠在第一阱51中形成第一 MOS晶體管111，在第二阱52中形成第二 MOS晶體管112，在第三阱53中形成第三MOS晶體管113，在第四阱54中形成第四MOS晶體管114，在第五阱55中形成第五MOS晶體管115，在第六阱56中形成LDMOS晶體管121、122。
[0117]此外，形成雜質(zhì)區(qū)域60、62等的工序(S13)與形成雜質(zhì)區(qū)域70、72等的工序(S14)的順序不被特別限定。
[0118]另外，雖然在上文中，對(duì)通過使外延層20外延生長(zhǎng)在半導(dǎo)體基板10上從而使雜質(zhì)區(qū)域30a、32a向外延層20擴(kuò)散而成為雜質(zhì)區(qū)域30、32的示例進(jìn)行了說明，但也可以不形成雜質(zhì)區(qū)域30a、32a，而是通過使外延層20外延生長(zhǎng)在半導(dǎo)體基板10上之后，對(duì)雜質(zhì)(例如硼)進(jìn)行離子注入，從而形成雜質(zhì)區(qū)域30、32。雜質(zhì)在被注入后，例如被進(jìn)行熱擴(kuò)散。
[0119]另外，上述的各雜質(zhì)注入的加速電壓、劑量以及使雜質(zhì)進(jìn)行擴(kuò)散的熱擴(kuò)散的溫度、時(shí)間是根據(jù)雜質(zhì)的種類以及由雜質(zhì)形成的雜質(zhì)區(qū)域的濃度、雜質(zhì)濃度而被適當(dāng)決定的。
[0120]通過以上的工序，能夠制造出半導(dǎo)體裝置100。
[0121]在半導(dǎo)體裝置100的制造方法中，能夠制造出可利用第一雜質(zhì)區(qū)域30來抑制在第一阱51與第二阱52之間產(chǎn)生漏電流的情況的半導(dǎo)體裝置100。而且，在半導(dǎo)體裝置100的制造方法中，能夠制造出可利用第三阱53來抑制在第一阱51與第二阱52之間產(chǎn)生漏電流的情況的半導(dǎo)體裝置100。
[0122]3.半導(dǎo)體裝置的改變例
[0123]3.1.第一改變例
[0124]接下來，參照附圖對(duì)本實(shí)施方式的第一改變例的半導(dǎo)體裝置進(jìn)行說明。圖14為示意性地表示本實(shí)施方式的第一改變例所涉及的半導(dǎo)體裝置200的剖視圖。
[0125]以下，在本實(shí)施方式的第一改變例所涉及的半導(dǎo)體裝置200中，對(duì)于與本實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置100的結(jié)構(gòu)部件具有相同的功能的部件標(biāo)注相同的符號(hào)，并省略對(duì)其詳細(xì)的說明。該情況在后述的本實(shí)施方式的第二改變例所涉及的半導(dǎo)體裝置以及本實(shí)施方式的第三改變例所涉及的半導(dǎo)體裝置中也同樣如此。
[0126]在上述的半導(dǎo)體裝置100中，如圖1所示，第一雜質(zhì)區(qū)域30被設(shè)置有I個(gè)，且被設(shè)置在阱51、52、53、54、55之下。與此相對(duì)，在半導(dǎo)體裝置200中，如圖14所示，第一雜質(zhì)區(qū)域30被設(shè)置有2個(gè)。在半導(dǎo)體裝置200中，一個(gè)第一雜質(zhì)區(qū)域30被設(shè)置在第一阱51之下，另一個(gè)第一雜質(zhì)區(qū)域30被設(shè)置在第二阱52之下。
[0127]3.2.第二改變例
[0128]接下來，參照附圖對(duì)本實(shí)施方式的第二改變例所涉及的半導(dǎo)體裝置進(jìn)行說明。圖15為示意性地表示本實(shí)施方式的第二改變例所涉及的半導(dǎo)體裝置300的俯視圖。此外，在圖15中，作為相互正交的3個(gè)軸，而圖示了 X軸、Y軸以及Z軸。
[0129]在上述的半導(dǎo)體裝置100中，如圖2