技術(shù)編號(hào)：8545232
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種。背景技術(shù)近年來，為了根據(jù)設(shè)備的工作狀態(tài)來切換消耗電流等，而在同一半導(dǎo)體基板中混裝了多個(gè)晶體管的半導(dǎo)體裝置受到關(guān)注。例如在專利文獻(xiàn)I中記載有如下的半導(dǎo)體裝置，S卩，在半導(dǎo)體基板上混裝有第一MOS(Metal Oxide Semiconductor，金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管、第二 MOS晶體管以及LDMOS(Lateral Diffused M0S，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管等。在專利文獻(xiàn)I所記載的半導(dǎo)體裝置中，在P型的半導(dǎo)體基板上設(shè)置P...
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