有機電致發(fā)光器件及其制造方法、電子設備的制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種有機電致發(fā)光器件及其制造方法、電子設備。
【背景技術】
[0002]有機電致發(fā)光器件(OLED)由于具有亮度高、色彩飽和、輕薄、可彎曲等優(yōu)點而受到了平板顯示與照明領域的高度重視。目前，常見有機電致發(fā)光器件的結構有頂發(fā)光器件結構和底發(fā)光器件結構兩種，而頂發(fā)光器件結構與底發(fā)光器件結構相比，具有器開口率高、色純度高、容易實現高PPI等優(yōu)點，因此成為目前主流的有機電致發(fā)光器件結構。但是頂發(fā)光有機電致發(fā)光器件結構也存在一些技術問題，例如器件的效率低、驅動電壓高、壽命較差、視角等冋題。
[0003]現有的有機電致發(fā)光器件結構，通常包括陽極層、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)光層(EML)、電子傳輸層(ETL)、陰極層(如圖1所示)。器件的工作原理為空穴從陽極注入，并在空穴傳輸層的HOMO能級(最高已占分子軌道)上傳輸，最終到達發(fā)光層的HOMO能級；而電子從陰極注入，在電子傳輸層的LUMO能級(最低未占分子軌道)上傳輸，最終到達發(fā)光層的LUMO能級。位于發(fā)光層LUMO能級上的電子，在外加電壓的作用下，與位于發(fā)光層HOMO能級上的空穴發(fā)生復合，最終實現有機電致發(fā)光器件的發(fā)光。通常，最佳的器件結構要實現電子和空穴的平衡注入，使得每個電子和空穴都發(fā)生了復合，從而獲得高效率的器件結構。然而，電子迀移率和空穴迀移率相同的發(fā)光材料是很難獲得的。
[0004]由于發(fā)光層對于電子和空穴傳輸能力的不一致，進而導致傳輸到發(fā)光層界面處的電子和空穴，不能以相同的數量進入發(fā)光層發(fā)生復合，從而不利于有機電致發(fā)光器件效率和壽命的提尚。

【發(fā)明內容】

[0005]有鑒于此，本發(fā)明的實施例提供了一種有機電致發(fā)光器件及其制造方法，實現了空穴和電子的平衡注入，從而提高了有機電致發(fā)光器件的發(fā)光效率和壽命。
[0006]本發(fā)明的實施例提供了一種有機電致發(fā)光器件，包括:
順序地堆疊的陽極層、空穴傳輸層、第一發(fā)光層、第二發(fā)光層、電子傳輸層以及陰極層；
其中，所述第一發(fā)光層和第二發(fā)光層包括相同的基質，并且所述第一發(fā)光層和/或第二發(fā)光層被摻雜，使得所述第一發(fā)光層的空穴迀移率與所述第二發(fā)光層的電子迀移率相等。
[0007]現有的發(fā)光材料基質通常為空穴傳輸型(hole-transport)材料或電子傳輸型(electron-transport)材料。本發(fā)明的實施例使用同一種基質制作兩個發(fā)光層，并使靠近陽極的發(fā)光層的空穴迀移率等于靠近陰極的發(fā)光層的電子迀移率；這樣既能實現空穴和電子的平衡注入，又確保了兩個發(fā)光層在物理性質上的匹配。本發(fā)明使用包括了相同基質的兩個發(fā)光層，實現了空穴和電子的平衡注入，從而提高了有機電致發(fā)光器件的發(fā)光效率和壽命O
[0008]較佳地，所述基質為4-( 二氰乙烯基)-2_叔丁基_6-(1，I, 7，7_四甲基久落尼定基-4-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、8_ 羥基喹啉鋁(Alq3)、2，3，5，6_ 四氟 _7，7’，8，8’ -四氰二甲基對苯醌(F4-TCNQ)、4，4-二(2，2-二苯乙烯基)-1，1-聯苯(DPVBi)、或 6，6-二(2-(1-芘基)-4-苯基喹啉)(BPYPQ) ο
[0009]較佳地，所述第一發(fā)光層由P型摻雜劑摻雜，所述P型摻雜劑為2，3，5，6-四氟-7，7’，8，8’ -四氰二甲基對苯醌(F4-TCNQ)、三(4-溴苯基)六氯銻酸銨(TBAHA)、或4，4’，4〃-三(N-(1-萘基)-N-苯基氨基)三苯胺(TNATA)。
[0010]較佳地，所述第二發(fā)光層由η型摻雜劑摻雜，所述η型摻雜劑為8_羥基喹啉鋰(Liq)、氟化鋰(LiF)、三聯卩比啶絡(Cr (bpy) 3)、或三聯卩比啶舒(Ru (bpy) 3) ο
[0011]較佳地，所述空穴傳輸層的材料為N，N’-二(1-萘基)-N，N’-二苯基-1，Γ-聯苯-4-4’ - 二胺(NPB)、三苯基二胺衍生物(TPD)、Ν，N，- 二(苯基)-N, N，- 二 (4，- (N, N- 二(苯基胺基)-4-聯苯基)聯苯胺(TPTE)、或1，3，5_三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)苯(TDAB) ο
[0012]較佳地，所述電子傳輸層的材料為2-(4-聯苯基)-5_苯基惡二唑(PBD)、2，5_ 二(1-萘基)_1，3，5-惡二唑(BND)、或 2，4，6-三苯氧基-1, 3，5-三嗪(TRZ)。
[0013]較佳地，所述陽極層的材料為ITO(In2O3 = SnO2)、IZO(In2O3 = ZnO)、GITO (Ga。.Q8Ina28Sn0.64。3)、或 ZITO (Zn0.64In0.88Sn0.6603)。
[0014]較佳地，所述陰極層的材料為Mg、Ag、Al、L1、K、Ca、MgxAg(1_x)、LixAl (1_x)、LixCa(1_x)、或 LixAg(H)。
[0015]本發(fā)明的實施例還提供了一種有機電致發(fā)光器件的制作方法，所述方法包括: 順序地堆疊陽極層、空穴傳輸層、第一發(fā)光層、第二發(fā)光層、電子傳輸層以及陰極層；
其中，所述第一發(fā)光層和第二發(fā)光層包括相同的基質，并且所述第一發(fā)光層和/或第二發(fā)光層被摻雜，使得所述第一發(fā)光層的空穴迀移率與所述第二發(fā)光層的電子迀移率相等。
[0016]本發(fā)明的實施例使用同一種基質制作兩個發(fā)光層，并使靠近陽極的發(fā)光層的空穴迀移率等于靠近陰極的發(fā)光層的電子迀移率；這樣既能實現空穴和電子的平衡注入，又確保了兩個發(fā)光層在物理性質上的匹配。本發(fā)明使用包括了相同基質的兩個發(fā)光層，實現了空穴和電子的平衡注入，從而提高了有機電致發(fā)光器件的發(fā)光效率和壽命。
[0017]較佳地，所述基質為4_( 二氰乙烯基)-2_叔丁基_6-(1，I, 7，7_四甲基久落尼定基-4-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、8_ 羥基喹啉鋁(Alq3)、2，3，5，6_ 四氟 _7，7’，8，8’ -四氰二甲基對苯醌(F4-TCNQ)、4，4-二(2，2-二苯乙烯基)-1，1-聯苯(DPVBi)、或 6，6-二(2-(1-芘基)-4-苯基喹啉)(BPYPQ) ο
[0018]較佳地，所述第一發(fā)光層由P型摻雜劑摻雜，所述P型摻雜劑為2，3，5，6-四氟-7，7’，8，8’ -四氰二甲基對苯醌(F4-TCNQ)、三(4-溴苯基)六氯銻酸銨(TBAHA)、或4，4’，4〃-三(N-(1-萘基)-N-苯基氨基)三苯胺(TNATA)。
[0019]較佳地，所述第二發(fā)光層由η型摻雜劑摻雜，所述η型摻雜劑為8_羥基喹啉鋰(Liq)、氟化鋰(LiF)、三聯卩比啶絡(Cr (bpy) 3)、或三聯卩比啶舒(Ru (bpy) 3) ο
[0020]較佳地，所述空穴傳輸層的材料為N，N’-二(1-萘基)-N，N’-二苯基-1，Γ-聯苯-4-4’ - 二胺(NPB)、三苯基二胺衍生物(TPD)、N，N，- 二(苯基)-N, N，- 二 (4，- (N, N- 二(苯基胺基)-4-聯苯基)聯苯胺(TPTE)、或1，3，5_三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)苯(TDAB) ο
[0021]較佳地，所述電子傳輸層的材料為2-(4-聯苯基)-5_苯基惡二唑(PBD)、2，5_ 二(1-萘基)-1，3，5-惡二唑(BND)、或 2，4，6-三苯氧基-1, 3，5-三嗪(TRZ)。
[0022]較佳地，所述陽極層的材料為ITO(In2O3 = SnO2)、IZO(In2O3 = ZnO)、GITO (Ga。.Q8Ina28Sn0.64。3)、或 ZITO (Zn0.64In0.88Sn0.6603)。
[0023]較佳地，所述陰極層的材料為Mg、Ag、Al、L1、K、Ca、MgxAg(1_x)、LixAl (1_x)、LixCa(1_x)、或 LixAg(H)。
[0024]本發(fā)明的實施例還提供了一種電子設備，所述電子設備包括如上所述的有機電致發(fā)光器件。
【附圖說明】
[0025]圖1示出了現有技術的有機電致發(fā)光器件的結構示意圖；
圖2示出了根據本發(fā)明實施例的有機電致發(fā)光器件的結構示意圖；以及圖3示出了根據本發(fā)明實施例的有機電致發(fā)光器件的制作方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0026]下面結合附圖，對本發(fā)明實施例提供的有機電致發(fā)光器件及其制造方法、電子設備的【具體實施方式】進行詳細地說明。
[0027]附圖中各膜層的形狀和厚度不反映陣列基板的真實比例，目的只是示意說明本
【發(fā)明內容】
。
[0028]圖2示出了根據本發(fā)明實施例的有機電致發(fā)光器件的結構示意圖，其中所述有機電致發(fā)光器件包括:
順序地堆疊的陽極層、空穴傳輸層HTL、第一發(fā)光層EML 1、第二發(fā)光EML I1、電子傳輸層ETL以及陰極層；
其中，所述第一發(fā)光層EML I和第二發(fā)光層EML II包括相同的基質，并且所述第一發(fā)光層EML I和/或第二發(fā)光層EML II被摻雜，使得所述第一發(fā)光層EML I的空穴迀移率與所述第二發(fā)光層EML II的電子迀移率相等。
[0029]現有的發(fā)光材料基質通常為空穴傳輸型材料或電子傳輸型材料。本發(fā)明的實施例使用同一種基質制作兩個發(fā)光層，并使靠近陽極的發(fā)光層的空穴迀移率等于靠近陰極的發(fā)光層的電子迀移率；這樣既能實現空穴和電子的平衡注入，又確保了兩個發(fā)光層在物理性質上的匹配。本發(fā)明使用包括了相同基質的兩個發(fā)光層，實現了空穴和電子的平衡注入，從而提高了有機電致發(fā)光器件的發(fā)光效率和壽命。
[0030]在本發(fā)明的實施例中，第一發(fā)光層EML I和第二發(fā)光層EML II使用相同的基質，并且第一發(fā)光層EML I和/或第二發(fā)光層EML II被摻雜。
[0031 ] 具體地，如果發(fā)光層材料(S卩，所使用的基質)為電子傳輸型材料:則對第一發(fā)光層EML I進行P型摻雜來提高第一發(fā)光層EML I的空穴傳輸能力，并通過調整P型摻雜劑的濃度來控制其空穴傳輸能力；最終使得第一發(fā)光層