一種有機發(fā)光二極管的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及照明技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種有機發(fā)光二極管。
【背景技術(shù)】
[0002]在有機發(fā)光技術(shù)領(lǐng)域，發(fā)光器件為有機發(fā)光二極管(Organic Light EmittingD1de，OLED)。
[0003]OLED的結(jié)構(gòu)主要包括:陽極、空穴傳輸層、有機發(fā)光層、電子傳輸層和陰極等功能層O
[0004]其中，OLED結(jié)構(gòu)中的各功能層，均會影響OLED的發(fā)光效率。比如，電子傳輸層、空穴傳輸層的載流子迀移率較高時，OLED的發(fā)光效率較高。
[0005]在現(xiàn)有技術(shù)中，OLED的電子傳輸層、空穴傳輸層均為有機層，載流子迀移率較低，從而，OLED的發(fā)光效率就較低。目前，OLED的發(fā)光效率還有待進一步提高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明實施例提供一種有機發(fā)光二極管，用以提高有機發(fā)光二極管的出光效率。
[0007]本發(fā)明實施例提供的有機發(fā)光二極管0LED，包括:
[0008]上基板、下基板、電子傳輸層、空穴傳輸層、發(fā)光層；所述電子傳輸層和/或空穴傳輸層為鈣鈦礦-有機無機雜化層。
[0009]可選的，所述鈣鈦礦-有機無機雜化層為鹵化鉛甲胺層。
[0010]可選的，所述鈣鈦礦-有機無機雜化層的厚度為20-50nm。
[0011]可選的，所述媽鈦礦-有機無機雜化層的厚度為35nm。
[0012]可選的，所述發(fā)光層為銥配合物層。
[0013]可選的，所述銥配合物層為Ir (piq)2 (acac)層、Ir (ppy) 3層、或FIrpic層。
[0014]本申請實施例提供的一種0LED，包括:上基板、下基板、電子傳輸層、空穴傳輸層、發(fā)光層；所述電子傳輸層和/或空穴傳輸層為媽鈦礦-有機無機雜化層。由于有機無機雜化層作為電子傳輸層和空穴傳輸層，其不同于有機層，其載流子迀移率可達到8cm2/(V.s)以上，遠遠高于純有機材料的載流子迀移率。因此，載流子迀移率較高的電子傳輸層和空穴傳輸層可有效提高激子產(chǎn)生的效率，從而可有效提高電子和空穴的復(fù)合效率，進而可有效提高OLED的發(fā)光效率。
【附圖說明】
[0015]此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解，構(gòu)成本發(fā)明的一部分，本發(fā)明的示意性實施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中:
[0016]圖1為本發(fā)明實施例提供的OLED結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0017]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，以下將結(jié)合本發(fā)明具體實施例及相應(yīng)的附圖對本發(fā)明技術(shù)方案進行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0018]參見圖1，為本發(fā)明實施例提供的OLED結(jié)構(gòu)示意圖，包括:
[0019]下基板I ;
[0020]依次位于下基板I上的陽極2、空穴傳輸層3、發(fā)光層4、電子傳輸層5、陰極6、上基板7。
[0021]其中，電子傳輸層5和/或空穴傳輸層3為有機無機雜化層，即電子傳輸層5和空穴傳輸層3至少之一為有機無機雜化層。
[0022]所述的有機無機雜化層是指有機無機雜化材料形成的膜層，該有機無機雜化層是有機材料和無機材料在微觀結(jié)構(gòu)上的一種結(jié)合，此如，有機無機雜化層是有機和無機成分通過弱作用力或強作用力結(jié)合而成的膜層。
[0023]OLED的發(fā)光原理為:電子和空穴分別從陰極和陽極向電極之間的有機活性層注入；電子和空穴在電場作用下，正負載流子在器件中相向輸運；電子和空穴復(fù)合產(chǎn)生激子；激子經(jīng)過輻射躍迀產(chǎn)生光。
[0024]由此可見，電子和空穴的復(fù)合效率決定了激子產(chǎn)生的效率，進而決定了發(fā)光效率。而電子和空穴的復(fù)合效率又由電子傳輸層和空穴傳輸層中正負載流子的注入勢皇和傳輸速率決定，即電子傳輸層和空穴傳輸層的載流子迀移率和能級結(jié)構(gòu)是影響電子和空穴復(fù)合效率的重要因素。
[0025]現(xiàn)有技術(shù)中，電子傳輸層和空穴傳輸層為有機層，而本申請實施例提供的有機無機雜化層作為電子傳輸層和空穴傳輸層，其不同于有機層，其載流子迀移率可達到8cm2/(V-s)以上，遠遠高于純有機材料的載流子迀移率。因此，載流子迀移率較高的電子傳輸層和空穴傳輸層可有效提高激子產(chǎn)生的效率，從而可有效提高電子和空穴的復(fù)合效率，進而可有效提高OLED的發(fā)光效率。
[0026]由于有機無機雜化層具備無機材料的性質(zhì)也具備有機材料的性質(zhì)，因此，其具有電子傳輸能力和空穴傳輸能力，可同時作為電子傳輸層和空穴傳輸層。
[0027]當(dāng)電子傳輸層和空穴傳輸層均為有機無機雜化層，且材料相同時，可簡化OLED的制作工藝，節(jié)約成本。
[0028]在本發(fā)明中，所述有機無機雜化層可以為鈣鈦礦-有機無機雜化層，即具有鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的有機無機雜化層。
[0029]所述鈣鈦礦-有機無機雜化層可以為鹵化鉛甲胺層，如，氯化鉛甲胺(CH3NH3PbCl3)層、溴化鉛甲胺(CH3NH3PbBr3)層或碘化鉛甲胺層(CH3NH3Pb13_XCIx)等，或者還可以為選用N-(l-萘基)乙烯二胺二氫酸鹽與碘化鉛合成的具有鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的晶體材料(C12H14N2.2HI)2PbI2o
[0030]在本發(fā)明實施例中，若電子傳輸層和空穴傳輸層為鹵化鉛甲胺層時，載流子迀移率還可以根據(jù)鹵素離子(Cl、Br、I)含量或類型的改變進行調(diào)控，對于OLED而言，可有效控制OLED的發(fā)光效率，從而使得OLED應(yīng)用于不同的領(lǐng)域。
[0031]可選的，所述的鈣鈦礦-有機無機雜化層的厚度為20-50nm。
[0032]可選的，所述鈣鈦礦-有機無機雜化層的厚度為35nm。
[0033]可選的，所述發(fā)光層為磷光材料，如銥配合物層、銪配合物層等。
[0034]可選的，所述銥配合物層可以為分別發(fā)紅光、綠光、藍光的Ir (Piq)2 (acac)層、Ir (ppy) 3層、或 FIrpic 層。
[0035]當(dāng)然，本發(fā)明實施例中的發(fā)光層的材料不限于磷光材料，此如，也可以是熒光材料，這里不再贅述。
[0036]本申請實施例提供的一種OLED，由于有機無機雜化層作為電子傳輸層和空穴傳輸層，其不同于有機層，其載流子迀移率可達到8cm2/(V.s)以上，遠遠高于純有機材料的載流子迀移率。因此，載流子迀移率較高的電子傳輸層和空穴傳輸層可有效提高激子產(chǎn)生的效率，從而可有效提高電子和空穴的復(fù)合效率，進而可有效提高OLED的發(fā)光效率。
[0037]以上僅為本發(fā)明的實施例而已，并不用于限制本發(fā)明。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原理之內(nèi)所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種有機發(fā)光二極管OLED，包括:上基板、下基板、電子傳輸層、空穴傳輸層、發(fā)光層；其特征在于，所述電子傳輸層和/或空穴傳輸層為鈣鈦礦-有機無機雜化層。
2.如權(quán)利要求1所述的OLED，其特征在于，所述鈣鈦礦-有機無機雜化層為鹵化鉛甲胺層。
3.如權(quán)利要求1所述的OLED，其特征在于，所述鈣鈦礦-有機無機雜化層的厚度為20_50nm。
4.如權(quán)利要求3所述的OLED，其特征在于，所述鈣鈦礦-有機無機雜化層的厚度為35nm。
5.如權(quán)利要求1?4任一權(quán)項所述的OLED，其特征在于，所述發(fā)光層為銥配合物層。
6.如權(quán)利要求5所述的OLED，其特征在于，所述銥配合物層為Ir(piq)2 (acac)層、Ir (ppy)3層、或 FIrpic 層。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種有機發(fā)光二極管，用以提高有機發(fā)光二極管的發(fā)光效率，所述有機發(fā)光二極管包括：上基板、下基板、電子傳輸層、空穴傳輸層、發(fā)光層；所述電子傳輸層和/或空穴傳輸層為鈣鈦礦-有機無機雜化層。
【IPC分類】H01L51-54, H01L51-50
【公開號】CN104795505
【申請?zhí)枴緾N201510164723
【發(fā)明人】高志翔, 屈文山, 王萍, 董麗娟, 劉麗想, 劉艷紅, 韓丙辰, 石云龍
【申請人】山西大同大學(xué)
【公開日】2015年7月22日
【申請日】2015年4月9日