清除led芯片光刻標記點殘金的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及LED芯片制作技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種清除LED芯片光刻圓環(huán)標記點殘金的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]蒸鍍是在真空條件下，將金屬蒸鍍在薄膜基材的表面而形成復(fù)合薄膜的一種工
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[0003]在現(xiàn)有LED芯片金屬蒸鍍和光刻一般采用閉環(huán)和環(huán)內(nèi)圖形套合，以實現(xiàn)套刻的目的。半導(dǎo)體及LED芯片上的一般有很多層復(fù)雜的圖形組成，且各層之間需要對準，標記點主要的作用是用于多次曝光之間的對準，一般在第一層上做出一個圖形(第一層不需要對準)，用以后的每一層光刻版上的圖形(一般是閉環(huán))與第一層的圖形進行對準/套合，以實現(xiàn)各層之間的對準。鍍金前光刻版上的閉環(huán)會復(fù)制到芯片上，在芯片上留下不容易去除的殘金。
[0004]而閉環(huán)不利于后道環(huán)內(nèi)金屬去除，有一定比例出現(xiàn)金屬塊將環(huán)內(nèi)圖形覆蓋，從而在晶元中形成一個不穩(wěn)定的點，該點可吸收殘液污染芯片，且會導(dǎo)致后道光刻將無法對準，無法實現(xiàn)后續(xù)制程。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005](一)解決的技術(shù)問題
[0006]針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供了一種解決LED芯片光刻標記點殘金的方法，解決了現(xiàn)有LED芯片上殘留金屬不宜去除的問題。
[0007]( 二)技術(shù)方案
[0008]為實現(xiàn)以上目的，本發(fā)明通過以下技術(shù)方案予以實現(xiàn):
[0009]一種清除LED芯片光刻標記點殘金的方法，其特征在于:包括以下步驟:
[0010]S1、對所述LED芯片光刻標記點進行重新設(shè)計；
[0011]所述重新設(shè)計包括:對所述晶元上LED芯片光刻標記點的閉環(huán)斷開部分的數(shù)量、寬度、開口方向、角度和圓角半徑進行重新設(shè)計；
[0012]S2、設(shè)置重新設(shè)計后所述LED芯片光刻標記點的光刻相關(guān)參數(shù)；
[0013]所述光刻相關(guān)參數(shù)包括:勻膠軟烘溫度、曝光劑量、PEB溫度和顯影時間；
[0014]S3、依據(jù)所述光刻相關(guān)參數(shù)設(shè)置所述LED芯片光刻標記點進行蒸鍍的溫度，進而對晶元上所述LED芯片光刻標記點進行蒸鍍；
[0015]S4、待所述LED芯片光刻標記點蒸鍍完成，設(shè)置金屬剝離工藝條件，對所述閉環(huán)斷開部分的金屬進行剝離；
[0016]所述金屬剝離工藝條件包括:晶元固定的方向、位置與滾輪來回滾動次數(shù)、拉膜角度和拉膜時間。
[0017]優(yōu)選的，所述步驟S4后還包括步驟S5，步驟S5包括:對所述金屬剝離后的LED芯片光刻標記點上的封閉圓環(huán)斷開部分進行去膠。
[0018]優(yōu)選的，所述去膠工藝條件包括:去膜劑溫度、超聲清洗時間、超聲清洗后非超聲浸泡時間、機械抖動頻率、沖水時間和旋干轉(zhuǎn)速和旋干時間。
[0019]優(yōu)選的，所述去膜劑融化溫度為80-90°C ;所述超聲清洗時間為7min ;所述機械抖動頻率為20次/分；所述沖水用水為蒸餾水，所述沖水時間為120s，所述旋干轉(zhuǎn)速為1200RPM，所述旋干時間為600s。
[0020]優(yōu)選的，步驟SI中所述LED芯片光刻標記點上晶元的閉環(huán)至少斷開兩個部分，所述斷開部分寬度為15-20 μπι，所述斷開部分開口方向固定，所述斷開部分角度范圍在25° -65°，所述斷開部分的圓角半徑為3-10 μπι。
[0021]優(yōu)選的，步驟SI中所述LED芯片光刻標記點上晶元的閉環(huán)斷開部分采用內(nèi)大外小的方式。
[0022]優(yōu)選的，步驟S2中所述勻膠軟烘溫度為110-115°C，所述曝光劑量為50_80mJ，所述PEB溫度100-110°C，所述顯影時間為80-120s。
[0023]優(yōu)選的，步驟S3中對所述LED芯片光刻標記點進行的蒸鍍?yōu)榻饘僬翦儯稣翦兊臏囟刃∮?0°C。
[0024]優(yōu)選的，步驟S4中所述的晶元水平固定在剝金機上，所述滾輪滾動次數(shù)為2-5次，所述拉膜角度為45°，所述拉膜時間為2-4s。
[0025](三)有益效果
[0026]本發(fā)明提供了一種清除LED芯片光刻圓環(huán)標記點殘金的方法，先對所述LED芯片光刻標記點進行重新設(shè)計，然后設(shè)置重新設(shè)計后所述LED芯片光刻標記點的光刻相關(guān)參數(shù)，依據(jù)所述光刻相關(guān)參數(shù)設(shè)置所述LED芯片光刻標記點進行蒸鍍的溫度，進而對晶元上所述LED芯片光刻標記點進行蒸鍍，待所述LED芯片光刻標記點蒸鍍完成，通過對LED芯片光刻標記點上的殘留金屬進行剝離與去膠，清除了 LED芯片光刻標記點上的殘留金屬，達到將光刻標記點上因蒸鍍而殘留的金屬清除，避免了因殘留金屬導(dǎo)致LED芯片鍍金后光刻無法進行，減少制備返工率，保證產(chǎn)品的一致性，去除不穩(wěn)定因素，提升產(chǎn)品良率。
【附圖說明】
[0027]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0028]圖1為本發(fā)明實施例中一種清除LED芯片光刻圓環(huán)標記點殘金的方法的工藝流程圖；
[0029]圖2為本發(fā)明實施例1中中心點被金屬覆蓋的標記點效果圖；
[0030]圖3為本發(fā)明實施例1中更改干凈后的標記點效果圖；
[0031]圖4為本發(fā)明實施例2中中心點被金屬覆蓋的標記點效果圖；
[0032]圖5為本發(fā)明實施例2中更改干凈后的標記點效果圖。
【具體實施方式】
[0033]為使本發(fā)明實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0034]如圖1所示，圖1是去除LED芯片光刻圓環(huán)標記點殘金的解決方法的工藝流程圖，通過這種方法可以有效解決LED芯片標記點上的金塊殘留問題，從而達到下道工序正常進行，減少制備返工率，保證產(chǎn)品的一致性，去除不穩(wěn)定因素，提高產(chǎn)品產(chǎn)率的目的，該方法包括:
[0035]S1、對所述LED芯片光刻標記點進行重新設(shè)計；
[0036]將保留在晶元上的閉環(huán)斷開為至少兩個部分，保證金屬剝離部分的金屬連成整體，以利于環(huán)內(nèi)金屬去除；其中，閉環(huán)斷開部分寬度為15-20 μm，閉環(huán)斷開部分開口方向固定，角度范圍在25° -65°，閉環(huán)斷開部分的圓角半徑為3-10μπι，閉環(huán)斷開部分采用內(nèi)大外小的方式，保證金屬剝離時金屬連成整體，利于環(huán)內(nèi)金屬殘留物的去處。
[0037]S2、設(shè)置重新設(shè)計后所述LED芯片光刻標記點的光刻相關(guān)參數(shù)；
[0038]設(shè)置勻膠軟烘溫度，曝光劑量，PEB溫度，顯影時間；其中勻膠軟烘溫度為110-115°C，曝光劑量為 50-80mJ，PEB 溫度 100-110°C，顯影時間為 80_120s。
[0039]S3、依據(jù)所述參數(shù)設(shè)置所述LED芯片光刻標記點進行蒸鍍的溫度，進而對晶元上所述LED芯片光刻標記點進行蒸鍍；其中LED芯片光刻標記點蒸鍍?yōu)榻饘僬翦儯瑴囟刃∮?0。。。
[0040]S4、對LED芯片光刻標記點的金屬剝離；
[0041]設(shè)置金屬剝離的工藝條件，包括晶元固定的方向、位置，滾輪來回滾動次數(shù)，拉膜角度和拉膜時間；其中，滾輪滾動次數(shù)為2-5次，拉膜角度為45°，拉膜時間為2-4s。
[0042]S5、對所述金屬剝離后的LED芯片光刻標記點上的閉環(huán)斷開部分進行去膠；
[0043]設(shè)置去膠工藝條件，包括去膜劑溫度，超聲清洗時間和超聲清洗后非超聲浸泡時間，機械抖動頻率，沖水時間，旋干轉(zhuǎn)速和時間。其中，去膜劑融化溫度為80-90°C，再溫度范圍內(nèi)用于去除勻膠；超聲清洗時間為7min用于清除不溶于去膜劑的雜質(zhì)；機械抖動頻率為20次/分；沖水用水為蒸餾水，沖水時間120s，旋干轉(zhuǎn)速1200RPM，旋干時間600s。解決光刻標記點殘留金屬對后道光刻的無法對準，從而無法實現(xiàn)后續(xù)制程的問題。
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