同的是，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)500的基板導(dǎo)熱柱IlOh與基板110的外側(cè)面IlOs之間包括多排開孔10al及多排由第一介電層電性柱130c與基板電性柱IlOc形成的單丨電性柱。
[0073]請參照圖6A至6L，其繪示圖1A的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100的制造過程圖。
[0074]如圖6A所不,提供一基板110,其中基板110的相對二面分形成有第一導(dǎo)電層111與第二導(dǎo)電層112。
[0075]如圖6B所示，可采用例如是圖案化技術(shù)，形成數(shù)個(gè)開孔IlOal及110a2從基板110的上表面IlOu貫穿至下表面110b。圖案化技術(shù)例如是微影工藝(photolithography)、化學(xué)蝕刻(chemical etching)、激光鉆孔(laser drilling)或機(jī)械鉆孔(mechanicaldrilling)。
[0076]然后，如圖6B的放大圖所示，可采用無電鍍工藝，形成種子層113覆蓋第一導(dǎo)電層111的外表面、第二導(dǎo)電層112的外表面、開孔IlOal的內(nèi)側(cè)面與開孔110a2的內(nèi)側(cè)面。
[0077]如圖6C所示，可采用例如是電鍍工藝，經(jīng)由種子層113的導(dǎo)電性，形成傳導(dǎo)材料150’覆蓋整個(gè)種子層113上。本實(shí)施例中，傳導(dǎo)材料150’同時(shí)具有導(dǎo)電性及導(dǎo)熱性，其例如是由銅、鋁或其合金制成。傳導(dǎo)材料150’包括第一部分151’、第二部分152’及第三部分153’，其中第一部分151’覆蓋基板110的上表面110u，第二部分152’形成于開孔IlOal及110a2內(nèi)，而第三部分153’覆蓋基板110的下表面110b。形成于開孔IlOal內(nèi)的第二部分152’構(gòu)成基板導(dǎo)熱柱IlOh,而形成于開孔110a2內(nèi)的的第二部分152’構(gòu)成基板電性柱IlOc0
[0078]如圖6D所示，形成圖案化光阻層12 (例如是干膜)覆蓋第一部分151’，其中第一部分151’被圖案化光阻層12覆蓋的部分定義第一傳導(dǎo)層150 (圖6E)的區(qū)域。此外，形成圖案化光阻層14(例如是干膜)覆蓋第三部分153’，其中第三部分153’被圖案化光阻層14覆蓋的部分定義第二傳導(dǎo)墊160 (圖6E)的區(qū)域。
[0079]如圖6E所示，可采用例如是蝕刻工藝，移除第一部分151’(圖6D)未受到圖案化光阻層12覆蓋的部分，以形成第一傳導(dǎo)層150，其中第一傳導(dǎo)墊150包括第一導(dǎo)熱墊151、走線152(圖1B)及第二導(dǎo)熱墊153。于蝕刻制中，移除第三部分153’ (圖6D)未受到圖案化光阻層14覆蓋的部分，以形成第二傳導(dǎo)墊160，其中第二傳導(dǎo)墊160包括第三導(dǎo)熱墊161及數(shù)個(gè)電性接墊162。由于第三導(dǎo)熱墊161提供一大散熱面積,可提升散熱效率。
[0080]如圖6F所示，可采用例如剝膜技術(shù)，移除圖案化光阻層12與圖案化光阻層14，以露出第一傳導(dǎo)層150與第二傳導(dǎo)層160。
[0081]然后，可采用例如是蝕刻技術(shù)，移除露出的種子層113。
[0082]如圖6G所不,可米用例如表面黏貼技術(shù)(SMT),設(shè)置芯片120于基板110的上表面IlOu上方。本實(shí)施例中，芯片120以主動(dòng)面朝上方位通過黏膠125設(shè)于第一導(dǎo)熱墊151上。
[0083]如圖6H所示,可采用例如是層壓(Laminat1n)技術(shù),形成第一介電層130包覆第一傳導(dǎo)層150及芯片120。
[0084]如圖61所示，可采用例如是上述圖案化技術(shù)，形成數(shù)個(gè)開孔130al露出芯片120的接墊121及數(shù)個(gè)開孔130a2露出第一傳導(dǎo)層150。
[0085]如圖6J所示，可采用例如是電鍍技術(shù)，形成第一介電層電性柱130c及走線140于第一介電層130上，其中走線140物理連接第一介電層電性柱130c與芯片120。走線140通過開孔130al電性連接芯片120，而第一介電層電性柱130c通過開孔130a2物理連接第一傳導(dǎo)墊150。
[0086]如圖6K所示，可采用例如是涂布技術(shù)搭配圖案化技術(shù)，形成第一保護(hù)層170覆蓋第一介電層電性柱130c及走線140，其中第一保護(hù)層170具有至少一開孔170a，其露出走線140的一部分，可使后續(xù)形成的電性接點(diǎn)180通過露出的走線140電性連接于芯片120。此處的涂布技術(shù)例如是印刷(printing)、旋涂(spinning)或噴涂(spraying)。此外,第二保護(hù)層175的形成類似第一保護(hù)層170，容此不再贅述。
[0087]如圖6L所示，形成至少一電性接點(diǎn)180于開孔170a內(nèi)，電性接點(diǎn)180通過開孔170a電性連接于走線140。
[0088]然后，可采用例如是刀具或激光，形成至少一切割道經(jīng)過第一保護(hù)層170、第一介電層130與基板110，以形成至少一如圖1A所示的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100。
[0089]請參照圖7A至7J，其繪示圖2的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)200的制造過程圖。
[0090]如圖7A所示，提供一基板110，其中基板110的相對二側(cè)分形成有第一導(dǎo)電層111與第二導(dǎo)電層112。
[0091]如圖7B所示，可采用例如是上述圖案化技術(shù)，圖案化第一導(dǎo)電層111 (圖7A)，使第一導(dǎo)電層111形成芯片導(dǎo)熱墊1111及柱電性接墊1112。
[0092]如圖7C所示，可采用例如是上述圖案化技術(shù)，形成第二介電層230覆蓋芯片導(dǎo)熱墊1111及柱電性接墊1112，其中第二介電層230具有數(shù)個(gè)露出芯片導(dǎo)熱墊1111的開孔230al及數(shù)個(gè)露出柱電性接墊1112的開孔230a2。
[0093]如圖7D所示，可采用例如是電鍍技術(shù)搭配圖案化技術(shù)，形成介電層導(dǎo)熱墊230h及第二介電層電性柱230c,其中介電層導(dǎo)熱墊230h及第二介電層電性柱230c分別形成于開孔230al及230a2內(nèi)。介電層導(dǎo)熱墊230h經(jīng)由開孔230al物理連接于芯片導(dǎo)熱墊1111，第二介電層電性柱230c經(jīng)由開孔230a2電性連接于柱電性接墊1112。
[0094]如圖7E所不,可米用例如表面黏貼技術(shù),設(shè)置芯片120于基板110的上表面IlOu上方。本實(shí)施例中，芯片120通過黏膠125固定于介電層導(dǎo)熱墊230h上
[0095]如圖7F所示，可采用例如是層壓技術(shù)，形成第一介電層130覆蓋第二介電層電性柱230c、第二介電層230的上表面230u及芯片120。
[0096]如圖7G所示，可采用例如是上述圖案化技術(shù)，形成開孔130al、130a2、110al及110a2，其中開孔130al及130a2形成于第一介電層130并分別露出芯片120的接墊121及第二介電層電性柱230c，而開孔IlOal及110a2貫穿基板110并分別露出芯片導(dǎo)熱墊1111及柱電性接墊1112。
[0097]如圖7H所示，可采用例如是無電電鍍法，形成種子層113覆蓋第一介電層130的外表面、開孔130al的內(nèi)側(cè)壁、開孔130a2的內(nèi)側(cè)壁、第二導(dǎo)電層112的外表面、開孔IlOal的內(nèi)側(cè)壁及開孔110a2的內(nèi)側(cè)壁。
[0098]然后，可采用例如是電鍍工藝，經(jīng)由種子層113的導(dǎo)電性形成傳導(dǎo)材料140’覆蓋種子層113。本實(shí)施例中，傳導(dǎo)材料140’同時(shí)具有導(dǎo)熱性及導(dǎo)電性，其例如是由銅、鋁或其合金所形成。導(dǎo)電材料140’包括第一部分141’及第二部分142’，第一部分141’覆蓋第一介電層130且形成于開孔130al及130a2內(nèi)，而第二部分142’覆蓋第二導(dǎo)電層112且形成于開孔IlOal及110a2內(nèi)。
[0099]如圖71所示，可采用例如是上述圖案化技術(shù)，形成圖案化光阻層16 (例如是干膜)覆蓋第一部分141’及形成圖案化光阻層18(例如是干膜)覆蓋第二部分142’。第一部分141’被圖案化光阻層16覆蓋的部分定義第一介電層電性柱130c(圖7J)及走線140(圖7J)的區(qū)域。第二部分142’被圖案化光阻層18覆蓋的部分定義第二傳導(dǎo)層160(圖7J)的區(qū)域。
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