一種像素結(jié)構(gòu)及采用該像素結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光顯示器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及有機(jī)發(fā)光顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體地說(shuō)，是一種像素結(jié)構(gòu)及采用該像素結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光顯不器。
【背景技術(shù)】
[0002]OLED (Organic Light-Emitting D1de ,有機(jī)發(fā)光二極管)是主動(dòng)發(fā)光器件。與傳統(tǒng)的LCD (Liquid Crystal Display,液晶顯示器)顯示方式相比，OLED顯示技術(shù)無(wú)需背光燈，具有自發(fā)光的特性。OLED采用非常薄的有機(jī)材料膜層和玻璃基板，當(dāng)有電流通過(guò)時(shí)，有機(jī)材料就會(huì)發(fā)光。因此OLED顯示屏能夠顯著節(jié)省電能，可以做得更輕更薄，比IXD顯示屏耐受更寬范圍的溫度變化，而且可視角度更大。OLED顯示器有望成為繼LCD之后的下一代平板顯示技術(shù)，是目前平板顯示技術(shù)中受到關(guān)注最多的技術(shù)之一。
[0003]OLED屏體的彩色化方法有許多種，現(xiàn)在較為成熟并已經(jīng)成功量產(chǎn)的OLED彩色化技術(shù)是OLED蒸鍍技術(shù)，其采用傳統(tǒng)的RGB Stripe(RGB條狀)排列方式進(jìn)行蒸鍍。其中畫(huà)面效果最好的是side-by-side (并置)的方式。side_by-side方式是在一個(gè)像素(Pixel)范圍內(nèi)有紅、綠、藍(lán)(R、G、B)三個(gè)子像素(sub-pixel )，每個(gè)子像素均呈四邊形，且各自具有獨(dú)立的有機(jī)發(fā)光元器件，它是利用蒸鍍成膜技術(shù)透過(guò)高精細(xì)金屬掩膜板(Fine Metal Mask,FMM)在array (陣列)基板上相應(yīng)的像素位置形成有機(jī)發(fā)光元器件。制作高PPI (Pixel PerInch,點(diǎn)每英寸)0LED屏體的技術(shù)重點(diǎn)在于精細(xì)及機(jī)械穩(wěn)定性好的高精細(xì)金屬掩膜板，而高精細(xì)金屬掩膜板的關(guān)鍵在于像素及子像素的排布方式。
[0004]目前業(yè)界已經(jīng)有縫(slit)、槽(slot)、Pentile和IGNIS等排布方式,但由于掩模板(Mask)開(kāi)口面積有規(guī)格下限，以及為了避免制作過(guò)程受公差(tolerance)的影響，相鄰像素的開(kāi)口之間需要預(yù)留間隙(gap)而導(dǎo)致像素密度，如PPI無(wú)法得到大幅提升，以及像素排列不是真實(shí)意義上的真彩顯示等原因，使得以上方案還不能很好的解決像素密度提升的問(wèn)題。
[0005]傳統(tǒng)的像素排布方式，每個(gè)像素分別由R、G、B三色組成。如圖1所示的像素排布方式，在一個(gè)像素內(nèi)分成R、G、B三個(gè)相互平行的子像素，每個(gè)子像素均呈四邊形，根據(jù)對(duì)應(yīng)RGB器件性能的不同來(lái)調(diào)節(jié)R、G、B子像素對(duì)應(yīng)四邊形的大小。如圖1所示，像素區(qū)域100包括R子像素區(qū)域101、R發(fā)光區(qū)102、G子像素區(qū)域103、G發(fā)光區(qū)104、B子像素區(qū)域105及B發(fā)光區(qū)106，圖中所示R、G、B子像素的區(qū)域和發(fā)光區(qū)面積分別相等，實(shí)施時(shí)根據(jù)需要面積可作調(diào)整。
[0006]圖1A和圖1B分別為對(duì)應(yīng)于圖1的兩種蒸鍍Mask。其中，圖1A、圖1B中的107、109為Mask遮擋區(qū)，蒸鍍區(qū)開(kāi)口 108、110的開(kāi)口可以是縫(slit)或槽(slot)兩種。
[0007]圖1A為slit式蒸鍍Mask，其相對(duì)應(yīng)的金屬掩膜板開(kāi)口大小與子像素的大小相對(duì)應(yīng)。該金屬掩膜板的開(kāi)口方式主要特點(diǎn)是在屏體內(nèi)同一列的所有子像素共用同一個(gè)開(kāi)口，金屬掩膜板開(kāi)口在長(zhǎng)度方向上較長(zhǎng)，隨著顯示屏尺寸的增大，金屬掩膜板的開(kāi)口長(zhǎng)度也需要隨之增長(zhǎng)，相鄰開(kāi)口之間的非開(kāi)口部分形成金屬長(zhǎng)條(stripe)。
[0008]Slit開(kāi)口方式對(duì)于低PPI的OLED屏體來(lái)說(shuō)，金屬掩膜板上相鄰開(kāi)口的間距較大，金屬長(zhǎng)條較寬，金屬掩膜板的制作及使用管理較容易。但是此種開(kāi)口方式在高PPI的OLED屏體應(yīng)用時(shí)，高精細(xì)金屬掩膜板上相鄰開(kāi)口的間距變小，金屬長(zhǎng)條較細(xì)，金屬掩膜板在使用過(guò)程中金屬長(zhǎng)條容易受磁鐵板磁力線(xiàn)方向的影響而變形，造成子像素間不同顏色材料相互污染而混色，產(chǎn)品的生產(chǎn)良率較低。此外，此種金屬掩膜板在使用、清洗和保管過(guò)程中也容易受損變形，重復(fù)利用率不高，因?yàn)榻饘傺谀ぐ宓某杀靖?，所以此種方式制作的屏體成本也較聞。
[0009]圖1B為slot式蒸鍍Mask,該種金屬掩膜板的開(kāi)口方式主要特點(diǎn)是在slit開(kāi)口中位于像素間的位置增加了 bridge (連接橋)，連接相鄰的金屬長(zhǎng)條，將原來(lái)的一個(gè)長(zhǎng)條開(kāi)口改變成多個(gè)開(kāi)口單元。此方法使得金屬掩膜板的金屬長(zhǎng)條較為穩(wěn)固，解決了上述slit開(kāi)口方式金屬長(zhǎng)條容易受磁力線(xiàn)及外力影響而變形的問(wèn)題。但是在考慮金屬掩膜板長(zhǎng)尺寸精度，為了避免蒸鍍時(shí)對(duì)子像素產(chǎn)生遮蔽效應(yīng)，子像素與bridge間必須保持足夠的距離，子像素的上下的長(zhǎng)度縮小，而影響了每一個(gè)子像素的開(kāi)口率。
[0010]上述各方式中，Mask上的每個(gè)開(kāi)口只能對(duì)應(yīng)一個(gè)或一條相同顏色的子像素，其排布密度不能提高，因而分辨率就無(wú)法提高。而且受Mask工藝水平的影響,此Mask上的開(kāi)口不能過(guò)小，由于蒸鍍會(huì)產(chǎn)生“陰影效應(yīng)”，兩個(gè)發(fā)光區(qū)之間還需要預(yù)留一定的余量，防止因“陰影效應(yīng)”而產(chǎn)生混色，因此Mask開(kāi)口也不能做得很小，否則還會(huì)影響到開(kāi)口率。
[0011]加拿大IGNIS公司在其申請(qǐng)的公開(kāi)號(hào)為US20110128262的美國(guó)專(zhuān)利中，提出了一種像素陣列的排布方式，但是其子像素仍然各自呈四邊形，只是子像素相對(duì)位置關(guān)系和slit和slot排布方式不同，三種子像素呈“品”字型排列。如圖2所示，像素區(qū)域200包括R子像素區(qū)域201，R發(fā)光區(qū)202，G子像素區(qū)域203，G發(fā)光區(qū)204，B子像素區(qū)域205，B發(fā)光區(qū)206。圖2A和圖2B分別為對(duì)應(yīng)于圖2的B子像素的兩種蒸鍍Mask，圖2C為對(duì)應(yīng)于圖2的R子像素或G子像素的蒸鍍Mask，Mask開(kāi)口相當(dāng)于將一個(gè)像素分為兩個(gè)子像素，圖中所示的陰影區(qū)域207、209、211分別為蒸鍍遮擋區(qū)，蒸鍍B子像素的蒸鍍開(kāi)口 208、210可以是slit或slot，蒸鍍開(kāi)口 212為R或G子像素的Mask開(kāi)口，仍對(duì)應(yīng)一個(gè)子像素，即其長(zhǎng)寬尺寸相當(dāng)于一個(gè)子像素的長(zhǎng)寬尺寸。該種方式中，像素做周期性水平及垂直的平移形成了行與列的像素陣列。紅色和綠色子像素相對(duì)應(yīng)金屬掩膜板的開(kāi)口間距相對(duì)較大，可以在一定程度上實(shí)現(xiàn)高PPI顯示。
[0012]像素周期性排布的結(jié)果，是像素陣列中的藍(lán)色子像素形成直線(xiàn)排布，使得相對(duì)應(yīng)的金屬掩膜板必須使用前述slit或者前述slot的開(kāi)口方式,但是如上所述slit和slot開(kāi)口方式均存在缺陷，導(dǎo)致IGNIS的像素陣列排布方式中藍(lán)色金屬掩膜板的開(kāi)口方式嚴(yán)重影響了子像素開(kāi)口率和PPI的進(jìn)一步提升。
[0013]此外，有機(jī)發(fā)光顯示器件，通常會(huì)隨著分辨率的提升而子像素的開(kāi)口率降低，最終結(jié)果是導(dǎo)致單色器件的工作亮度提升和顯示屏的壽命縮短。因此亟需一種新的像素設(shè)計(jì)技術(shù)，來(lái)保證R、G、B子像素開(kāi)口率和提高屏體的分辨率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0014]本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種可以有效提高OLED顯示器分辨率，并可降低制造成本、提高產(chǎn)品良率的像素結(jié)構(gòu)，以及采用這種像素結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光顯示器。
[0015]為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種像素結(jié)構(gòu)，包括有多個(gè)像素，每個(gè)像素由多個(gè)子像素構(gòu)成，至少一個(gè)像素構(gòu)成一個(gè)像素單元，縱向相鄰和/或橫向相鄰的像素單元呈鏡像排布。
[0016]進(jìn)一步地，縱向相鄰和/或橫向相鄰的像素單元排布結(jié)構(gòu)相同。
[0017]進(jìn)一步地，將其中任一像素單元以像素單元的中心點(diǎn)旋轉(zhuǎn)180度后，排布結(jié)構(gòu)不變；或者，將其中任一像素單元以像素單元的中心點(diǎn)旋轉(zhuǎn)180度后，其排布結(jié)構(gòu)與橫向和/或縱向相鄰像素單元的排布結(jié)構(gòu)相同。
[0018]進(jìn)一步地，任一像素單元與其對(duì)角線(xiàn)方向上的相鄰像素單元的排布結(jié)構(gòu)相同，或者鏡像。
[0019]進(jìn)一步地，縱向相鄰的奇數(shù)個(gè)像素或橫向相鄰的奇數(shù)個(gè)像素構(gòu)成一個(gè)像素單元。
[0020]進(jìn)一步地，縱向相鄰的偶數(shù)個(gè)像素或橫向相鄰的偶數(shù)個(gè)像素構(gòu)成一個(gè)像素單元。
[0021]進(jìn)一步地，同時(shí)位于縱向相鄰行、橫向相鄰列的偶數(shù)個(gè)像素構(gòu)成一個(gè)像素單元。
[0022]進(jìn)一步地，構(gòu)成像素的子像素為三角形。
[0023]本發(fā)明還提供了一種包含有上述像素結(jié)構(gòu)的有機(jī)發(fā)光顯示器。
[0024]本發(fā)明通過(guò)合理的像素排布結(jié)構(gòu)，通過(guò)將相鄰像素的子像素共用Mask上的一個(gè)開(kāi)口蒸鍍，可增加蒸鍍時(shí)Mask的開(kāi)口面積，降低Mask工藝制作的難度，也降低了蒸鍍工藝的難度。蒸鍍Mask相鄰像素的子像素時(shí)不需預(yù)留gap，在保持開(kāi)口率的要求同時(shí)，可實(shí)現(xiàn)真正的高PPI。另外，本發(fā)明還可增加Mask的強(qiáng)度，使其在使用過(guò)程中不易變形，提高產(chǎn)品良率，增加Mask的壽命，降低成本。
【附圖說(shuō)明】
[0025]圖1為傳統(tǒng)有機(jī)發(fā)光顯示器的像素排布示意圖。
[0026]圖1A為對(duì)應(yīng)圖1的一種Mask開(kāi)口示意圖。
[0027]圖1B為對(duì)應(yīng)圖1的另一種Mask開(kāi)口示意圖。
[0028]圖2為IGNIS像素排布結(jié)構(gòu)圖。
[0029]圖2A為對(duì)應(yīng)圖2的B子像素的一種Mask開(kāi)口示意圖。
[0030]圖2B為對(duì)應(yīng)圖2的B子像素的另一種Mask開(kāi)口示意圖。
[0031]圖2C為對(duì)應(yīng)圖2的R或G子像素的Mask開(kāi)口示意圖。
[0032]圖3為本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示器的像素結(jié)構(gòu)第一實(shí)施例的示意圖。
[0033]圖3A為對(duì)應(yīng)圖3所示實(shí)施例的B子像素的一種Mask開(kāi)口示意圖。
[0034]圖3B為對(duì)應(yīng)圖3所示實(shí)施例的B子像素的另一種Mask開(kāi)口示意圖。
[0035]圖3C為對(duì)應(yīng)圖3所示實(shí)施例的R或G子像素的Mask開(kāi)口示意圖。
[0036]圖4為對(duì)應(yīng)圖3所示實(shí)施例的再一種B子像素Mask的示意圖。
[0037]圖5為本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示器的像素結(jié)構(gòu)第二實(shí)施例的示意圖。
[0038]圖5A為對(duì)應(yīng)圖5所示實(shí)施例的B子像素的一種Mask開(kāi)口示意圖。
[0039]圖5B為對(duì)應(yīng)圖5所示實(shí)施例的B子像素的另一種Mask開(kāi)口示意圖。
[0040]圖5C為對(duì)應(yīng)圖5所示實(shí)施例的R子像素的一種Mask開(kāi)口示意圖。
[0041]圖為對(duì)應(yīng)圖5所示實(shí)施例的G子像素的一種Mask開(kāi)口示意圖。
[0042]圖6為本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示器的像素結(jié)構(gòu)第三實(shí)施例的示意圖。
[0043]圖7為本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示器的像素結(jié)構(gòu)第四實(shí)施例的示意圖。
[0044]圖7A為對(duì)應(yīng)圖7所示實(shí)施例的B子像素的一種Mask開(kāi)口示意圖。
[0045]圖7B為對(duì)應(yīng)圖7所示實(shí)施例的R子像素的一種Mask開(kāi)口示意圖。
[0046]圖7C為對(duì)應(yīng)圖7所示實(shí)施例的G子像素的一種Mask開(kāi)口示意圖。
[0047]圖7D為圖7A至圖7C所示的Mask的相鄰開(kāi)口連接處的局部放大圖。
[0048]圖8為本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示器的像素結(jié)構(gòu)第五實(shí)施例的示意圖。
[0049]圖8A為對(duì)應(yīng)圖8所示實(shí)施例的B子像素的一種Mask開(kāi)口示意圖。
[0050]圖SB為對(duì)應(yīng)圖8所示實(shí)施例的R子像素的一種Mask開(kāi)口示意圖。
[0051]圖8C為對(duì)應(yīng)圖8所示實(shí)施例的G子像素的一種Mask開(kāi)口示意圖。
[0052]圖9為本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光顯示器的像素結(jié)構(gòu)第六實(shí)施例的示意圖。
[0053]圖9A為對(duì)應(yīng)圖9所示實(shí)施例的B子像素的一種Mask開(kāi)