XT2(4)
[0059]S1^ T i+2 X T2(5)
[0060]S2^ T i+2XT2(6)
[0061]EtE = EtEm+2 X T2(7)
[0062]本發(fā)明提供了優(yōu)于傳統(tǒng)間隔件技術(shù)的多種優(yōu)勢(shì)，其中，圖案在將間隔件形成于圖案上方之前進(jìn)行修正。一個(gè)優(yōu)勢(shì)在于較小EtE可通過(guò)調(diào)整厚度T2實(shí)現(xiàn)。作為實(shí)例，在采用傳統(tǒng)間隔件技術(shù)的工藝P中，芯軸線218a至218d的寬度在修正工藝中減小T，以便寬度滿足最終圖案間距。芯軸線218a至218d的長(zhǎng)度通過(guò)相同修正工藝同樣減小大約T。因此，芯軸線218a至218d之間的端至端間距被從EtEm增加至(EtEm+2 X T)，其與通過(guò)工藝P的最終圖案的端至端距離約相同。相反，在本實(shí)施例中，厚度1~2可被調(diào)整至小于T，其間接地減小最終圖案的端至端距離(參見(jiàn)上述公式(7))。除減小的EtE距離外，目標(biāo)圖案200的部件180a至180b、182a至182b和184a至184b的寬度和長(zhǎng)度以及它們之間的間距可通過(guò)調(diào)整厚度TjPT2而制得更小。這通常提供了增加圖案密度的優(yōu)勢(shì)。本發(fā)明的另一優(yōu)勢(shì)是節(jié)省成本，因?yàn)?I)本實(shí)施例避免芯軸線修整工藝以及(2)光刻膠層218(圖4b)可制得更薄。
[0063]前面概述了若干實(shí)施例的特征，以便本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可更好地理解本發(fā)明的方面。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，它們可容易地使用本發(fā)明作為基礎(chǔ)來(lái)設(shè)計(jì)或修改用于實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)本文所介紹的實(shí)施例的相同目的和/或相同優(yōu)勢(shì)的其他工藝和結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員還應(yīng)當(dāng)理解，這種等同結(jié)構(gòu)并不背離本發(fā)明的精神和范圍，并且他們可在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，對(duì)本發(fā)明作出各種改變、替換和修改。
[0064]在一個(gè)示例性方面中，本發(fā)明針對(duì)一種形成用于集成電路(IC)的目標(biāo)圖案的方法。該方法包括利用第一掩模在襯底上方形成多條線；在襯底上方、多條線上方及多條線的側(cè)壁上形成第一間隔件層；去除第一間隔件層的至少一部分以暴露多條線；去除多條線從而在襯底上方提供圖案化的第一間隔件層；在襯底上方、圖案化的第一間隔件層上方及圖案化的第一間隔件層的側(cè)壁上形成第二間隔件層；以及利用第二掩模在第二間隔件層上方形成圖案化的材料層從而該圖案化的材料層和第二間隔件層共同限定多個(gè)溝槽。
[0065]在另一示例性方法中，本發(fā)明針對(duì)一種在具有多個(gè)硬掩模層的襯底上方形成圖案的方法。該方法包括在襯底上方形成線；在襯底上方、線上方及線的側(cè)壁上將第一材料沉積到第一厚度；去除線從而在襯底上方提供圖案化的第一材料；在襯底上方、圖案化的第一材料上方及圖案化的第一材料的側(cè)壁上將第二材料沉積到第二厚度；在第二材料上方沉積第三材料；以及圖案化該第二和第三材料以形成溝槽。
[0066]在又一示例性方法中，本發(fā)明針對(duì)一種形成用于集成電路的目標(biāo)圖案的方法。該方法包括將目標(biāo)圖案分解到至少第一掩模和第二掩模，第一掩模具有第一掩模圖案，第二掩模具有第二掩模圖案，其中，第一掩模圖案的一部分與第二掩模圖案的至少一部分重疊。該方法進(jìn)一步包括利用第一掩模圖案化襯底，從而形成多個(gè)第一部件；在襯底上方、多個(gè)第一部件上方及多個(gè)第一部件的側(cè)壁上形成第一間隔件層；部分地去除第一間隔件層來(lái)暴露襯底和多個(gè)第一部件，且此后去除多個(gè)第一部件。該方法還包括在襯底上方、第一間隔件層上方及第一間隔件層的側(cè)壁上形成第二間隔件層；在第二間隔件層上方形成第一材料層；以及利用第二掩模圖案化第一材料層，其中，第一間隔件層和圖案化的第一材料層共同限定多個(gè)第二部件。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種形成用于集成電路的目標(biāo)圖案的方法，所述方法包括: 利用第一掩模在襯底上方形成多條線； 在所述襯底上方、所述多條線上方和所述多條線的側(cè)壁上形成第一間隔件層； 去除所述第一間隔件層的至少一部分以暴露所述多條線； 去除所述多條線從而在所述襯底上方提供圖案化的第一間隔件層； 在所述襯底上方、所述圖案化的第一間隔件層上方和所述圖案化的第一間隔件層的側(cè)壁上形成第二間隔件層；以及 利用第二掩模在所述第二間隔件層上方形成圖案化的材料層，從而所述圖案化的材料層和所述第二間隔件層共同地限定多個(gè)溝槽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括: 將所述多個(gè)溝槽轉(zhuǎn)印至所述襯底。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括: 穿過(guò)所述多個(gè)溝槽的開(kāi)口蝕刻所述第二間隔件層以暴露所述襯底； 穿過(guò)所述多個(gè)溝槽的開(kāi)口蝕刻所述襯底；以及 在蝕刻后，去除所述第一間隔件層、所述第二間隔件層和所述圖案化的材料層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述多條線包括: 在所述襯底上方形成光刻膠層；以及 利用所述第一掩模圖案化所述光刻膠層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述多條線包括: 在所述襯底上方形成硬掩模層； 在所述硬掩模層上方形成光刻膠層； 利用所述第一掩模圖案化所述光刻膠層； 將所述圖案化的光刻膠層用作蝕刻掩模蝕刻所述硬掩模層；以及 之后去除所述圖案化的光刻膠層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述第一間隔件層和所述第二間隔件層包括沉積。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述圖案化的材料層包括: 在所述第二間隔件層上方形成第一材料層； 在所述第一材料層和所述第二間隔件層上方形成第二材料層； 利用所述第二掩模圖案化所述第二材料層； 將所述圖案化的第二材料層用作蝕刻掩模蝕刻所述第一材料層；以及 之后去除所述圖案化的第二材料層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，還包括: 回蝕刻所述第一材料層從而在形成所述第二材料層之前暴露所述第二間隔件層。
9.一種方法，包括: 在襯底上方形成線，所述襯底具有多個(gè)硬掩模層； 在所述襯底上方、所述線上方和所述線的側(cè)壁上將第一材料沉積至第一厚度； 去除所述線從而在所述襯底上方提供圖案化的第一材料； 在所述襯底上方、所述圖案化的第一材料上方和所述圖案化的第一材料的側(cè)壁上將第二材料沉積至第二厚度； 在所述第二材料上方沉積第三材料；以及 圖案化所述第二材料和所述第三材料以形成溝槽。
10.一種形成用于集成電路的目標(biāo)圖案的方法，所述方法包括: 將所述目標(biāo)圖案分解到至少第一掩模和第二掩模，所述第一掩模具有第一掩模圖案，所述第二掩模具有第二掩模圖案，其中，所述第一掩模圖案的至少一部分與所述第二掩模圖案的至少一部分重疊； 利用所述第一掩模圖案化襯底從而形成多個(gè)第一部件； 在所述襯底上方、所述多個(gè)第一部件上方和所述多個(gè)第一部件的側(cè)壁上形成第一間隔件層； 部分地去除所述第一間隔件層以暴露所述襯底和所述多個(gè)第一部件； 去除所述多個(gè)第一部件； 在所述襯底上方、所述第一間隔件層上方和所述第一間隔件層的側(cè)壁上形成第二間隔件層； 在所述第二間隔件層上方形成第一材料層；以及 利用所述第二掩模圖案化所述第一材料層，其中，所述第二間隔件層和所述圖案化的第一材料層共同地限定多個(gè)第二部件。
【專利摘要】一種形成目標(biāo)圖案的方法包括利用第一掩模在襯底上方形成多條線并且在襯底上方、多條線上方和多條線的側(cè)壁上形成第一間隔件層。多條線被去除，從而在襯底上方提供圖案化的第一間隔件層。該方法還包括在襯底上方、圖案化的第一間隔件層上方和圖案化的第一間隔件層的側(cè)壁上形成第二間隔件層，并利用第二掩模在第二間隔件層上方形成圖案化的材料層。借此，圖案化的材料層和第二間隔件層共同地限定多個(gè)溝槽。本發(fā)明涉及用于集成電路圖案化的方法。
【IPC分類】H01L21-027, H01L21-768
【公開(kāi)號(hào)】CN104733291
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410795211
【發(fā)明人】吳杰翰, 李忠儒, 蔡政勛, 謝銘峰, 劉如淦, 包天一, 眭曉林
【申請(qǐng)人】臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
【公開(kāi)日】2015年6月24日
【申請(qǐng)日】2014年12月18日
【公告號(hào)】US9136106, US20150179435